![]() |
4-calowa płytka SiC Epitaxial 4H-N średnica 100 mm grubość 350 μm Prime Grade2025-07-01 13:16:40 |
![]() |
SiC Seed Wafer 4H N Type Dia 153 155 2c-12c Dostosowany do produkcji MOSFETów2025-05-26 11:39:21 |
![]() |
2-calowa płytka z węglem krzemowym typu 4H-N dla urządzenia MOS Dia 0,4 mm2024-12-05 15:52:17 |