Wynik wyszukiwania

Dom Produkty sic substrate Producent internetowy

Wszystkie kategorie

Wafel azotowy galu

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

GaAs Wafer

Skontaktuj się z nami

Mr. Wang

eric_wang@zmsh-materials.com

+8615801942596

Skontaktuj się teraz

Twoje poszukiwania

[sic substrate ]

dopasowanie

263

Produkty

4-calowa płytka Silicon Carbide Sic typu 4H-P średnica 100 mm grubość 350 μm Prime Grade Research Grade

Uzyskaj najlepszą cenę

55mm/1010mm Grubość płytki węglowodorku krzemowego 350μm Sic 3C-N Typ Wysoka wytrzymałość mechaniczna

Uzyskaj najlepszą cenę

SiC Seed Wafer 4H N Type Dia 153 155 2c-12c Dostosowany do produkcji MOSFETów

Uzyskaj najlepszą cenę

2" InSb-Te EPI Substraty Wąskie pasmo Półprzewodników Substraty Hall Komponenty

Uzyskaj najlepszą cenę

2-calowa płytka z węglem krzemowym typu 4H-N dla urządzenia MOS Dia 0,4 mm

Uzyskaj najlepszą cenę

Dostosowany rozmiar Twardość podłoża z węglika krzemu 9,4 Sic Części do sprzętu

Uzyskaj najlepszą cenę

CVD SiC Epitaxy Wafer 2c 3c 4c 6c grubość epitaxy 2,5-120 um do zasilania elektronicznego

Uzyskaj najlepszą cenę

Płytki z chipami 4H-N SIC o niestandardowym rozmiarze 5x5mm 0,5x0,5mm

Uzyskaj najlepszą cenę

4H-N 4 cale 6 cali Sic Wafers Materiał półprzewodnikowy do urządzenia SBD MOS

Uzyskaj najlepszą cenę

12-calowy 300mm SiC Silicon Carbide Wafer 4H-N Typ Dummy Prime Research Grade Wielokrotne zastosowania

Uzyskaj najlepszą cenę

2-calowy 3-calowy Dia100m 4H-N typ Węglik krzemu do produkcji płytek półprzewodnikowych

Uzyskaj najlepszą cenę

SiC Ceramic Optical Path Board for Wafer Inspection Equipment Parallelism ≤0.02mm

Uzyskaj najlepszą cenę

4H-N As-Cut Wafel z węglika krzemu o grubości 0,5 mm do energoelektroniki

Uzyskaj najlepszą cenę

2 cali Sic Substrat z węglem krzemowym 6H Niska odporność Wysoki P-doped Typ średnica 50,8 mm

Uzyskaj najlepszą cenę

Wyniki badań na podstawie danych naukowych, które zostały przeprowadzone w wyniku badań, wskazują, że nie ma żadnych dowodów na to, że w wyniku badań naukowych nie stwierdzono żadnych istotnych skutków.

Uzyskaj najlepszą cenę

SiC Ceramic Vacuum Chuck Flip-Chip Bonding Mirror Polishing High-Stiffness

Uzyskaj najlepszą cenę

3 4 5 6 7 8 9 10

Wyniki wyszukiwania

Dom Produkty sic substrate Producent internetowy

Wszystkie kategorie

Wafel azotowy galu

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

GaAs Wafer

Twoje poszukiwania [ sic substrate ] dopasowanie 263 Produkty

2 cali 4 cali 6 cali Sic Substrat z węglowodorem krzemowym 6H Wysoki P-doped Typ od osi 4.0° w kierunku Prime Grade Dummy Grade

Uzyskaj najlepszą cenę

SiC Ingot 6 cali Ingot 4H-N SiC Prime Grade Dummy Grade Silicon Carbide Ingot High Hardness Ingot

Uzyskaj najlepszą cenę

6 cali Sic Substrat z węglanu krzemu 6H-P Typ do komunikacji i systemów radarowych Prężnica 150 mm Prime Grade

Uzyskaj najlepszą cenę

6 cali Sic Substrat z węglanu krzemu 4H-P Prężnica 150 mm Grubość 350 μm Zero MPD Produkcja, standardowa produkcja

Uzyskaj najlepszą cenę

Sic Karbid krzemowy podłoża typu 6H-P na osi 0° Twardość Mohsa 9,2 dla urządzenia laserowego

Uzyskaj najlepszą cenę

Wysokiej czystości niedomieszkowany wafel krzemowy z węglika krzemu, 6-calowy, półsic 4H-Sic z węglika krzemu

Uzyskaj najlepszą cenę

12-calowy podłoże pojedynczego kryształu węglanu krzemu duży rozmiar średnica wysokiej czystości 300 mm Produkt do komunikacji 5G

Uzyskaj najlepszą cenę

4-calowe 6-calowe wafelki z azotku galu GaN-ON-SiC EPI wafle

Uzyskaj najlepszą cenę

2c / 4c / 6c Sic Substrat węglanu krzemowego 4H-P Typ od osi 2,0° W kierunku produkcji

Uzyskaj najlepszą cenę

Półizolacyjny SiC na płytce Si 4H-SEMI podłoża typu P typu N grubość 500um

Uzyskaj najlepszą cenę

Sic płytka z węglanu krzemowego typu 4H-P na osi 0°Używana do produkcji urządzeń o dużej mocy

Uzyskaj najlepszą cenę

Sic Substrat węglowodorów krzemowych 5,0*5,0 mm kwadrat 6H-P grubość 350μm Zero Grade Dummy Grade

Uzyskaj najlepszą cenę

3 4 5 6 7 8 9 10