logo
Produkty
Produkty
Dom > Produkty > Podłoże SiC > Sic płytka z węglanu krzemowego typu 4H-P na osi 0°Używana do produkcji urządzeń o dużej mocy

Sic płytka z węglanu krzemowego typu 4H-P na osi 0°Używana do produkcji urządzeń o dużej mocy

Szczegóły Produktu

Miejsce pochodzenia: Chiny

Nazwa handlowa: ZMSH

Orzecznictwo: rohs

Numer modelu: Sic 4h-p

Warunki płatności i wysyłki

Cena: by case

Zasady płatności: T/T

Możliwość Supply: 1000 szt./miesiąc

Uzyskaj najlepszą cenę
Podkreślić:

0° Sic płytki z węglanu krzemu

Politypia:
4H-P
gęstość:
3,23 g/cm3
Twardość Mohsa:
≈9,2
Orientacja powierzchni:
Na osi: [1120] ± 0,5 ° dla 4H-P
Opakowanie:
Jedno niezależne opakowanie aseptyczne, poziom czystości 100
Zastosowanie:
Chip LED, komunikacja satelitarna
Politypia:
4H-P
gęstość:
3,23 g/cm3
Twardość Mohsa:
≈9,2
Orientacja powierzchni:
Na osi: [1120] ± 0,5 ° dla 4H-P
Opakowanie:
Jedno niezależne opakowanie aseptyczne, poziom czystości 100
Zastosowanie:
Chip LED, komunikacja satelitarna
Sic płytka z węglanu krzemowego typu 4H-P na osi 0°Używana do produkcji urządzeń o dużej mocy

Opis produktu:Sic płytka z węglanu krzemowego typu 4H-P na osi 0°Używana do produkcji urządzeń o dużej mocy 0

 

Sic płytka z węglanu krzemowego typu 4H-P na osi 0°Używana do produkcji urządzeń o dużej mocy

 

 
Substrat z węglika krzemu typu 4H-P jest materiałem półprzewodnikowym o strukturze sześciokątnej siatki,i przewodność typu P uzyskuje się poprzez określony proces dopingu (np. doping aluminium i innych pierwiastków)Takie substraty mają zazwyczaj wysokie stężenia dopingu i niską rezystywność, co czyni je idealnymi do produkcji urządzeń o dużej mocy.Oś 0° zwykle odnosi się do faktu, że określony kierunek kryształu lub krawędź pozycjonowania podłoża ma kąt 0° od kierunku odniesienia (np. płaszczyzna podłoża), co pomaga zapewnić spójność i niezawodność wyrobu w kolejnych procesach produkcyjnych.
 
 
 


Sic płytka z węglanu krzemowego typu 4H-P na osi 0°Używana do produkcji urządzeń o dużej mocy 1

Charakterystyka:

 

  • Przestrzeń szerokopasmowa:Karbid krzemowy typu 4H-P ma szeroką przepustowość o wartości około 3,26 eV, co umożliwia mu stabilną pracę w środowiskach o wysokiej temperaturze i wysokim napięciu.

 

  • Wysoka przewodność cieplna:Dzięki przewodności cieplnej około 4,9 W/m·K, znacznie wyższej niż w przypadku materiałów krzemowych, może skutecznie kierować i rozpraszać ciepło, nadając się do zastosowań o wysokiej gęstości mocy.

 

  • Niska rezystywność:Karbid krzemowy dopowany typu P ma niską rezystywność, nadaje się do budowy połączenia PN, tak aby sprostać potrzebom urządzeń o dużej mocy.

 

  • Wysoka twardość i wytrzymałość mechaniczna:Materiały z węglanu krzemu mają bardzo wysoką wytrzymałość mechaniczną i wytrzymałość do zastosowań w trudnych warunkach.

 

  • Wysokie napięcie awaryjne:Zdolny do wytrzymania wyższych napięć, pomagając zmniejszyć rozmiar urządzenia i poprawić efektywność energetyczną.

