Wynik wyszukiwania

Dom Produkty sic substrate Producent internetowy

Wszystkie kategorie

Wafel azotowy galu

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

GaAs Wafer

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

Skontaktuj się z nami

Mr. Wang

eric_wang@zmsh-materials.com

+8615801942596

Skontaktuj się teraz

Twoje poszukiwania

[sic substrate ]

dopasowanie

252

Produkty

2" InSb-Te EPI Substraty Wąskie pasmo Półprzewodników Substraty Hall Komponenty

Uzyskaj najlepszą cenę

2-calowa płytka z węglem krzemowym typu 4H-N dla urządzenia MOS Dia 0,4 mm

Uzyskaj najlepszą cenę

Dostosowany rozmiar Twardość podłoża z węglika krzemu 9,4 Sic Części do sprzętu

Uzyskaj najlepszą cenę

CVD SiC Epitaxy Wafer 2c 3c 4c 6c grubość epitaxy 2,5-120 um do zasilania elektronicznego

Uzyskaj najlepszą cenę

Płytki z chipami 4H-N SIC o niestandardowym rozmiarze 5x5mm 0,5x0,5mm

Uzyskaj najlepszą cenę

4H-N 4 cale 6 cali Sic Wafers Materiał półprzewodnikowy do urządzenia SBD MOS

Uzyskaj najlepszą cenę

12-calowy 300mm SiC Silicon Carbide Wafer 4H-N Typ Dummy Prime Research Grade Wielokrotne zastosowania

Uzyskaj najlepszą cenę

2-calowy 3-calowy Dia100m 4H-N typ Węglik krzemu do produkcji płytek półprzewodnikowych

Uzyskaj najlepszą cenę

Wyniki badań na podstawie danych naukowych, które zostały przeprowadzone w wyniku badań, wskazują, że nie ma żadnych dowodów na to, że w wyniku badań naukowych nie stwierdzono żadnych istotnych skutków.

Uzyskaj najlepszą cenę

4H-N As-Cut Wafel z węglika krzemu o grubości 0,5 mm do energoelektroniki

Uzyskaj najlepszą cenę

2 cali Sic Substrat z węglem krzemowym 6H Niska odporność Wysoki P-doped Typ średnica 50,8 mm

Uzyskaj najlepszą cenę

2-calowy 6H - Węglik spiekany o niskim poborze mocy dla detektora

Uzyskaj najlepszą cenę

8-calowa podłoże epitaksjalne SiC MOS Grade Prime Grade 4H-N Typu Duża Średnica

Uzyskaj najlepszą cenę

wideo

3' 4' 350um 500um SSP DSP 4H- 6H- Research Dummy Grade SIC Epitaxial Substrates

Uzyskaj najlepszą cenę

DUMMY Najwyższej jakości 6-calowy węglik krzemu sic Wafel 0,5 mm 0,35 mm DSP 4H-N / pół Grubość podłoża

Uzyskaj najlepszą cenę

SIC Wafel z kryształowego węglika krzemu

Uzyskaj najlepszą cenę

3 4 5 6 7 8 9 10

Wyniki wyszukiwania

Dom Produkty sic substrate Producent internetowy

Wszystkie kategorie

Wafel azotowy galu

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

GaAs Wafer

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

Twoje poszukiwania [ sic substrate ] dopasowanie 252 Produkty

Wysokiej czystości niedomieszkowany wafel krzemowy z węglika krzemu, 6-calowy, półsic 4H-Sic z węglika krzemu

Uzyskaj najlepszą cenę

SiC Ingot 6 cali Ingot 4H-N SiC Prime Grade Dummy Grade Silicon Carbide Ingot High Hardness Ingot

Uzyskaj najlepszą cenę

Sic Karbid krzemowy podłoża typu 6H-P na osi 0° Twardość Mohsa 9,2 dla urządzenia laserowego

Uzyskaj najlepszą cenę

12-calowy podłoże pojedynczego kryształu węglanu krzemu duży rozmiar średnica wysokiej czystości 300 mm Produkt do komunikacji 5G

Uzyskaj najlepszą cenę

4-calowe 6-calowe wafelki z azotku galu GaN-ON-SiC EPI wafle

Uzyskaj najlepszą cenę

2c / 4c / 6c Sic Substrat węglanu krzemowego 4H-P Typ od osi 2,0° W kierunku produkcji

Uzyskaj najlepszą cenę

Półizolacyjny SiC na płytce Si 4H-SEMI podłoża typu P typu N grubość 500um

Uzyskaj najlepszą cenę

Sic płytka z węglanu krzemowego typu 4H-P na osi 0°Używana do produkcji urządzeń o dużej mocy

Uzyskaj najlepszą cenę

Sic Silicon Carbide Wafer 55mm/1010mm 4H-P Typ Produkcja

Uzyskaj najlepszą cenę

Sic Substrat węglowodorów krzemowych 5,0*5,0 mm kwadrat 6H-P grubość 350μm Zero Grade Dummy Grade

Uzyskaj najlepszą cenę

Karbid krzemowy SIC Wafer 10*10 mm 6H-P Grubość 350μm Dla urządzeń o dużej mocy

Uzyskaj najlepszą cenę

Syc soczewka optyczna 10x10x10mmt 4H-SEMI HPSI kształt i rozmiar dostosowany 6SP grubość 10.05

Uzyskaj najlepszą cenę

3 4 5 6 7 8 9 10

Wafel azotowy galu

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

GaAs Wafer

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

Wafel azotowy galu

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

GaAs Wafer

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

Wafel azotowy galu

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

GaAs Wafer

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

[sic substrate ]

Wafel azotowy galu

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

GaAs Wafer

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

Wysokiej czystości niedomieszkowany wafel krzemowy z węglika krzemu, 6-calowy, półsic 4H-Sic z węglika krzemu

SiC Ingot 6 cali Ingot 4H-N SiC Prime Grade Dummy Grade Silicon Carbide Ingot High Hardness Ingot

Sic Karbid krzemowy podłoża typu 6H-P na osi 0° Twardość Mohsa 9,2 dla urządzenia laserowego

12-calowy podłoże pojedynczego kryształu węglanu krzemu duży rozmiar średnica wysokiej czystości 300 mm Produkt do komunikacji 5G

4-calowe 6-calowe wafelki z azotku galu GaN-ON-SiC EPI wafle

2c / 4c / 6c Sic Substrat węglanu krzemowego 4H-P Typ od osi 2,0° W kierunku produkcji

Półizolacyjny SiC na płytce Si 4H-SEMI podłoża typu P typu N grubość 500um

Sic płytka z węglanu krzemowego typu 4H-P na osi 0°Używana do produkcji urządzeń o dużej mocy

Sic Silicon Carbide Wafer 5*5mm/10*10mm 4H-P Typ Produkcja

Sic Substrat węglowodorów krzemowych 5,0*5,0 mm kwadrat 6H-P grubość 350μm Zero Grade Dummy Grade

Karbid krzemowy SIC Wafer 10*10 mm 6H-P Grubość 350μm Dla urządzeń o dużej mocy

Syc soczewka optyczna 10x10x10mmt 4H-SEMI HPSI kształt i rozmiar dostosowany 6SP grubość 10.05

Sic Silicon Carbide Wafer 55mm/1010mm 4H-P Typ Produkcja