Wynik wyszukiwania

Dom Produkty sic substrate Producent internetowy

Wszystkie kategorie

Wafel azotowy galu

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

GaAs Wafer

Skontaktuj się z nami

Mr. Wang

eric_wang@zmsh-materials.com

+8615801942596

Skontaktuj się teraz

Twoje poszukiwania

[sic substrate ]

dopasowanie

263

Produkty

4-calowe 6-calowe wafelki z azotku galu GaN-ON-SiC EPI wafle

Uzyskaj najlepszą cenę

Półizolacyjny SiC na płytce Si 4H-SEMI podłoża typu P typu N grubość 500um

Uzyskaj najlepszą cenę

Sic płytka z węglanu krzemowego typu 4H-P na osi 0°Używana do produkcji urządzeń o dużej mocy

Uzyskaj najlepszą cenę

Sic Substrat węglowodorów krzemowych 5,0*5,0 mm kwadrat 6H-P grubość 350μm Zero Grade Dummy Grade

Uzyskaj najlepszą cenę

Sic Silicon Carbide Wafer 55mm/1010mm 4H-P Typ Produkcja

Uzyskaj najlepszą cenę

Karbid krzemowy SIC Wafer 10*10 mm 6H-P Grubość 350μm Dla urządzeń o dużej mocy

Uzyskaj najlepszą cenę

Syc soczewka optyczna 10x10x10mmt 4H-SEMI HPSI kształt i rozmiar dostosowany 6SP grubość 10.05

Uzyskaj najlepszą cenę

8-calowa wafle epitaksjalne SiC, średnica 200mm, grubość 500µm, typ 4H-N

Uzyskaj najlepszą cenę

2 cali Sic Substrat węglanu krzemowego 3C-N Typ 50.8 mm średnica Produkcja klasy badawczej klasy fałszywej

Uzyskaj najlepszą cenę

Substrat węglowodorów krzemowych 4'' Sic 3C-N Prężnica 100 mm Przewodzący Typ Zero MPD

Uzyskaj najlepszą cenę

2 cale 3 cale 4 cale 6 cale Płytki epitaksjalne SiC 4H-N klasy produkcyjnej

Uzyskaj najlepszą cenę

6-calowa wafle epitaksjalne SiC o średnicy 150 mm, typ 4H-N, typ 4H-P, do komunikacji 5G

Uzyskaj najlepszą cenę

2-calowa średnica 50,8 mm 4H-N typu SiC epitaksjalna płytka dla czujników wysokotemperaturowych

Uzyskaj najlepszą cenę

4-calowa płytka węglowodorowa silikonowa 6H-P grubość 350 μm Zero / Prime Grade Dummy Grade

Uzyskaj najlepszą cenę

4-calowa płytka SiC Epitaxial 4H-N średnica 100 mm grubość 350 μm Prime Grade

Uzyskaj najlepszą cenę

2 cali 4H-P SIC Wafer z węglanu krzemowego dla fotowoltaiki Grubość 350 μm Średnica 50,8 mm Zero Grade

Uzyskaj najlepszą cenę

2 3 4 5 6 7 8 9

Wyniki wyszukiwania

Dom Produkty sic substrate Producent internetowy

Wszystkie kategorie

Wafel azotowy galu

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

GaAs Wafer

Twoje poszukiwania [ sic substrate ] dopasowanie 263 Produkty

4H 6-calowa płytka epitaksyalna SiC 100μm/200μm/300μm dla urządzenia MOS ultrawysokiego napięcia (UHV)

Uzyskaj najlepszą cenę

wideo

Dwustronny wypolerowany wysokiej czystości lustro SiC składnik optyczny do lustrzanki MEMS

Uzyskaj najlepszą cenę

wideo

Niestandardowe kwadratowe okna optyczne Zielony moissanite SiC Kryształ Wysoka twardość

Uzyskaj najlepszą cenę

6calowa ultrawysokiego napięcia płytka SiC Epitaxial Wafer 100 500 μm dla urządzeń MOSFET

Uzyskaj najlepszą cenę

Wysokiej czystości węglik krzemowy (SiC) Proszek 99,9999% (6N) HPSI Typ 100μm Wielkość cząstek SIC Rozwój kryształowy

Uzyskaj najlepszą cenę

wideo

2sp 4H-SEMI 4H-N SIC Wafel z węglika krzemu 10 X 10 X 0,5 mm

Uzyskaj najlepszą cenę

Kulki ceramiczne SiC do łożysk, klasa G5, wysoka twardość

Uzyskaj najlepszą cenę

podkład 2" 3" 4" 6" 4h-Semi 4H-N Podłoże izolacyjne Sic Wafel krzemowo-węglikowy sic

Uzyskaj najlepszą cenę

Dostosowany GaN-On-GaN SiC Silicon Sapphire Substrat Wafel epitaksjalny 4 cale Dia 100 mm

Uzyskaj najlepszą cenę

2 cali/4 cali/6 cali/5,05,0 mm/10,010,0 mm Sic Substrat węglanu krzemowego typ 3C-N Na osi: < 111 > ± 0,5° Poziom produkcji Poziom fałszywy

Uzyskaj najlepszą cenę

12-calowa płytka silikonowa węglowodorek 4H-N

Uzyskaj najlepszą cenę

2 cali 4 cali 6 cali Sic Substrat z węglowodorem krzemowym 6H Wysoki P-doped Typ od osi 4.0° w kierunku Prime Grade Dummy Grade

Uzyskaj najlepszą cenę

2 3 4 5 6 7 8 9

Wafel azotowy galu

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

GaAs Wafer

Wafel azotowy galu

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

GaAs Wafer

Wafel azotowy galu

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

GaAs Wafer

[sic substrate ]

Wafel azotowy galu

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

GaAs Wafer

4H 6-calowa płytka epitaksyalna SiC 100μm/200μm/300μm dla urządzenia MOS ultrawysokiego napięcia (UHV)

Dwustronny wypolerowany wysokiej czystości lustro SiC składnik optyczny do lustrzanki MEMS

Niestandardowe kwadratowe okna optyczne Zielony moissanite SiC Kryształ Wysoka twardość

6calowa ultrawysokiego napięcia płytka SiC Epitaxial Wafer 100 500 μm dla urządzeń MOSFET

Wysokiej czystości węglik krzemowy (SiC) Proszek 99,9999% (6N) HPSI Typ 100μm Wielkość cząstek SIC Rozwój kryształowy

2sp 4H-SEMI 4H-N SIC Wafel z węglika krzemu 10 X 10 X 0,5 mm

Kulki ceramiczne SiC do łożysk, klasa G5, wysoka twardość

podkład 2" 3" 4" 6" 4h-Semi 4H-N Podłoże izolacyjne Sic Wafel krzemowo-węglikowy sic

Dostosowany GaN-On-GaN SiC Silicon Sapphire Substrat Wafel epitaksjalny 4 cale Dia 100 mm

2 cali/4 cali/6 cali/5,0*5,0 mm/10,0*10,0 mm Sic Substrat węglanu krzemowego typ 3C-N Na osi: < 111 > ± 0,5° Poziom produkcji Poziom fałszywy

12-calowa płytka silikonowa węglowodorek 4H-N

2 cali 4 cali 6 cali Sic Substrat z węglowodorem krzemowym 6H Wysoki P-doped Typ od osi 4.0° w kierunku Prime Grade Dummy Grade

2 cali/4 cali/6 cali/5,05,0 mm/10,010,0 mm Sic Substrat węglanu krzemowego typ 3C-N Na osi: < 111 > ± 0,5° Poziom produkcji Poziom fałszywy