logo
SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD
Dom ProduktyPodłoże SiC

2 cali 4H-P SIC Wafer z węglanu krzemowego dla fotowoltaiki Grubość 350 μm Średnica 50,8 mm Zero Grade

Wszystkie produkty
Wafel azotowy galu (35)
Szafirowy opłatek (88)
Podłoże SiC (132)
Sapphire Optical Windows (77)
IC Wafel silikonowy (22)
Syntetyczny Sapphire Rod (13)
Topiona płyta kwarcowa (40)
Szafirowe części (114)
Syntetyczny kamień szlachetny (72)
Sprzęt półprzewodnikowy (55)
Wafel LiNbO3 (18)
GaAs Wafer (24)
Wafel indofosforowy (34)
Podłoże ceramiczne (25)
Opakowanie laboratoryjne (31)
Im Online Czat teraz

2 cali 4H-P SIC Wafer z węglanu krzemowego dla fotowoltaiki Grubość 350 μm Średnica 50,8 mm Zero Grade

2Inch 4H-P SIC Silicon Carbide Wafer For Photovoltaics Thickness 350μm Diameter 50.8mm Zero Grade
2Inch 4H-P SIC Silicon Carbide Wafer For Photovoltaics Thickness 350μm Diameter 50.8mm Zero Grade 2Inch 4H-P SIC Silicon Carbide Wafer For Photovoltaics Thickness 350μm Diameter 50.8mm Zero Grade 2Inch 4H-P SIC Silicon Carbide Wafer For Photovoltaics Thickness 350μm Diameter 50.8mm Zero Grade 2Inch 4H-P SIC Silicon Carbide Wafer For Photovoltaics Thickness 350μm Diameter 50.8mm Zero Grade 2Inch 4H-P SIC Silicon Carbide Wafer For Photovoltaics Thickness 350μm Diameter 50.8mm Zero Grade

Duży Obraz :  2 cali 4H-P SIC Wafer z węglanu krzemowego dla fotowoltaiki Grubość 350 μm Średnica 50,8 mm Zero Grade

Szczegóły Produktu:
Miejsce pochodzenia: Chiny
Nazwa handlowa: ZMSH
Orzecznictwo: rohs
Numer modelu: 4H-P SiC
Zapłata:
Minimalne zamówienie: 10 procent
Cena: by case
Szczegóły pakowania: spersonalizowane pudełko plastikowe
Czas dostawy: za 30 dni
Zasady płatności: T/T
Możliwość Supply: 1000 szt./miesiąc
Kontakt
Szczegółowy opis produktu
Twardota powierzchni: HV0,3>2500 gęstość: 3,21 G/cm3
Współczynnik rozszerzalności cieplnej: 4,5 X 10-6/K Stała dielektryczna: 9.7
Wytrzymałość na rozciąganie: >400 MPa Materiał: Monokryształ SiC
Wielkość: 2 cale Napięcie przebicia: 5,5 MV/cm
Podkreślić:

Płytka z węglem krzemowym 350 μm Sic

,

Płytki z węglowodorów krzemowych

,

50.8mm SIC Silicon Carbide Wafer

Opis produktu:

2 cali 4H-P SIC Wafer z węglanu krzemowego dla fotowoltaiki Grubość 350 μm Średnica 50,8 mm Zero Grade

Karbid krzemu 4H-P (SiC) jest ważnym materiałem półprzewodnikowym powszechnie stosowanym w urządzeniach elektronicznych o wysokiej temperaturze, wysokiej częstotliwości i wysokiej mocy.4H-SiC jest typem jego struktury krystalicznej, która ma strukturę sześciokątnej siatkiDuża przepustowość (około 3,26 eV) pozwala na działanie w środowiskach o wysokiej temperaturze i wysokim napięciu.może skutecznie kierować i rozpraszać ciepłoWysoka przewodność cieplna (około 4,9 W/m·K), lepsza od krzemu, może skutecznie prowadzić i rozpraszać ciepło.Karbid krzemowy dopowany typu P ma niską rezystywność i nadaje się do budowy połączeń PNWraz z rozwojem pojazdów elektrycznych i technologii odnawialnych źródeł energii oczekuje się, że popyt na węglik krzemowy typu 4H-P będzie nadal rosnąć.prowadzenie powiązanych badań i postępów technologicznych.

