

Dom

O nas

profil firmy

Wycieczka po fabryce

Kontrola jakości

Często zadawane pytania

Produkty

Wafel azotowy galu

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

GaAs Wafer

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

rozwiązania

Blog

Skontaktuj się z nami

Zakupy

zacytować

Dobra cena w Internecie

szczegółowe informacje o produktach

Dom Produkty

2 cali 4H-P SIC Wafer z węglanu krzemowego dla fotowoltaiki Grubość 350 μm Średnica 50,8 mm Zero Grade

2 cali 4H-P SIC Wafer z węglanu krzemowego dla fotowoltaiki Grubość 350 μm Średnica 50,8 mm Zero Grade

2 cali 4H-P SIC Wafer z węglanu krzemowego dla fotowoltaiki Grubość 350 μm Średnica 50,8 mm Zero Grade

Nazwa marki:	ZMSH
Numer modelu:	4H-P SiC
MOQ:	10 procent
Cena £:	by case
Czas dostawy:	za 30 dni
Warunki płatności:	T/T

Szczegółowe informacje

Szczegółowe informacje

Miejsce pochodzenia:

Chiny

Orzecznictwo:

rohs

Twardota powierzchni:

HV0,3>2500

gęstość:

3,21 G/cm3

Współczynnik rozszerzalności cieplnej:

4,5 X 10-6/K

Stała dielektryczna:

9.7

Wytrzymałość na rozciąganie:

>400 MPa

Materiał:

Monokryształ SiC

Wielkość:

2 cale

Napięcie przebicia:

5,5 MV/cm

Szczegóły pakowania:

spersonalizowane pudełko plastikowe

Możliwość Supply:

1000 szt./miesiąc

Podkreślić:

Płytka z węglem krzemowym 350 μm Sic

,

Płytki z węglowodorów krzemowych

,

50.8mm SIC Silicon Carbide Wafer

Opis produktu

Opis produktu:

2 cali 4H-P SIC Wafer z węglanu krzemowego dla fotowoltaiki Grubość 350 μm Średnica 50,8 mm Zero Grade

Karbid krzemu 4H-P (SiC) jest ważnym materiałem półprzewodnikowym powszechnie stosowanym w urządzeniach elektronicznych o wysokiej temperaturze, wysokiej częstotliwości i wysokiej mocy.4H-SiC jest typem jego struktury krystalicznej, która ma strukturę sześciokątnej siatkiDuża przepustowość (około 3,26 eV) pozwala na działanie w środowiskach o wysokiej temperaturze i wysokim napięciu.może skutecznie kierować i rozpraszać ciepłoWysoka przewodność cieplna (około 4,9 W/m·K), lepsza od krzemu, może skutecznie prowadzić i rozpraszać ciepło.Karbid krzemowy dopowany typu P ma niską rezystywność i nadaje się do budowy połączeń PNWraz z rozwojem pojazdów elektrycznych i technologii odnawialnych źródeł energii oczekuje się, że popyt na węglik krzemowy typu 4H-P będzie nadal rosnąć.prowadzenie powiązanych badań i postępów technologicznych.

Charakterystyka:

· Typ: kryształ 4H-SiC ma sześciokątną strukturę siatki i zapewnia doskonałe właściwości elektryczne.

· Szeroki przepływ: około 3,26 eV dla zastosowań o wysokiej temperaturze i wysokiej częstotliwości.

· Doping typu P: Przewodność typu P uzyskuje się za pomocą pierwiastków dopingowych, takich jak aluminium, zwiększających stężenie przewodników porów.

· Rezystywność: Niska rezystywność, nadająca się do urządzeń o dużej mocy.

· Wysoka przewodność cieplna: ok. 4,9 W/m·K, skuteczne rozpraszanie ciepła, odpowiednie do zastosowań o dużej gęstości mocy.

· Odporność na wysokie temperatury: może stabilnie pracować w środowisku o wysokiej temperaturze.

· Wysoka twardość: Bardzo wysoka wytrzymałość mechaniczna i wytrzymałość w trudnych warunkach.

· Wysokie napięcie awaryjne: może wytrzymać wyższe napięcia i zmniejszyć rozmiar urządzenia.

· Niska strata przełączania: Dobre właściwości przełączania w pracy o wysokiej częstotliwości w celu poprawy wydajności.
· Odporność na korozję: Dobra odporność na korozję na szeroki zakres substancji chemicznych.

· Szeroki zakres zastosowań: nadaje się do pojazdów elektrycznych, falowników, wzmacniaczy dużych mocy i innych dziedzin.

