szczegółowe informacje o produktach

Dom Produkty

Sic Substrat węglowodorów krzemowych 5,0*5,0 mm kwadrat 6H-P grubość 350μm Zero Grade Dummy Grade

Nazwa marki:	ZMSH
Numer modelu:	6H-P SiC
MOQ:	10 procent
Cena £:	by case
Czas dostawy:	za 30 dni
Warunki płatności:	T/T

Szczegółowe informacje

Opis produktu

Szczegółowe informacje

Miejsce pochodzenia:

Chiny

Orzecznictwo:

rohs

Twardota powierzchni:

HV0,3>2500

gęstość:

3,21 G/cm3

Współczynnik rozszerzalności cieplnej:

4,5 X 10-6/K

Stała dielektryczna:

9.7

Wytrzymałość na rozciąganie:

>400 MPa

Materiał:

Monokryształ SiC

Wielkość:

5.0*5.0mm

Napięcie przebicia:

5,5 MV/cm

Szczegóły pakowania:

spersonalizowane pudełko plastikowe

Możliwość Supply:

1000 szt./miesiąc

Podkreślić:

Substrat z węglanu krzemowego Sic klasy zerowej

350 μm Sic Substrat z węglanu krzemowego

5.0*5.0mm Sic Substrat z węglanu krzemowego

Opis produktu

Opis produktu:

Sic Substrat węglowodorów krzemowych 5,0*5,0 mm kwadrat 6H-P grubość 350μm Zero Grade Dummy Grade

6H-SiC (Hexagonal Silicon Carbide) jest szerokopasmowym materiałem półprzewodnikowym o dobrej przewodności cieplnej i wysokiej odporności na temperaturę,który jest szeroko stosowany w urządzeniach elektronicznych o dużej mocy i wysokiej częstotliwościDoping typu P osiąga się poprzez wprowadzenie takich pierwiastków jak aluminium (Al), co czyni materiał elektropozytywnym i odpowiednim do określonych konstrukcji urządzeń elektronicznych.który nadaje się do pracy w środowiskach o wysokiej temperaturze i wysokim napięciuPrzewodność cieplna jest lepsza niż w przypadku wielu tradycyjnych materiałów półprzewodnikowych i pomaga poprawić wydajność urządzenia..

W dziedzinie elektroniki mocy może być stosowany do produkcji urządzeń o wysokiej wydajności, takich jak MOSFET i IGBT.ma doskonałą wydajność w zastosowaniach o wysokiej częstotliwości i jest szeroko stosowany w sprzęcie komunikacyjnymW dziedzinie technologii LED można go wykorzystać jako materiał podstawowy do urządzeń LED niebieskiego i ultrafioletowego.

Charakterystyka:

·Próżnia szerokopasmowa: Próżnia pasmowa wynosi około 3,0 eV, co sprawia, że nadaje się do zastosowań o wysokiej temperaturze, wysokim napięciu i wysokiej częstotliwości.

·Doskonała przewodność cieplna: Dzięki dobrej przewodności cieplnej pomaga rozpraszać ciepło, poprawia wydajność i niezawodność urządzenia.

·Wysoka wytrzymałość i twardość: wysoka wytrzymałość mechaniczna, odporność na rozdrobnienie i zużycie, nadająca się do stosowania w trudnych warunkach.

·Mobilność elektronów: doping typu P nadal utrzymuje stosunkowo wysoką mobilność nośnika, wspierając wydajne urządzenia elektroniczne.

·Właściwości optyczne: Z wyjątkowymi właściwościami optycznymi, odpowiednie do dziedzin optoelektroniki, takich jak diody LED i lasery.

·Stabilność chemiczna: dobra odporność na korozję chemiczną, odpowiednia do trudnych warunków pracy.

·Duża zdolność adaptacyjna: można go łączyć z różnymi materiałami podłoża, nadającym się do różnych scenariuszy zastosowań.

Parametry techniczne:

Zastosowanie:

·Elektronika mocy: Używana do produkcji urządzeń o wysokiej wydajności, takich jak MOSFET i IGBT, które są szeroko stosowane w konwerterach częstotliwości, zarządzaniu energią i pojazdach elektrycznych.
·Urządzenia RF i mikrofalowe: stosowane w wzmacniaczach wysokiej częstotliwości, wzmacniaczach mocy RF, odpowiednie do systemów komunikacyjnych i radarowych.

·Optoelektronika: Używana jako podłoże w diodach LED i laserach, zwłaszcza w błękitnych i ultrafioletowych zastosowaniach.

·Czujniki wysokiej temperatury: ze względu na dobrą stabilność termiczną nadają się do czujników wysokiej temperatury i urządzeń monitorowania.

·Energia słoneczna i systemy energetyczne: stosowane w falownikach słonecznych i innych zastosowaniach energii odnawialnej w celu poprawy efektywności konwersji energii.

·Elektronika samochodowa: optymalizacja wydajności i oszczędność energii w systemie zasilania pojazdów elektrycznych i hybrydowych.

·Przemysłowy sprzęt elektryczny: moduły zasilania dla szerokiej gamy sprzętu i maszyn automatyki przemysłowej w celu poprawy efektywności energetycznej i niezawodności.

Dostosowanie:

Nasz substrat SiC jest dostępny w typie 6H-P i jest certyfikowany RoHS. Minimalna ilość zamówienia wynosi 10 p.p. a cena zależy od przypadku.Czas dostawy jest w ciągu 30 dni i akceptujemy warunki płatności T / TNasza zdolność dostaw to 1000 sztuk/miesiąc.50,0*5,0 mmMiejsce pochodzenia to Chiny.

Nasze usługi

1- bezpośrednia produkcja i sprzedaż.

2Szybkie, dokładne cytaty.

3Odpowiemy w ciągu 24 godzin roboczych.

4. ODM: Dostępny jest zamówiony projekt.

5Szybkość i cenna dostawa.

Częste pytania

P1: Czy firma jest fabryką lub przedsiębiorstwem handlowym?

Jesteśmy fabryką i możemy również sami eksportować.

P2.Gdzie znajduje się siedziba Państwa przedsiębiorstwa?
Nasza firma znajduje się w Szanghaju, w Chinach.

Ile czasu zajmie dostawanie produktów?
Zazwyczaj przetwarzanie potrwa 3~4 tygodnie. To zależy od wielkości produktów.

Tagi:

Wafel azotowy galu

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Maszyna do piły drutowej

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

GaAs Wafer

Wafel azotowy galu

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Maszyna do piły drutowej

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

GaAs Wafer

szczegółowe informacje o produktach

Sic Substrat węglowodorów krzemowych 5,0*5,0 mm kwadrat 6H-P grubość 350μm Zero Grade Dummy Grade

Substrat z węglanu krzemowego Sic klasy zerowej

350 μm Sic Substrat z węglanu krzemowego

5.0*5.0mm Sic Substrat z węglanu krzemowego

Opis produktu:

Charakterystyka:

Parametry techniczne:

Zastosowanie:

Dostosowanie:

Nasze usługi

Częste pytania

wafel sic

substrat sic

podłoże z węglika krzemu

4H-N Type SiC Substrate 10x10mm Wafer for Power Electronics

4H Silicon Carbide Substrate for Power Electronics, RF Devices & UV Optoelectronics