Wynik wyszukiwania

Dom Produkty sic substrate Producent internetowy

Wszystkie kategorie

Wafel azotowy galu

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

GaAs Wafer

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

Skontaktuj się z nami

Mr. Wang

eric_wang@zmsh-materials.com

+8615801942596

Skontaktuj się teraz

Twoje poszukiwania

[sic substrate ]

dopasowanie

261

Produkty

2cm 4cm 6cm 8cm 5×5 mm 10×10 mm 4H-SiC Substraty 3C-N Typ MOS

Uzyskaj najlepszą cenę

6calowy 4H-SEMI substrat SiC do okularów AR i urządzeń RF 5G

Uzyskaj najlepszą cenę

Podłoże 3C-SiC typu N klasy produktu do komunikacji 5G

Uzyskaj najlepszą cenę

4H-N Karbid Silikonowy SiC Substrat 2c 3c 4c 6c 8c 12c Prime Grade Dummy Grade

Uzyskaj najlepszą cenę

Substrat SiC o średnicy 6 cm, 8 cm, 4H-SEMI do okularów AR

Uzyskaj najlepszą cenę

Wafer z węglem krzemowym Sic Substrat 4H-P Typ od osi 4,0° do zera Stopień czujnika temperatury

Uzyskaj najlepszą cenę

rezystywność >1E7ohm.cm Podłoże SiC o niestandardowym kształcie

Uzyskaj najlepszą cenę

4H-N 4-calowy substrat SiC z azotku krzemu Podłoże atrapy SiC do urządzeń o dużej mocy

Uzyskaj najlepszą cenę

2 cali Sic Substrate 6H-N Typ Grubość 350um 650um Sic Wafer

Uzyskaj najlepszą cenę

Grubość 330um 4H-N Typ Podłoże SiC Klasa produkcyjna Dia50,8 mm 2 cale

Uzyskaj najlepszą cenę

2-calowy Dia 50,8 mm 4H-Semi SiC Substrate Pojedynczy kryształ klasy badawczej

Uzyskaj najlepszą cenę

Półizolujące podłoża SiC typu 4H-N 2-calowe 3-calowe 4-calowe płytki z węglika krzemu

Uzyskaj najlepszą cenę

12 cali średnica 300 mm SIC Substrat Epitaxial Polerowana płytka silikonowa węglowodorkowa ingot Prime Grade 4H-N Typ przewodzący słoneczny fotowoltaiczny

Uzyskaj najlepszą cenę

6 cali Dia 150mm 350um Grubość 4H N Typ SiC Podłoże do aplikacji SBD MOS

Uzyskaj najlepszą cenę

Podłoże o stałej dielektrycznej 9,7 i przewodności cieplnej 4,9 W/mK

Uzyskaj najlepszą cenę

dostosowane półizolacyjne podłoża SiC typu 4H-N 4-calowe 6-calowe wafle z węglika krzemu

Uzyskaj najlepszą cenę

1 2 3 4 5 6 7 8

Wyniki wyszukiwania

Dom Produkty sic substrate Producent internetowy

Wszystkie kategorie

Wafel azotowy galu

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

GaAs Wafer

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

Twoje poszukiwania [ sic substrate ] dopasowanie 261 Produkty

4H-N SiC podłoże Silicon Carbon Substrate Square 5mm*5mm Zindywidualizowana grubość 350um Prime Grade/ Dummy Grade

Uzyskaj najlepszą cenę

4 cali 4H-N Substrat SiC z węglem krzemowym Dia 100mm N typu Prime Grade Dummy Grade Grubość 350um

Uzyskaj najlepszą cenę

6 cali 4H-N Substrat SiC z węglem krzemowym Dia 150 mm Grubość 350um 500um N Typ Prime Grade Dummy Grade

Uzyskaj najlepszą cenę

3 cali HPSI SiC grubość podłoża 500um Prime Dummy Research Grade Translucent Optical Grade dla okularów AR

Uzyskaj najlepszą cenę

2cm 4cm 6cm 8cm 5×5 mm 10×10 mm 4H-SiC Substraty 3C-N Typ MOS

Uzyskaj najlepszą cenę

6calowy 4H-SEMI substrat SiC do okularów AR i urządzeń RF 5G

Uzyskaj najlepszą cenę

Podłoże 3C-SiC typu N klasy produktu do komunikacji 5G

Uzyskaj najlepszą cenę

4H-N Karbid Silikonowy SiC Substrat 2c 3c 4c 6c 8c 12c Prime Grade Dummy Grade

Uzyskaj najlepszą cenę

Substrat SiC o średnicy 6 cm, 8 cm, 4H-SEMI do okularów AR

Uzyskaj najlepszą cenę

Wafer z węglem krzemowym Sic Substrat 4H-P Typ od osi 4,0° do zera Stopień czujnika temperatury

Uzyskaj najlepszą cenę

rezystywność >1E7ohm.cm Podłoże SiC o niestandardowym kształcie

Uzyskaj najlepszą cenę

4H-N 4-calowy substrat SiC z azotku krzemu Podłoże atrapy SiC do urządzeń o dużej mocy

Uzyskaj najlepszą cenę

1 2 3 4 5 6 7 8

Wafel azotowy galu

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

GaAs Wafer

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

Wafel azotowy galu

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

GaAs Wafer

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

Wafel azotowy galu

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

GaAs Wafer

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

[sic substrate ]

Wafel azotowy galu

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

GaAs Wafer

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

4H-N SiC podłoże Silicon Carbon Substrate Square 5mm*5mm Zindywidualizowana grubość 350um Prime Grade/ Dummy Grade

4 cali 4H-N Substrat SiC z węglem krzemowym Dia 100mm N typu Prime Grade Dummy Grade Grubość 350um

6 cali 4H-N Substrat SiC z węglem krzemowym Dia 150 mm Grubość 350um 500um N Typ Prime Grade Dummy Grade

3 cali HPSI SiC grubość podłoża 500um Prime Dummy Research Grade Translucent Optical Grade dla okularów AR

2cm 4cm 6cm 8cm 5×5 mm 10×10 mm 4H-SiC Substraty 3C-N Typ MOS

6calowy 4H-SEMI substrat SiC do okularów AR i urządzeń RF 5G

​​Podłoże 3C-SiC typu N klasy produktu do komunikacji 5G​​

4H-N Karbid Silikonowy SiC Substrat 2c 3c 4c 6c 8c 12c Prime Grade Dummy Grade

Substrat SiC o średnicy 6 cm, 8 cm, 4H-SEMI do okularów AR

Wafer z węglem krzemowym Sic Substrat 4H-P Typ od osi 4,0° do zera Stopień czujnika temperatury

rezystywność >1E7ohm.cm Podłoże SiC o niestandardowym kształcie

4H-N 4-calowy substrat SiC z azotku krzemu Podłoże atrapy SiC do urządzeń o dużej mocy

Podłoże 3C-SiC typu N klasy produktu do komunikacji 5G