Wynik wyszukiwania

Dom Produkty sic substrate Producent internetowy

Wszystkie kategorie

Wafel azotowy galu

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

GaAs Wafer

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

Skontaktuj się z nami

Mr. Wang

eric_wang@zmsh-materials.com

+8615801942596

Skontaktuj się teraz

Twoje poszukiwania

[sic substrate ]

dopasowanie

252

Produkty

Polerowane podłoże ceramiczne SIC Części ceramiczne z tlenku glinu Al2O3

Uzyskaj najlepszą cenę

Niestandardowy rozmiar Podłoże ceramiczne / węglik krzemu Ceramika Doskonała korozja

Uzyskaj najlepszą cenę

Wysokiej czystości płytka nośna powlekana SiC do obróbki i przenoszenia płytek

Uzyskaj najlepszą cenę

wideo

Maszyna do cięcia wielowiatrowej piły diamentowej do materiałów SiC/safiru/ultra-twardych materiałów kruchych

Uzyskaj najlepszą cenę

8-calowa płytka SiC, krzemowa płytka Karburowa, Prime Dummy Research Grade 500um 350 Um.

Uzyskaj najlepszą cenę

Wysokotemperaturowa płytka oporowa SiC/płytka podtrzymująca dla nośników płytek

Uzyskaj najlepszą cenę

Elektrotermiczne łożysko ceramiczne Al2O3 na podłożu ceramicznym SSIC

Uzyskaj najlepszą cenę

SSIC SiC Mechaniczny pierścień uszczelniający Podłoże ceramiczne z tlenku glinu

Uzyskaj najlepszą cenę

wideo

10x10x0.5mm HPSI 1sp 2sp 4H-SEMI SIC Podłoże waflowe z węglika krzemu

Uzyskaj najlepszą cenę

Piekarnik do hodowli ingotów SiC wykorzystuje metody PVT, Lely TSSG i LPE do hodowli dużych kryształów o rozmiarach 4, 6 i 8 cali.

Uzyskaj najlepszą cenę

Wolnostojące podłoża HVPE z azotku galu GaN 4 cale

Uzyskaj najlepszą cenę

Sic maszyna do cięcia drutu diamentowego Precyzyjne sterowanie Sic cięcie kryształowej pręty

Uzyskaj najlepszą cenę

2cylindrowe, 4cylindrowe, 6cylindrowe, wzorowe, szafirowe podłoże, PSS dla diod emitujących światło, LED

Uzyskaj najlepszą cenę

2/4/6/8 cala Sic Substrat węglowodorów krzemowych 4H 6H 3C Typ wsparcia dostosować przemysł półprzewodnikowy

Uzyskaj najlepszą cenę

wideo

4H-N 5x5mm Sic Wafle Ceramiczne podłoże katalizatora DSP

Uzyskaj najlepszą cenę

8-calowa płytka z węglowodorem krzemu SiC 4H-N Typ P/D/R Stopień Mohs.9 Wielokrotne zastosowania Dostosowanie

Uzyskaj najlepszą cenę

4 5 6 7 8 9 10 11

Wyniki wyszukiwania

Dom Produkty sic substrate Producent internetowy

Wszystkie kategorie

Wafel azotowy galu

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

GaAs Wafer

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

Twoje poszukiwania [ sic substrate ] dopasowanie 252 Produkty

8-calowa wafle epitaksjalne SiC, średnica 200mm, grubość 500µm, typ 4H-N

Uzyskaj najlepszą cenę

2 cali Sic Substrat węglanu krzemowego 3C-N Typ 50.8 mm średnica Produkcja klasy badawczej klasy fałszywej

Uzyskaj najlepszą cenę

2 cale 3 cale 4 cale 6 cale Płytki epitaksjalne SiC 4H-N klasy produkcyjnej

Uzyskaj najlepszą cenę

6-calowa wafle epitaksjalne SiC o średnicy 150 mm, typ 4H-N, typ 4H-P, do komunikacji 5G

Uzyskaj najlepszą cenę

Substrat węglowodorów krzemowych 4'' Sic 3C-N Prężnica 100 mm Przewodzący Typ Zero MPD

Uzyskaj najlepszą cenę

2-calowa średnica 50,8 mm 4H-N typu SiC epitaksjalna płytka dla czujników wysokotemperaturowych

Uzyskaj najlepszą cenę

4-calowa płytka węglowodorowa silikonowa 6H-P grubość 350 μm Zero / Prime Grade Dummy Grade

Uzyskaj najlepszą cenę

4-calowa płytka SiC Epitaxial 4H-N średnica 100 mm grubość 350 μm Prime Grade

Uzyskaj najlepszą cenę

2 cali 4H-P SIC Wafer z węglanu krzemowego dla fotowoltaiki Grubość 350 μm Średnica 50,8 mm Zero Grade

Uzyskaj najlepszą cenę

4-calowa płytka Silicon Carbide Sic typu 4H-P średnica 100 mm grubość 350 μm Prime Grade Research Grade

Uzyskaj najlepszą cenę

55mm/1010mm Grubość płytki węglowodorku krzemowego 350μm Sic 3C-N Typ Wysoka wytrzymałość mechaniczna

Uzyskaj najlepszą cenę

SiC Seed Wafer 4H N Type Dia 153 155 2c-12c Dostosowany do produkcji MOSFETów

Uzyskaj najlepszą cenę

4 5 6 7 8 9 10 11

Wafel azotowy galu

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

GaAs Wafer

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

Wafel azotowy galu

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

GaAs Wafer

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

Wafel azotowy galu

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

GaAs Wafer

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

[sic substrate ]

Wafel azotowy galu

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

GaAs Wafer

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

8-calowa wafle epitaksjalne SiC, średnica 200mm, grubość 500µm, typ 4H-N

2 cali Sic Substrat węglanu krzemowego 3C-N Typ 50.8 mm średnica Produkcja klasy badawczej klasy fałszywej

2 cale 3 cale 4 cale 6 cale Płytki epitaksjalne SiC 4H-N klasy produkcyjnej

6-calowa wafle epitaksjalne SiC o średnicy 150 mm, typ 4H-N, typ 4H-P, do komunikacji 5G

Substrat węglowodorów krzemowych 4'' Sic 3C-N Prężnica 100 mm Przewodzący Typ Zero MPD

2-calowa średnica 50,8 mm 4H-N typu SiC epitaksjalna płytka dla czujników wysokotemperaturowych

4-calowa płytka węglowodorowa silikonowa 6H-P grubość 350 μm Zero / Prime Grade Dummy Grade

4-calowa płytka SiC Epitaxial 4H-N średnica 100 mm grubość 350 μm Prime Grade

2 cali 4H-P SIC Wafer z węglanu krzemowego dla fotowoltaiki Grubość 350 μm Średnica 50,8 mm Zero Grade

4-calowa płytka Silicon Carbide Sic typu 4H-P średnica 100 mm grubość 350 μm Prime Grade Research Grade

5*5mm/10*10mm Grubość płytki węglowodorku krzemowego 350μm Sic 3C-N Typ Wysoka wytrzymałość mechaniczna

SiC Seed Wafer 4H N Type Dia 153 155 2c-12c Dostosowany do produkcji MOSFETów

55mm/1010mm Grubość płytki węglowodorku krzemowego 350μm Sic 3C-N Typ Wysoka wytrzymałość mechaniczna