Wynik wyszukiwania

Dom Produkty sic substrate Producent internetowy

Wszystkie kategorie

Wafel azotowy galu

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Maszyna do piły drutowej

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

GaAs Wafer

Skontaktuj się z nami

Mr. Wang

eric_wang@zmsh-materials.com

+8615801942596

Skontaktuj się teraz

Twoje poszukiwania

[sic substrate ]

dopasowanie

274

Produkty

SiC Ceramic Optical Path Board for Wafer Inspection Equipment Parallelism ≤0.02mm

Uzyskaj najlepszą cenę

4H-N As-Cut Wafel z węglika krzemu o grubości 0,5 mm do energoelektroniki

Uzyskaj najlepszą cenę

2 cali Sic Substrat z węglem krzemowym 6H Niska odporność Wysoki P-doped Typ średnica 50,8 mm

Uzyskaj najlepszą cenę

Wyniki badań na podstawie danych naukowych, które zostały przeprowadzone w wyniku badań, wskazują, że nie ma żadnych dowodów na to, że w wyniku badań naukowych nie stwierdzono żadnych istotnych skutków.

Uzyskaj najlepszą cenę

SiC Ceramic Vacuum Chuck Flip-Chip Bonding Mirror Polishing High-Stiffness

Uzyskaj najlepszą cenę

8-calowa podłoże epitaksjalne SiC MOS Grade Prime Grade 4H-N Typu Duża Średnica

Uzyskaj najlepszą cenę

SiC Square Mirror Mirror-Grade Polishing for Lithography Machine

Uzyskaj najlepszą cenę

2-calowy 6H - Węglik spiekany o niskim poborze mocy dla detektora

Uzyskaj najlepszą cenę

wideo

3' 4' 350um 500um SSP DSP 4H- 6H- Research Dummy Grade SIC Epitaxial Substrates

Uzyskaj najlepszą cenę

SIC Wafel z kryształowego węglika krzemu

Uzyskaj najlepszą cenę

DUMMY Najwyższej jakości 6-calowy węglik krzemu sic Wafel 0,5 mm 0,35 mm DSP 4H-N / pół Grubość podłoża

Uzyskaj najlepszą cenę

Polerowane podłoże ceramiczne SIC Części ceramiczne z tlenku glinu Al2O3

Uzyskaj najlepszą cenę

Niestandardowy rozmiar Podłoże ceramiczne / węglik krzemu Ceramika Doskonała korozja

Uzyskaj najlepszą cenę

wideo

Maszyna do cięcia wielowiatrowej piły diamentowej do materiałów SiC/safiru/ultra-twardych materiałów kruchych

Uzyskaj najlepszą cenę

8-calowa płytka SiC, krzemowa płytka Karburowa, Prime Dummy Research Grade 500um 350 Um.

Uzyskaj najlepszą cenę

Wysokotemperaturowa płytka oporowa SiC/płytka podtrzymująca dla nośników płytek

Uzyskaj najlepszą cenę

4 5 6 7 8 9 10 11

Wyniki wyszukiwania

Dom Produkty sic substrate Producent internetowy

Wszystkie kategorie

Wafel azotowy galu

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Maszyna do piły drutowej

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

GaAs Wafer

Twoje poszukiwania [ sic substrate ] dopasowanie 274 Produkty

4-calowe 6-calowe wafelki z azotku galu GaN-ON-SiC EPI wafle

Uzyskaj najlepszą cenę

Półizolacyjny SiC na płytce Si 4H-SEMI podłoża typu P typu N grubość 500um

Uzyskaj najlepszą cenę

Sic płytka z węglanu krzemowego typu 4H-P na osi 0°Używana do produkcji urządzeń o dużej mocy

Uzyskaj najlepszą cenę

Sic Substrat węglowodorów krzemowych 5,0*5,0 mm kwadrat 6H-P grubość 350μm Zero Grade Dummy Grade

Uzyskaj najlepszą cenę

Sic Silicon Carbide Wafer 55mm/1010mm 4H-P Typ Produkcja

Uzyskaj najlepszą cenę

Karbid krzemowy SIC Wafer 10*10 mm 6H-P Grubość 350μm Dla urządzeń o dużej mocy

Uzyskaj najlepszą cenę

Syc soczewka optyczna 10x10x10mmt 4H-SEMI HPSI kształt i rozmiar dostosowany 6SP grubość 10.05

Uzyskaj najlepszą cenę

8-calowa wafle epitaksjalne SiC, średnica 200mm, grubość 500µm, typ 4H-N

Uzyskaj najlepszą cenę

2 cali Sic Substrat węglanu krzemowego 3C-N Typ 50.8 mm średnica Produkcja klasy badawczej klasy fałszywej

Uzyskaj najlepszą cenę

Substrat węglowodorów krzemowych 4'' Sic 3C-N Prężnica 100 mm Przewodzący Typ Zero MPD

Uzyskaj najlepszą cenę

2 cale 3 cale 4 cale 6 cale Płytki epitaksjalne SiC 4H-N klasy produkcyjnej

Uzyskaj najlepszą cenę

6-calowa wafle epitaksjalne SiC o średnicy 150 mm, typ 4H-N, typ 4H-P, do komunikacji 5G

Uzyskaj najlepszą cenę

4 5 6 7 8 9 10 11

Wafel azotowy galu

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Maszyna do piły drutowej

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

GaAs Wafer

Wafel azotowy galu

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Maszyna do piły drutowej

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

GaAs Wafer

Wafel azotowy galu

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Maszyna do piły drutowej

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

GaAs Wafer

[sic substrate ]

Wafel azotowy galu

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Maszyna do piły drutowej

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

GaAs Wafer

4-calowe 6-calowe wafelki z azotku galu GaN-ON-SiC EPI wafle

Półizolacyjny SiC na płytce Si 4H-SEMI podłoża typu P typu N grubość 500um

Sic płytka z węglanu krzemowego typu 4H-P na osi 0°Używana do produkcji urządzeń o dużej mocy

Sic Substrat węglowodorów krzemowych 5,0*5,0 mm kwadrat 6H-P grubość 350μm Zero Grade Dummy Grade

Sic Silicon Carbide Wafer 5*5mm/10*10mm 4H-P Typ Produkcja

Karbid krzemowy SIC Wafer 10*10 mm 6H-P Grubość 350μm Dla urządzeń o dużej mocy

Syc soczewka optyczna 10x10x10mmt 4H-SEMI HPSI kształt i rozmiar dostosowany 6SP grubość 10.05

8-calowa wafle epitaksjalne SiC, średnica 200mm, grubość 500µm, typ 4H-N

2 cali Sic Substrat węglanu krzemowego 3C-N Typ 50.8 mm średnica Produkcja klasy badawczej klasy fałszywej

Substrat węglowodorów krzemowych 4'' Sic 3C-N Prężnica 100 mm Przewodzący Typ Zero MPD

2 cale 3 cale 4 cale 6 cale Płytki epitaksjalne SiC 4H-N klasy produkcyjnej

6-calowa wafle epitaksjalne SiC o średnicy 150 mm, typ 4H-N, typ 4H-P, do komunikacji 5G

Sic Silicon Carbide Wafer 55mm/1010mm 4H-P Typ Produkcja