2 cali 4H-P SIC Wafer z węglanu krzemowego dla fotowoltaiki Grubość 350 μm Średnica 50,8 mm Zero Grade 02 cali 4H-P SIC Wafer z węglanu krzemowego dla fotowoltaiki Grubość 350 μm Średnica 50,8 mm Zero Grade 1

Charakterystyka:

· Typ: kryształ 4H-SiC ma sześciokątną strukturę siatki i zapewnia doskonałe właściwości elektryczne.

· Szeroki przepływ: około 3,26 eV dla zastosowań o wysokiej temperaturze i wysokiej częstotliwości.

· Doping typu P: Przewodność typu P uzyskuje się za pomocą pierwiastków dopingowych, takich jak aluminium, zwiększających stężenie przewodników porów.

· Rezystywność: Niska rezystywność, nadająca się do urządzeń o dużej mocy.

· Wysoka przewodność cieplna: ok. 4,9 W/m·K, skuteczne rozpraszanie ciepła, odpowiednie do zastosowań o dużej gęstości mocy.

· Odporność na wysokie temperatury: może stabilnie pracować w środowisku o wysokiej temperaturze.

· Wysoka twardość: Bardzo wysoka wytrzymałość mechaniczna i wytrzymałość w trudnych warunkach.

· Wysokie napięcie awaryjne: może wytrzymać wyższe napięcia i zmniejszyć rozmiar urządzenia.

· Niska strata przełączania: Dobre właściwości przełączania w pracy o wysokiej częstotliwości w celu poprawy wydajności.
· Odporność na korozję: Dobra odporność na korozję na szeroki zakres substancji chemicznych.

· Szeroki zakres zastosowań: nadaje się do pojazdów elektrycznych, falowników, wzmacniaczy dużych mocy i innych dziedzin.

2 cali 4H-P SIC Wafer z węglanu krzemowego dla fotowoltaiki Grubość 350 μm Średnica 50,8 mm Zero Grade 22 cali 4H-P SIC Wafer z węglanu krzemowego dla fotowoltaiki Grubość 350 μm Średnica 50,8 mm Zero Grade 3

Parametry techniczne:

2 cali 4H-P SIC Wafer z węglanu krzemowego dla fotowoltaiki Grubość 350 μm Średnica 50,8 mm Zero Grade 4

Zastosowanie:

1Elektronika mocy
Konwertery mocy: do wydajnych adapterów mocy i inwerterów o mniejszych rozmiarach i wyższej wydajności energetycznej.
Pojazdy elektryczne: zoptymalizować efektywność konwersji mocy w modułach napędowych i stacjach ładowania pojazdów elektrycznych.

2. Urządzenia RF
Wzmacniacze mikrofalowe: Używane w systemach komunikacyjnych i radarowych w celu zapewnienia niezawodnej wysokiej częstotliwości.
Komunikacja satelitarna: wzmacniacz o dużej mocy dla satelitów komunikacyjnych.

3. Aplikacje w wysokiej temperaturze
Czujnik: czujnik stosowany w środowiskach o ekstremalnej temperaturze, zdolny do stabilnej pracy.
Sprzęt przemysłowy: sprzęt i instrumenty przystosowane do warunków wysokiej temperatury.

4. Optoelektronika
Technologia LED: Używana do poprawy wydajności świetlnej w określonych diodach LED o krótkiej długości fali.
Lasery: Efektywne zastosowania laserowe.

5System zasilania
Inteligentna sieć: Poprawa efektywności energetycznej i stabilności w zakresie przesyłu i zarządzania siecią prądu stałego wysokiego napięcia (HVDC).

6Elektronika użytkowa
Urządzenie szybkiego ładowania: Przenośne ładowarki do urządzeń elektronicznych, które zwiększają wydajność ładowania.

