Produkty

Dom > Produkty > Podłoże SiC > Sic Substrat węglowodorów krzemowych 5,0*5,0 mm kwadrat 6H-P grubość 350μm Zero Grade Dummy Grade

Kategorie

Opakowanie laboratoryjne

(21)

Kontakty

Kontakty: Mr. Wang

TEL:: 86-1580-1942596

Skontaktuj się teraz

Wyślij nam wiadomość.

Sic Substrat węglowodorów krzemowych 5,0*5,0 mm kwadrat 6H-P grubość 350μm Zero Grade Dummy Grade

Name: Sic Substrat węglowodorów krzemowych 5,0*5,0 mm kwadrat 6H-P grubość 350μm Zero Grade Dummy Grade
Brand: SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD
SKU: 6H-P SiC
Price: negocjowalne USD
Availability: InStock

Szczegóły Produktu

Miejsce pochodzenia: Chiny

Nazwa handlowa: ZMSH

Orzecznictwo: rohs

Numer modelu: 6H-P SiC

Warunki płatności i wysyłki

Minimalne zamówienie: 10 procent

Cena: by case

Szczegóły pakowania: spersonalizowane pudełko plastikowe

Czas dostawy: za 30 dni

Zasady płatności: T/T

Możliwość Supply: 1000 szt./miesiąc

Uzyskaj najlepszą cenę

Szczegóły Produktu

Opis produktu

Podkreślić: 
                                                                                                                                                                                                                                                                                                                Substrat z węglanu krzemowego Sic klasy zerowej, 350 μm Sic Substrat z węglanu krzemowego, 5.0*5.0mm Sic Substrat z węglanu krzemowego
                              

Twardota powierzchni:	HV0,3>2500	gęstość:	3,21 G/cm3
Współczynnik rozszerzalności cieplnej:	4,5 X 10-6/K	Stała dielektryczna:	9.7
Wytrzymałość na rozciąganie:	>400 MPa	Materiał:	Monokryształ SiC
Wielkość:	5.0*5.0mm	Napięcie przebicia:	5,5 MV/cm

Twardota powierzchni:	HV0,3>2500
gęstość:	3,21 G/cm3
Współczynnik rozszerzalności cieplnej:	4,5 X 10-6/K
Stała dielektryczna:	9.7
Wytrzymałość na rozciąganie:	>400 MPa
Materiał:	Monokryształ SiC
Wielkość:	5.0*5.0mm
Napięcie przebicia:	5,5 MV/cm

Sic Substrat węglowodorów krzemowych 5,0*5,0 mm kwadrat 6H-P grubość 350μm Zero Grade Dummy Grade

Opis produktu:

Sic Substrat węglowodorów krzemowych 5,0*5,0 mm kwadrat 6H-P grubość 350μm Zero Grade Dummy Grade

6H-SiC (Hexagonal Silicon Carbide) jest szerokopasmowym materiałem półprzewodnikowym o dobrej przewodności cieplnej i wysokiej odporności na temperaturę,który jest szeroko stosowany w urządzeniach elektronicznych o dużej mocy i wysokiej częstotliwościDoping typu P osiąga się poprzez wprowadzenie takich pierwiastków jak aluminium (Al), co czyni materiał elektropozytywnym i odpowiednim do określonych konstrukcji urządzeń elektronicznych.który nadaje się do pracy w środowiskach o wysokiej temperaturze i wysokim napięciuPrzewodność cieplna jest lepsza niż w przypadku wielu tradycyjnych materiałów półprzewodnikowych i pomaga poprawić wydajność urządzenia..

W dziedzinie elektroniki mocy może być stosowany do produkcji urządzeń o wysokiej wydajności, takich jak MOSFET i IGBT.ma doskonałą wydajność w zastosowaniach o wysokiej częstotliwości i jest szeroko stosowany w sprzęcie komunikacyjnymW dziedzinie technologii LED można go wykorzystać jako materiał podstawowy do urządzeń LED niebieskiego i ultrafioletowego.

Charakterystyka:

·Próżnia szerokopasmowa: Próżnia pasmowa wynosi około 3,0 eV, co sprawia, że nadaje się do zastosowań o wysokiej temperaturze, wysokim napięciu i wysokiej częstotliwości.

·Doskonała przewodność cieplna: Dzięki dobrej przewodności cieplnej pomaga rozpraszać ciepło, poprawia wydajność i niezawodność urządzenia.

·Wysoka wytrzymałość i twardość: wysoka wytrzymałość mechaniczna, odporność na rozdrobnienie i zużycie, nadająca się do stosowania w trudnych warunkach.

·Mobilność elektronów: doping typu P nadal utrzymuje stosunkowo wysoką mobilność nośnika, wspierając wydajne urządzenia elektroniczne.

