Wynik wyszukiwania

Dom Produkty sic substrate Producent internetowy

Wszystkie kategorie

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Maszyna do piły drutowej

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

Wafel azotowy galu

GaAs Wafer

Skontaktuj się z nami

Mr. Wang

eric_wang@zmsh-materials.com

+8615801942596

Skontaktuj się teraz

Twoje poszukiwania

[sic substrate ]

dopasowanie

160

Produkty

Customized SiC Boats Vertical & Horizontal Wafer Carriers

Uzyskaj najlepszą cenę

Bonding-Specific SiC Vacuum Chuck Wafer Adsorption Surface Flatness ≤1μm

Uzyskaj najlepszą cenę

SSIC SiC Mechaniczny pierścień uszczelniający Podłoże ceramiczne z tlenku glinu

Uzyskaj najlepszą cenę

Linia polerowania płytek krzemowych i SiC o wysokości 6 ‰ 8 cali z czworogłowymi głowicami i zamontowaniem w zamkniętej pętli

Uzyskaj najlepszą cenę

Piekarnik do hodowli ingotów SiC wykorzystuje metody PVT, Lely TSSG i LPE do hodowli dużych kryształów o rozmiarach 4, 6 i 8 cali.

Uzyskaj najlepszą cenę

Sic maszyna do cięcia drutu diamentowego Precyzyjne sterowanie Sic cięcie kryształowej pręty

Uzyskaj najlepszą cenę

Wolnostojące podłoża HVPE z azotku galu GaN 4 cale

Uzyskaj najlepszą cenę

Customized SiC Ceramic Guide Rail Zero-Wear Corrosion-Resistant High-Speed

Uzyskaj najlepszą cenę

SiC Square Beams Industrial Kiln Load-Bearing Component

Uzyskaj najlepszą cenę

SiC Components SiC Ceramics Structural Parts

Uzyskaj najlepszą cenę

High-Purity SiC Vertical Furnace Tube High-Temperature Resistant

Uzyskaj najlepszą cenę

SiC Cantilever Paddle with CVD Coating for Horizontal Boat Loading

Uzyskaj najlepszą cenę

SiC Horizontal Furnace Process Tube High Thermal Conductivity

Uzyskaj najlepszą cenę

Wysokiej Czystości Półizolacyjne Podłoża z Węglika Krzemu - Rozwiązania dla Waferów o Różnych Średnicach (od 2" do 8")

Uzyskaj najlepszą cenę

2cylindrowe, 4cylindrowe, 6cylindrowe, wzorowe, szafirowe podłoże, PSS dla diod emitujących światło, LED

Uzyskaj najlepszą cenę

Podłoża ze szkła sodowo-wapniowego i szkła krzemianowego, dostosowane rozmiary/kształty

Uzyskaj najlepszą cenę

3 4 5 6 7 8 9 10

Wyniki wyszukiwania

Dom Produkty sic substrate Producent internetowy

Wszystkie kategorie

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Maszyna do piły drutowej

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

Wafel azotowy galu

GaAs Wafer

Twoje poszukiwania [ sic substrate ] dopasowanie 120 Produkty

Substrat węglowodorów krzemowych 4'' Sic 3C-N Prężnica 100 mm Przewodzący Typ Zero MPD

Uzyskaj najlepszą cenę

2-calowa średnica 50,8 mm 4H-N typu SiC epitaksjalna płytka dla czujników wysokotemperaturowych

Uzyskaj najlepszą cenę

4-calowa płytka węglowodorowa silikonowa 6H-P grubość 350 μm Zero / Prime Grade Dummy Grade

Uzyskaj najlepszą cenę

4-calowa płytka SiC Epitaxial 4H-N średnica 100 mm grubość 350 μm Prime Grade

Uzyskaj najlepszą cenę

2 cali 4H-P SIC Wafer z węglanu krzemowego dla fotowoltaiki Grubość 350 μm Średnica 50,8 mm Zero Grade

Uzyskaj najlepszą cenę

4-calowa płytka Silicon Carbide Sic typu 4H-P średnica 100 mm grubość 350 μm Prime Grade Research Grade

Uzyskaj najlepszą cenę

55mm/1010mm Grubość płytki węglowodorku krzemowego 350μm Sic 3C-N Typ Wysoka wytrzymałość mechaniczna

Uzyskaj najlepszą cenę

SiC Seed Wafer 4H N Type Dia 153 155 2c-12c Dostosowany do produkcji MOSFETów

Uzyskaj najlepszą cenę

2" InSb-Te EPI Substraty Wąskie pasmo Półprzewodników Substraty Hall Komponenty

Uzyskaj najlepszą cenę

2-calowa płytka z węglem krzemowym typu 4H-N dla urządzenia MOS Dia 0,4 mm

Uzyskaj najlepszą cenę

Dostosowany rozmiar Twardość podłoża z węglika krzemu 9,4 Sic Części do sprzętu

Uzyskaj najlepszą cenę

CVD SiC Epitaxy Wafer 2c 3c 4c 6c grubość epitaxy 2,5-120 um do zasilania elektronicznego

Uzyskaj najlepszą cenę

3 4 5 6 7 8 9 10

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Maszyna do piły drutowej

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

Wafel azotowy galu

GaAs Wafer

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Maszyna do piły drutowej

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

Wafel azotowy galu

GaAs Wafer

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Maszyna do piły drutowej

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

Wafel azotowy galu

GaAs Wafer

[sic substrate ]

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Maszyna do piły drutowej

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

Wafel azotowy galu

GaAs Wafer

Substrat węglowodorów krzemowych 4'' Sic 3C-N Prężnica 100 mm Przewodzący Typ Zero MPD

2-calowa średnica 50,8 mm 4H-N typu SiC epitaksjalna płytka dla czujników wysokotemperaturowych

4-calowa płytka węglowodorowa silikonowa 6H-P grubość 350 μm Zero / Prime Grade Dummy Grade

4-calowa płytka SiC Epitaxial 4H-N średnica 100 mm grubość 350 μm Prime Grade

2 cali 4H-P SIC Wafer z węglanu krzemowego dla fotowoltaiki Grubość 350 μm Średnica 50,8 mm Zero Grade

4-calowa płytka Silicon Carbide Sic typu 4H-P średnica 100 mm grubość 350 μm Prime Grade Research Grade

5*5mm/10*10mm Grubość płytki węglowodorku krzemowego 350μm Sic 3C-N Typ Wysoka wytrzymałość mechaniczna

SiC Seed Wafer 4H N Type Dia 153 155 2c-12c Dostosowany do produkcji MOSFETów

2" InSb-Te EPI Substraty Wąskie pasmo Półprzewodników Substraty Hall Komponenty

2-calowa płytka z węglem krzemowym typu 4H-N dla urządzenia MOS Dia 0,4 mm

Dostosowany rozmiar Twardość podłoża z węglika krzemu 9,4 Sic Części do sprzętu

CVD SiC Epitaxy Wafer 2c 3c 4c 6c grubość epitaxy 2,5-120 um do zasilania elektronicznego

55mm/1010mm Grubość płytki węglowodorku krzemowego 350μm Sic 3C-N Typ Wysoka wytrzymałość mechaniczna