Wynik wyszukiwania

Dom Produkty sic substrate Producent internetowy

Wszystkie kategorie

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Maszyna do piły drutowej

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

Wafel azotowy galu

GaAs Wafer

Skontaktuj się z nami

Mr. Wang

eric_wang@zmsh-materials.com

+8615801942596

Skontaktuj się teraz

Twoje poszukiwania

[sic substrate ]

dopasowanie

296

Produkty

2-calowy 6H - Węglik spiekany o niskim poborze mocy dla detektora

Uzyskaj najlepszą cenę

SiC Square Mirror Mirror-Grade Polishing for Lithography Machine

Uzyskaj najlepszą cenę

wideo

3' 4' 350um 500um SSP DSP 4H- 6H- Research Dummy Grade SIC Epitaxial Substrates

Uzyskaj najlepszą cenę

SIC Wafel z kryształowego węglika krzemu

Uzyskaj najlepszą cenę

Polerowane podłoże ceramiczne SIC Części ceramiczne z tlenku glinu Al2O3

Uzyskaj najlepszą cenę

Niestandardowy rozmiar Podłoże ceramiczne / węglik krzemu Ceramika Doskonała korozja

Uzyskaj najlepszą cenę

wideo

Maszyna do cięcia wielowiatrowej piły diamentowej do materiałów SiC/safiru/ultra-twardych materiałów kruchych

Uzyskaj najlepszą cenę

Wafer silikonowy

Uzyskaj najlepszą cenę

Wysokiej czystości płytka nośna powlekana SiC do obróbki i przenoszenia płytek

Uzyskaj najlepszą cenę

Elektrotermiczne łożysko ceramiczne Al2O3 na podłożu ceramicznym SSIC

Uzyskaj najlepszą cenę

wideo

10x10x0.5mm HPSI 1sp 2sp 4H-SEMI SIC Podłoże waflowe z węglika krzemu

Uzyskaj najlepszą cenę

8-calowa płytka SiC, krzemowa płytka Karburowa, Prime Dummy Research Grade 500um 350 Um.

Uzyskaj najlepszą cenę

Wysokotemperaturowa płytka oporowa SiC/płytka podtrzymująca dla nośników płytek

Uzyskaj najlepszą cenę

Customized SiC Ceramic Suction Cups for Lithography Applications

Uzyskaj najlepszą cenę

Bonding-Specific SiC Vacuum Chuck Wafer Adsorption Surface Flatness ≤1μm

Uzyskaj najlepszą cenę

SSIC SiC Mechaniczny pierścień uszczelniający Podłoże ceramiczne z tlenku glinu

Uzyskaj najlepszą cenę

5 6 7 8 9 10 11 12

Wyniki wyszukiwania

Dom Produkty sic substrate Producent internetowy

Wszystkie kategorie

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Maszyna do piły drutowej

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

Wafel azotowy galu

GaAs Wafer

Twoje poszukiwania [ sic substrate ] dopasowanie 296 Produkty

2c / 4c / 6c Sic Substrat węglanu krzemowego 4H-P Typ od osi 2,0° W kierunku produkcji

Uzyskaj najlepszą cenę

Sic płytka z węglanu krzemowego typu 4H-P na osi 0°Używana do produkcji urządzeń o dużej mocy

Uzyskaj najlepszą cenę

Sic Silicon Carbide Wafer 55mm/1010mm 4H-P Typ Produkcja

Uzyskaj najlepszą cenę

Sic Substrat węglowodorów krzemowych 5,0*5,0 mm kwadrat 6H-P grubość 350μm Zero Grade Dummy Grade

Uzyskaj najlepszą cenę

Karbid krzemowy SIC Wafer 10*10 mm 6H-P Grubość 350μm Dla urządzeń o dużej mocy

Uzyskaj najlepszą cenę

Syc soczewka optyczna 10x10x10mmt 4H-SEMI HPSI kształt i rozmiar dostosowany 6SP grubość 10.05

Uzyskaj najlepszą cenę

8-calowa wafle epitaksjalne SiC, średnica 200mm, grubość 500µm, typ 4H-N

Uzyskaj najlepszą cenę

2 cali Sic Substrat węglanu krzemowego 3C-N Typ 50.8 mm średnica Produkcja klasy badawczej klasy fałszywej

Uzyskaj najlepszą cenę

2 cale 3 cale 4 cale 6 cale Płytki epitaksjalne SiC 4H-N klasy produkcyjnej

Uzyskaj najlepszą cenę

6-calowa wafle epitaksjalne SiC o średnicy 150 mm, typ 4H-N, typ 4H-P, do komunikacji 5G

Uzyskaj najlepszą cenę

Substrat węglowodorów krzemowych 4'' Sic 3C-N Prężnica 100 mm Przewodzący Typ Zero MPD

Uzyskaj najlepszą cenę

2-calowa średnica 50,8 mm 4H-N typu SiC epitaksjalna płytka dla czujników wysokotemperaturowych

Uzyskaj najlepszą cenę

5 6 7 8 9 10 11 12

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Maszyna do piły drutowej

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

Wafel azotowy galu

GaAs Wafer

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Maszyna do piły drutowej

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

Wafel azotowy galu

GaAs Wafer

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Maszyna do piły drutowej

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

Wafel azotowy galu

GaAs Wafer

[sic substrate ]

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Maszyna do piły drutowej

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

Wafel azotowy galu

GaAs Wafer

2c / 4c / 6c Sic Substrat węglanu krzemowego 4H-P Typ od osi 2,0° W kierunku produkcji

Sic płytka z węglanu krzemowego typu 4H-P na osi 0°Używana do produkcji urządzeń o dużej mocy

Sic Silicon Carbide Wafer 5*5mm/10*10mm 4H-P Typ Produkcja

Sic Substrat węglowodorów krzemowych 5,0*5,0 mm kwadrat 6H-P grubość 350μm Zero Grade Dummy Grade

Karbid krzemowy SIC Wafer 10*10 mm 6H-P Grubość 350μm Dla urządzeń o dużej mocy

Syc soczewka optyczna 10x10x10mmt 4H-SEMI HPSI kształt i rozmiar dostosowany 6SP grubość 10.05

8-calowa wafle epitaksjalne SiC, średnica 200mm, grubość 500µm, typ 4H-N

2 cali Sic Substrat węglanu krzemowego 3C-N Typ 50.8 mm średnica Produkcja klasy badawczej klasy fałszywej

2 cale 3 cale 4 cale 6 cale Płytki epitaksjalne SiC 4H-N klasy produkcyjnej

6-calowa wafle epitaksjalne SiC o średnicy 150 mm, typ 4H-N, typ 4H-P, do komunikacji 5G

Substrat węglowodorów krzemowych 4'' Sic 3C-N Prężnica 100 mm Przewodzący Typ Zero MPD

2-calowa średnica 50,8 mm 4H-N typu SiC epitaksjalna płytka dla czujników wysokotemperaturowych

Sic Silicon Carbide Wafer 55mm/1010mm 4H-P Typ Produkcja