·Właściwości optyczne: Z wyjątkowymi właściwościami optycznymi, odpowiednie do dziedzin optoelektroniki, takich jak diody LED i lasery.

·Stabilność chemiczna: dobra odporność na korozję chemiczną, odpowiednia do trudnych warunków pracy.

·Duża zdolność adaptacyjna: można go łączyć z różnymi materiałami podłoża, nadającym się do różnych scenariuszy zastosowań.

Parametry techniczne:

Zastosowanie:

·Elektronika mocy: Używana do produkcji urządzeń o wysokiej wydajności, takich jak MOSFET i IGBT, które są szeroko stosowane w konwerterach częstotliwości, zarządzaniu energią i pojazdach elektrycznych.
·Urządzenia RF i mikrofalowe: stosowane w wzmacniaczach wysokiej częstotliwości, wzmacniaczach mocy RF, odpowiednie do systemów komunikacyjnych i radarowych.

·Optoelektronika: Używana jako podłoże w diodach LED i laserach, zwłaszcza w błękitnych i ultrafioletowych zastosowaniach.

·Czujniki wysokiej temperatury: ze względu na dobrą stabilność termiczną nadają się do czujników wysokiej temperatury i urządzeń monitorowania.

·Energia słoneczna i systemy energetyczne: stosowane w falownikach słonecznych i innych zastosowaniach energii odnawialnej w celu poprawy efektywności konwersji energii.

·Elektronika samochodowa: optymalizacja wydajności i oszczędność energii w systemie zasilania pojazdów elektrycznych i hybrydowych.

·Przemysłowy sprzęt elektryczny: moduły zasilania dla szerokiej gamy sprzętu i maszyn automatyki przemysłowej w celu poprawy efektywności energetycznej i niezawodności.

Dostosowanie:

Nasz substrat SiC jest dostępny w typie 6H-P i jest certyfikowany RoHS. Minimalna ilość zamówienia wynosi 10 p.p. a cena zależy od przypadku.Czas dostawy jest w ciągu 30 dni i akceptujemy warunki płatności T / TNasza zdolność dostaw to 1000 sztuk/miesiąc.50,0*5,0 mmMiejsce pochodzenia to Chiny.

Nasze usługi

1- bezpośrednia produkcja i sprzedaż.

2Szybkie, dokładne cytaty.

3Odpowiemy w ciągu 24 godzin roboczych.

4. ODM: Dostępny jest zamówiony projekt.

5Szybkość i cenna dostawa.

Częste pytania

P1: Czy firma jest fabryką lub przedsiębiorstwem handlowym?

Jesteśmy fabryką i możemy również sami eksportować.

P2.Gdzie znajduje się siedziba Państwa przedsiębiorstwa?
Nasza firma znajduje się w Szanghaju, w Chinach.

Ile czasu zajmie dostawanie produktów?
Zazwyczaj przetwarzanie potrwa 3~4 tygodnie. To zależy od wielkości produktów.

Tags:

12 cali średnica 300 mm SIC Substrat Epitaxial Polerowana płytka silikonowa węglowodorkowa ingot Prime Grade 4H-N Typ przewodzący słoneczny fotowoltaiczny

Uzyskaj najlepszą cenę

2-calowa 4-calowa 6-calowa 8-calowa 12-calowa płytka silikonowa SiC 4H-N Dummy Grade Rrime Grade High Hardness Materiały półprzewodnikowe

Uzyskaj najlepszą cenę

2 cali/4 cali/6 cali/5,05,0 mm/10,010,0 mm Sic Substrat węglanu krzemowego typ 3C-N Na osi: < 111 > ± 0,5° Poziom produkcji Poziom fałszywy

Uzyskaj najlepszą cenę

2 cali 4 cali 6 cali Sic Substrat z węglowodorem krzemowym 6H Wysoki P-doped Typ od osi 4.0° w kierunku Prime Grade Dummy Grade

Uzyskaj najlepszą cenę

Wafel azotowy galu

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

Wafel indofosforowy

Szafirowe części

Sapphire Cover Glass

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

GaAs Wafer

Syntetyczny Sapphire Rod

IC Wafel silikonowy

Topiona płyta kwarcowa

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

Sic Substrat węglowodorów krzemowych 5,0*5,0 mm kwadrat 6H-P grubość 350μm Zero Grade Dummy Grade

Substrat z węglanu krzemowego Sic klasy zerowej

350 μm Sic Substrat z węglanu krzemowego

5.0*5.0mm Sic Substrat z węglanu krzemowego

Opis produktu:

Charakterystyka:

Parametry techniczne:

Zastosowanie:

Dostosowanie:

Nasze usługi

Częste pytania

wafel sic,

substrat sic,

Wafel azotowy galu

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

Wafel indofosforowy

Szafirowe części

Sapphire Cover Glass