7. Energia odnawialna
Inwerter słoneczny: osiągnięcie większej efektywności konwersji energii w systemach fotowoltaicznych.

2 cali 4H-P SIC Wafer z węglanu krzemowego dla fotowoltaiki Grubość 350 μm Średnica 50,8 mm Zero Grade 5

Dostosowanie:

Nasz substrat SiC jest dostępny w typie 4H-P i jest certyfikowany RoHS. Minimalna ilość zamówienia wynosi 10 p.p. a cena jest według przypadku.Czas dostawy jest w ciągu 30 dni i akceptujemy warunki płatności T / TNasza zdolność dostaw to 1000 sztuk/miesiąc.

2 cali 4H-P SIC Wafer z węglanu krzemowego dla fotowoltaiki Grubość 350 μm Średnica 50,8 mm Zero Grade 6

Nasze usługi

1- bezpośrednia produkcja i sprzedaż.

2Szybkie, dokładne cytaty.

3Odpowiemy w ciągu 24 godzin roboczych.

4. ODM: Dostępny jest zamówiony projekt.

5Szybkość i cenna dostawa.

Częste pytania:
P: Jaki jest sposób wysyłki i koszt?
A: ((1) Akceptujemy DHL, Fedex, EMS itp.
(2) Jeśli masz własne konto ekspresowe, to świetnie. Jeśli nie, możemy pomóc Ci je wysłać.
Ładunek jest zgodny z faktycznym rozliczeniem.

P: Jak zapłacić?
A:50% depozyt, pozostawione 50% przed dostawą T/T, Paypal.

P: Jaki jest MOQ?
A: (1) W przypadku zapasów, MOQ wynosi 10 sztuk.
(2) W przypadku produktów spersonalizowanych MOQ wynosi 25 sztuk.

P: Jaki jest czas dostawy?
A: (1) W przypadku produktów standardowych
W przypadku zapasów: dostawa następuje 5 dni roboczych od złożenia zamówienia.
W przypadku produktów na zamówienie: dostawa następuje 2 lub 3 tygodnie po złożeniu zamówienia.

Etykietka:

wafel sic,

substrat sic,

podłoże z węglika krzemu

Szczegóły kontaktu
SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

Osoba kontaktowa: Mr. Wang

Tel: +8615801942596

Wyślij zapytanie bezpośrednio do nas (0 / 3000)

Podłoże SiC

Wysokiej czystości niedomieszkowany wafel krzemowy z węglika krzemu, 6-calowy, półsic 4H-Sic z węglika krzemu

2-calowy 6H - Węglik spiekany o niskim poborze mocy dla detektora

4-calowy węglik spiekany z węglika krzemu o grubości 5 - 15 mm do półprzewodników

4H-SEMI Polished Sic Wafer lens 2 cale 3 cale 4 cale 9,0 twardość materiału urządzenia

Szafirowy opłatek

Semiconductor Wafer Custom Sapphire Glass / Sapphire Windows Special Orientation

Sapphire wafer Grubość 0,43 mm Sapphire Komponenty Niestandardowy rozmiar I orientacje

Kwadratowy szafirowy szkiełko / szafirowe szkło kryształowe 10x10mm 5x5mm dla soczewki optycznej

2 ° C C - Osi Syntetyczne szkło szafirowe Epi - gotowe podłoża 2-calowa średnica 50,8 mm

Wafel azotowy galu

Wyświetlacz projekcji laserowej Wafel z azotku galu GaN Grubość 350um

2-calowy, 4-calowy, wolnostojący szablon podłoża z azotku galu GaN dla diod LED

2-CALOWY 4-CALOWY szablon NPSS/FSS AlN na szafirowej płytce EPI AlN-On-Sapphire wafel

2-calowy 4-calowy azotek galu GaN AlN Wafel szablonowy na podłożach szafirowych i Si

Poprosić o wycenę

E-Mail | Mapy

Strona mobilna
Polityka prywatności | Chiny dobry Jakość Wafel azotowy galu dostawca. © 2018 - 2025 SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD. All Rights Reserved.