logo
Dom ProduktyPodłoże SiC

2 cali Sic Substrat z węglem krzemowym 6H Niska odporność Wysoki P-doped Typ średnica 50,8 mm

Im Online Czat teraz

2 cali Sic Substrat z węglem krzemowym 6H Niska odporność Wysoki P-doped Typ średnica 50,8 mm

2Inch Sic Silicon Carbide Substrate 6H Low Resistance High P-doped Type Diameter 50.8mm
2Inch Sic Silicon Carbide Substrate 6H Low Resistance High P-doped Type Diameter 50.8mm 2Inch Sic Silicon Carbide Substrate 6H Low Resistance High P-doped Type Diameter 50.8mm 2Inch Sic Silicon Carbide Substrate 6H Low Resistance High P-doped Type Diameter 50.8mm 2Inch Sic Silicon Carbide Substrate 6H Low Resistance High P-doped Type Diameter 50.8mm 2Inch Sic Silicon Carbide Substrate 6H Low Resistance High P-doped Type Diameter 50.8mm

Duży Obraz :  2 cali Sic Substrat z węglem krzemowym 6H Niska odporność Wysoki P-doped Typ średnica 50,8 mm

Szczegóły Produktu:
Miejsce pochodzenia: Chiny
Nazwa handlowa: ZMSH
Orzecznictwo: rohs
Model Number: 6H-P SiC
Zapłata:
Minimalne zamówienie: 10 procent
Cena: by case
Packaging Details: customzied plastic box
Czas dostawy: za 30 dni
Payment Terms: T/T
Supply Ability: 1000pc/month
Szczegółowy opis produktu
Twardota powierzchni: HV0,3>2500 gęstość: 3,21 G/cm3
Współczynnik rozszerzalności cieplnej: 4,5 X 10-6/K Stała dielektryczna: 9.7
Wytrzymałość na rozciąganie: >400 MPa Materiał: Monokryształ SiC
Wielkość: 2 cale Napięcie przebicia: 5,5 MV/cm
Podkreślić:

6H substrat z węglem krzemowym

,

nisko odporny substrat z węglem krzemowym

Opis produktu:

2 cali Sic Substrat z węglem krzemowym 6H Niska odporność Wysoki P-doped Typ średnica 50,8 mm
6H-SiC (Hexagonal Silicon Carbide) jest szerokopasmowym materiałem półprzewodnikowym o dobrej przewodności cieplnej i wysokiej odporności na temperaturę,który jest szeroko stosowany w urządzeniach elektronicznych o dużej mocy i wysokiej częstotliwościDoping typu P osiąga się poprzez wprowadzenie takich pierwiastków jak aluminium (Al), co czyni materiał elektropozytywnym i odpowiednim do określonych konstrukcji urządzeń elektronicznych.który nadaje się do pracy w środowiskach o wysokiej temperaturze i wysokim napięciuPrzewodność cieplna jest lepsza niż w przypadku wielu tradycyjnych materiałów półprzewodnikowych i pomaga poprawić wydajność urządzenia..
W dziedzinie elektroniki mocy może być stosowany do produkcji urządzeń o wysokiej wydajności, takich jak MOSFET i IGBT.ma doskonałą wydajność w zastosowaniach o wysokiej częstotliwości i jest szeroko stosowany w sprzęcie komunikacyjnymW dziedzinie technologii LED można go wykorzystać jako materiał podstawowy do urządzeń LED niebieskiego i ultrafioletowego.

2 cali Sic Substrat z węglem krzemowym 6H Niska odporność Wysoki P-doped Typ średnica 50,8 mm 0

Charakterystyka:

·Próżnia szerokopasmowa: Próżnia pasmowa wynosi około 3,0 eV, co sprawia, że nadaje się do zastosowań o wysokiej temperaturze, wysokim napięciu i wysokiej częstotliwości.
·Doskonała przewodność cieplna: Dzięki dobrej przewodności cieplnej pomaga rozpraszać ciepło, poprawia wydajność i niezawodność urządzenia.
·Wysoka wytrzymałość i twardość: wysoka wytrzymałość mechaniczna, odporność na rozdrobnienie i zużycie, nadająca się do stosowania w trudnych warunkach.
·Mobilność elektronów: doping typu P nadal utrzymuje stosunkowo wysoką mobilność nośnika, wspierając wydajne urządzenia elektroniczne.
·Właściwości optyczne: Z wyjątkowymi właściwościami optycznymi, odpowiednie do dziedzin optoelektroniki, takich jak diody LED i lasery.
·Stabilność chemiczna: dobra odporność na korozję chemiczną, odpowiednia do trudnych warunków pracy.
·Duża zdolność adaptacyjna: można go łączyć z różnymi materiałami podłoża, nadającym się do różnych scenariuszy zastosowań.
2 cali Sic Substrat z węglem krzemowym 6H Niska odporność Wysoki P-doped Typ średnica 50,8 mm 12 cali Sic Substrat z węglem krzemowym 6H Niska odporność Wysoki P-doped Typ średnica 50,8 mm 2

Parametry techniczne:

2 cali Sic Substrat z węglem krzemowym 6H Niska odporność Wysoki P-doped Typ średnica 50,8 mm 3

Zastosowanie:

·Elektronika mocy: Używana do produkcji urządzeń o wysokiej wydajności, takich jak MOSFET i IGBT, które są szeroko stosowane w konwerterach częstotliwości, zarządzaniu energią i pojazdach elektrycznych.
·Urządzenia RF i mikrofalowe: stosowane w wzmacniaczach wysokiej częstotliwości, wzmacniaczach mocy RF, odpowiednie do systemów komunikacyjnych i radarowych.
·Optoelektronika: Używana jako podłoże w diodach LED i laserach, zwłaszcza w błękitnych i ultrafioletowych zastosowaniach.
·Czujniki wysokiej temperatury: ze względu na dobrą stabilność termiczną nadają się do czujników wysokiej temperatury i urządzeń monitorowania.
·Energia słoneczna i systemy energetyczne: stosowane w falownikach słonecznych i innych zastosowaniach energii odnawialnej w celu poprawy efektywności konwersji energii.
·Elektronika samochodowa: optymalizacja wydajności i oszczędność energii w systemie zasilania pojazdów elektrycznych i hybrydowych.
·Przemysłowy sprzęt elektryczny: moduły zasilania dla szerokiej gamy sprzętu i maszyn automatyki przemysłowej w celu poprawy efektywności energetycznej i niezawodności.
2 cali Sic Substrat z węglem krzemowym 6H Niska odporność Wysoki P-doped Typ średnica 50,8 mm 4

Dostosowanie:

Nasz substrat SiC jest dostępny w typie 6H-P i jest certyfikowany RoHS. Minimalna ilość zamówienia wynosi 10 p.p. a cena zależy od przypadku.Czas dostawy jest w ciągu 30 dni i akceptujemy warunki płatności T / TNasza zdolność dostaw to 1000 sztuk/miesiąc. Wielkość podłoża SiC ma średnicę 50,8 mm grubość 350 μm.

2 cali Sic Substrat z węglem krzemowym 6H Niska odporność Wysoki P-doped Typ średnica 50,8 mm 5

Nasze usługi

1- bezpośrednia produkcja i sprzedaż.
2Szybkie, dokładne cytaty.
3Odpowiemy w ciągu 24 godzin roboczych.
4. ODM: Dostępny jest zamówiony projekt.
5Szybkość i cenna dostawa.

Częste pytania:

P: Czy istnieje jakiekolwiek zapasy lub standardowy produkt?
Odp.: Tak, rozmiar początkowy 2 cali 0,35 mm. Standardowy rozmiar zawsze w magazynie.
P: Jeśli złożę zamówienie teraz, jak długo minie zanim dostanę dostawę?
A: Standardowy rozmiar w magazynie w ciągu 1 tygodnia, może być wyrażony po zapłacie.
Nasz termin płatności to 50% depozytu i wypłaty przed dostawą.

Szczegóły kontaktu
SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

Osoba kontaktowa: Mr. Wang

Tel: +8615801942596

Wyślij zapytanie bezpośrednio do nas (0 / 3000)