2 cali 4H-P SIC Wafer z węglanu krzemowego dla fotowoltaiki Grubość 350 μm Średnica 50,8 mm Zero Grade 2

2 cali 4H-P SIC Wafer z węglanu krzemowego dla fotowoltaiki Grubość 350 μm Średnica 50,8 mm Zero Grade 3

Parametry techniczne:

2 cali 4H-P SIC Wafer z węglanu krzemowego dla fotowoltaiki Grubość 350 μm Średnica 50,8 mm Zero Grade 4

Zastosowanie:

1Elektronika mocy
Konwertery mocy: do wydajnych adapterów mocy i inwerterów o mniejszych rozmiarach i wyższej wydajności energetycznej.
Pojazdy elektryczne: zoptymalizować efektywność konwersji mocy w modułach napędowych i stacjach ładowania pojazdów elektrycznych.

2. Urządzenia RF
Wzmacniacze mikrofalowe: Używane w systemach komunikacyjnych i radarowych w celu zapewnienia niezawodnej wysokiej częstotliwości.
Komunikacja satelitarna: wzmacniacz o dużej mocy dla satelitów komunikacyjnych.

3. Aplikacje w wysokiej temperaturze
Czujnik: czujnik stosowany w środowiskach o ekstremalnej temperaturze, zdolny do stabilnej pracy.
Sprzęt przemysłowy: sprzęt i instrumenty przystosowane do warunków wysokiej temperatury.

4. Optoelektronika
Technologia LED: Używana do poprawy wydajności świetlnej w określonych diodach LED o krótkiej długości fali.
Lasery: Efektywne zastosowania laserowe.

5System zasilania
Inteligentna sieć: Poprawa efektywności energetycznej i stabilności w zakresie przesyłu i zarządzania siecią prądu stałego wysokiego napięcia (HVDC).

6Elektronika użytkowa
Urządzenie szybkiego ładowania: Przenośne ładowarki do urządzeń elektronicznych, które zwiększają wydajność ładowania.

7. Energia odnawialna
Inwerter słoneczny: osiągnięcie większej efektywności konwersji energii w systemach fotowoltaicznych.

2 cali 4H-P SIC Wafer z węglanu krzemowego dla fotowoltaiki Grubość 350 μm Średnica 50,8 mm Zero Grade 5

Dostosowanie:

Nasz substrat SiC jest dostępny w typie 4H-P i jest certyfikowany RoHS. Minimalna ilość zamówienia wynosi 10 p.p. a cena jest według przypadku.Czas dostawy jest w ciągu 30 dni i akceptujemy warunki płatności T / TNasza zdolność dostaw to 1000 sztuk/miesiąc.

Nasze usługi

1- bezpośrednia produkcja i sprzedaż.

2Szybkie, dokładne cytaty.

3Odpowiemy w ciągu 24 godzin roboczych.

4. ODM: Dostępny jest zamówiony projekt.

5Szybkość i cenna dostawa.

Częste pytania:
P: Jaki jest sposób wysyłki i koszt?
A: ((1) Akceptujemy DHL, Fedex, EMS itp.
(2) Jeśli masz własne konto ekspresowe, to świetnie. Jeśli nie, możemy pomóc Ci je wysłać.
Ładunek jest zgodny z faktycznym rozliczeniem.

P: Jak zapłacić?
A:50% depozyt, pozostawione 50% przed dostawą T/T, Paypal.

P: Jaki jest MOQ?
A: (1) W przypadku zapasów, MOQ wynosi 10 sztuk.
(2) W przypadku produktów spersonalizowanych MOQ wynosi 25 sztuk.

P: Jaki jest czas dostawy?
A: (1) W przypadku produktów standardowych
W przypadku zapasów: dostawa następuje 5 dni roboczych od złożenia zamówienia.
W przypadku produktów na zamówienie: dostawa następuje 2 lub 3 tygodnie po złożeniu zamówienia.

Tagi:

wafel sic

substrat sic

podłoże z węglika krzemu

ZAŁĄCZONE PRODUKTY

HPSI SiC Wafer 2-12 cali klasy optycznej dla okularów AI/AR

HPSI SiC Wafer 2-12 cali klasy optycznej dla okularów AI/AR

Uzyskaj najlepszą cenę

Dwustronny wypolerowany wysokiej czystości lustro SiC składnik optyczny do lustrzanki MEMS

wideo

Dwustronny wypolerowany wysokiej czystości lustro SiC składnik optyczny do lustrzanki MEMS

Uzyskaj najlepszą cenę