 

 


 

Parametry techniczne

 

Własność

P-typ 4H-SiC, pojedynczy kryształ

Parametry siatki

a=3,082 Å c=10,092 Å

Sekwencja układania

ABCB

Twardość Mohsa

≈9.2

Gęstość

30,23 g/cm3

Współczynnik rozszerzenia

4.3×10-6/K (Caxis) 4.7×10-6/K (Caxis)

Wskaźnik załamania @750nm

nie = 2,621 ne = 2.671

Stała dielektryczna

c~9.66

Przewodność cieplna

3-5 W/cm·K@298K

Płaszczyzna

3.26 eV

Pole elektryczne złamane

2-5×106V/cm

Prędkość natężenia

2.0×105m/s

Orientacja płytki

Na osi: [1120] ± 0,5° dla 4H/6H-P

 
 


Sic płytka z węglanu krzemowego typu 4H-P na osi 0°Używana do produkcji urządzeń o dużej mocy 2

Zastosowanie:

  • Elektronika mocy:Substrat z węglanu krzemu typu 4H-P może być wykorzystany do produkcji wszelkiego rodzaju urządzeń wysokonapięciowych, takich jak IGBT, MOSFET itp. Urządzenia te są szeroko stosowane w przesyłaniu prądu stałego,przekształcacz częstotliwości, energetyki przemysłowej i innych dziedzin, zwłaszcza w pojazdach elektrycznych i technologiach energii odnawialnej,urządzenia z węglem krzemowym mogą znacznie poprawić wydajność konwersji mocy i zmniejszyć zużycie energii.

 

  • Pole oświetleniowe półprzewodnika:Może być stosowany do produkcji wysokiej wydajności i niezawodności układów LED, które są szeroko stosowane w oświetleniu płynnokrystalicznym, oświetleniu krajobrazowym, oświetleniach samochodowych i innych dziedzinach.Wysoka przewodność cieplna podłoża węglika krzemu pomaga poprawić wydajność świetlną i stabilność diod LED.

 

  • Pole czujników:mogą być stosowane do produkcji czujników o wysokiej czułości i wysokiej stabilności, takich jak czujniki ciśnienia, czujniki temperatury itp.urządzenia medyczneWysoka stabilność termiczna i obojętność chemiczna substratów SIC sprawiają, że jest to idealny materiał do produkcji czujników o wysokiej niezawodności.

 

  • Pole mikrofalowe:Chociaż N-substrat z węglika krzemu jest szeroko stosowany w tej dziedzinie,Substrat z węglanu krzemu typu 4H-P może być również wykorzystywany w specjalnych procesach do produkcji urządzeń elektronicznych o wysokiej częstotliwości i mocy, takie jak wzmacniacze, oscylatory itp. Urządzenia te mają potencjalne zastosowania w komunikacji bezprzewodowej, komunikacji satelitarnej, radarach i innych dziedzinach.

 

 


Sic płytka z węglanu krzemowego typu 4H-P na osi 0°Używana do produkcji urządzeń o dużej mocy 3

Dostosowanie:

 


 


ZMSH zapewnia pełen zakres usług w zakresie podłoża węglika krzemu 4H-P (osio 0°), w tym precyzyjne przetwarzanie na zamówienie w celu zaspokojenia specyficznych potrzeb klienta,wykorzystanie profesjonalnych kanałów logistycznych w celu zapewnienia bezpieczeństwa produktów i terminowej dostawy, oraz stosowanie materiałów opakowaniowych odpornych na wstrząsy i wilgoć, starannie pakowanych i dostarczanych w celu zapewnienia wysokiej jakości dostaw podłoża węglanu krzemu.
 

 

 

 

 


 

Częste pytania:

 


1P: Jaka jest różnica między podłożem z węglem krzemowym typu 4H-P a 6H?


Odpowiedź:W porównaniu z 6H, podłoże 4H-P SIC ma większą mobilność elektronów i lepszą przewodność cieplną, co jest odpowiednie do produkcji urządzeń o wysokiej mocy.
 


2P: Jaki jest wpływ osi 0° na wydajność podłoża z węglem krzemu?


A:Ustawienie wału na 0° pomaga zapewnić spójność i niezawodność urządzenia w kolejnym procesie produkcyjnym,poprawa wydajności elektrycznej i stabilności urządzenia.
 
 

 


 
Tag: #Sic wafer, #silicon carbide substrate, #4H-P typ, #axis 0°, #High purity, #Sic 4H-P typ