Wynik wyszukiwania

Dom Produkty silicon carbide substrate Producent internetowy

Wszystkie kategorie

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Maszyna do piły drutowej

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

Wafel azotowy galu

GaAs Wafer

Skontaktuj się z nami

Mr. Wang

eric_wang@zmsh-materials.com

+8615801942596

Skontaktuj się teraz

Twoje poszukiwania

[silicon carbide substrate ]

dopasowanie

243

Produkty

4H-N 4 cale 6 cali Sic Wafers Materiał półprzewodnikowy do urządzenia SBD MOS

Uzyskaj najlepszą cenę

Wyniki badań na podstawie danych naukowych, które zostały przeprowadzone w wyniku badań, wskazują, że nie ma żadnych dowodów na to, że w wyniku badań naukowych nie stwierdzono żadnych istotnych skutków.

Uzyskaj najlepszą cenę

CVD SiC Epitaxy Wafer 2c 3c 4c 6c grubość epitaxy 2,5-120 um do zasilania elektronicznego

Uzyskaj najlepszą cenę

Piekarnik do hodowli ingotów SiC wykorzystuje metody PVT, Lely TSSG i LPE do hodowli dużych kryształów o rozmiarach 4, 6 i 8 cali.

Uzyskaj najlepszą cenę

8-calowa wafle epitaksjalne SiC, średnica 200mm, grubość 500µm, typ 4H-N

Uzyskaj najlepszą cenę

Piekło do wzrostu kryształów szafirów metodą CZ Piekło Czochralski produkuje wysokiej jakości kryształy szafirów

Uzyskaj najlepszą cenę

GaN na diamencie i dimond na płytce GaN przez epitaksjalny HEMT i wiązanie

Uzyskaj najlepszą cenę

2-calowa średnica 50,8 mm 4H-N typu SiC epitaksjalna płytka dla czujników wysokotemperaturowych

Uzyskaj najlepszą cenę

wideo

Wysokoprecyzyjne urządzenia do jednostronnego polerowania dla wafli Si/SiC/szafiru

Uzyskaj najlepszą cenę

wideo

Maszyna do cięcia wielowiatrowej piły diamentowej do materiałów SiC/safiru/ultra-twardych materiałów kruchych

Uzyskaj najlepszą cenę

SiC Seed Wafer 4H N Type Dia 153 155 2c-12c Dostosowany do produkcji MOSFETów

Uzyskaj najlepszą cenę

6-calowa wafle epitaksjalne SiC o średnicy 150 mm, typ 4H-N, typ 4H-P, do komunikacji 5G

Uzyskaj najlepszą cenę

Urządzenia do cięcia ceramiki, cięcie drutu diamentowego z pojedynczym/wielokrotnym drutem

Uzyskaj najlepszą cenę

2 cale 3 cale 4 cale 6 cale Płytki epitaksjalne SiC 4H-N klasy produkcyjnej

Uzyskaj najlepszą cenę

Wysokiej czystości płytka nośna powlekana SiC do obróbki i przenoszenia płytek

Uzyskaj najlepszą cenę

wideo

System rozrzedzania płytek Dokładny sprzęt rozrzedzania płytek SiC Si Kompatybilny 4 -12 cali Pojemność płytek

Uzyskaj najlepszą cenę

9 10 11 12 13 14 15 16

Wyniki wyszukiwania

Dom Produkty silicon carbide substrate Producent internetowy

Wszystkie kategorie

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Maszyna do piły drutowej

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

Wafel azotowy galu

GaAs Wafer

Twoje poszukiwania [ silicon carbide substrate ] dopasowanie 243 Produkty

4-calowa, 6-calowa, 8-calowa płytka SICOI 4H-SiC na izolacji 100 do 150 mm film SIC na krzemowym

Uzyskaj najlepszą cenę

Substraty 3C-SiC klasy premium: płytki klasy produkcyjnej typu N do 5G i elektroniki mocy

Uzyskaj najlepszą cenę

12-calowa 300mm 4H-N SiC Substrat do produkcji półprzewodników mocy

Uzyskaj najlepszą cenę

Wafer nasienny SiC grubość 8 cali 600±50um 4H typu klasy produkcyjnej dla wzrostu kryształu węglanu krzemowego

Uzyskaj najlepszą cenę

Karbid krzemowy SIC Wafer 10*10 mm 6H-P Grubość 350μm Dla urządzeń o dużej mocy

Uzyskaj najlepszą cenę

10x15mm 100 Orientacja Podłoże GaAS z tlenku galu 100 Orientacja z domieszką Fe

Uzyskaj najlepszą cenę

4-calowa płytka Silicon Carbide Sic typu 4H-P średnica 100 mm grubość 350 μm Prime Grade Research Grade

Uzyskaj najlepszą cenę

Wafer SiC typu 6H-N: 2-calowy podłoże, grubość 350 μm lub 650 μm

Uzyskaj najlepszą cenę

4-calowa płytka Si Dia 100mm Grubość 350um Orientacja <100> DSP SSP Niestandardowe płytki krzemowe typu N typu P

Uzyskaj najlepszą cenę

SiC Components SiC Ceramics Structural Parts

Uzyskaj najlepszą cenę

Niestandardowe 4-calowe (100 mm) płytki krzemowe: grubość 350μm, <100> orientacja, DSP/SSP, N-Type/P-Type Doping

Uzyskaj najlepszą cenę

Dummy Grade 6-calowy Sic Substrate Wafel Dia150mm 4H-N 500mm Grubość

Uzyskaj najlepszą cenę

10 11 12 13 14 15 16 17

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Maszyna do piły drutowej

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

Wafel azotowy galu

GaAs Wafer

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Maszyna do piły drutowej

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

Wafel azotowy galu

GaAs Wafer

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Maszyna do piły drutowej

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

Wafel azotowy galu

GaAs Wafer

[silicon carbide substrate ]

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Maszyna do piły drutowej

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

Wafel azotowy galu

GaAs Wafer

4-calowa, 6-calowa, 8-calowa płytka SICOI 4H-SiC na izolacji 100 do 150 mm film SIC na krzemowym

Substraty 3C-SiC klasy premium: płytki klasy produkcyjnej typu N do 5G i elektroniki mocy

12-calowa 300mm 4H-N SiC Substrat do produkcji półprzewodników mocy

Wafer nasienny SiC grubość 8 cali 600±50um 4H typu klasy produkcyjnej dla wzrostu kryształu węglanu krzemowego

Karbid krzemowy SIC Wafer 10*10 mm 6H-P Grubość 350μm Dla urządzeń o dużej mocy

10x15mm 100 Orientacja Podłoże GaAS z tlenku galu 100 Orientacja z domieszką Fe

4-calowa płytka Silicon Carbide Sic typu 4H-P średnica 100 mm grubość 350 μm Prime Grade Research Grade

Wafer SiC typu 6H-N: 2-calowy podłoże, grubość 350 μm lub 650 μm

4-calowa płytka Si Dia 100mm Grubość 350um Orientacja <100> DSP SSP Niestandardowe płytki krzemowe typu N typu P

SiC Components SiC Ceramics Structural Parts​​

Niestandardowe 4-calowe (100 mm) płytki krzemowe: grubość 350μm, <100> orientacja, DSP/SSP, N-Type/P-Type Doping

Dummy Grade 6-calowy Sic Substrate Wafel Dia150mm 4H-N 500mm Grubość

SiC Components SiC Ceramics Structural Parts