Wynik wyszukiwania

Dom Produkty silicon carbide substrate Producent internetowy

Wszystkie kategorie

Wafel azotowy galu

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Maszyna do piły drutowej

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

GaAs Wafer

Skontaktuj się z nami

Mr. Wang

eric_wang@zmsh-materials.com

+8615801942596

Skontaktuj się teraz

Twoje poszukiwania

[silicon carbide substrate ]

dopasowanie

224

Produkty

10x15mm 100 Orientacja Podłoże GaAS z tlenku galu 100 Orientacja z domieszką Fe

Uzyskaj najlepszą cenę

4-calowa płytka Silicon Carbide Sic typu 4H-P średnica 100 mm grubość 350 μm Prime Grade Research Grade

Uzyskaj najlepszą cenę

‌6H-N Type SiC Wafer: 2-Inch Substrate, Thickness 350μm or 650μm‌

Uzyskaj najlepszą cenę

4-calowa płytka Si Dia 100mm Grubość 350um Orientacja <100> DSP SSP Niestandardowe płytki krzemowe typu N typu P

Uzyskaj najlepszą cenę

SiC Components SiC Ceramics Structural Parts

Uzyskaj najlepszą cenę

Dummy Grade 6-calowy Sic Substrate Wafel Dia150mm 4H-N 500mm Grubość

Uzyskaj najlepszą cenę

wideo

Sprzęt do technologii laserowej mikrodżetowej do cięcia płytek metalowych materiał z węglanu krzemu

Uzyskaj najlepszą cenę

usługa cięcia laserowego sic chipów sic w płytach kwadratowych 0,5x0,5mm

Uzyskaj najlepszą cenę

4-calowe 6-calowe wafle GaN-on-Si GaN-on-SiC Epi do zastosowań RF

Uzyskaj najlepszą cenę

300mm wafel z azotku galu GaN-ON-Silicon dla Power Micro LED

Uzyskaj najlepszą cenę

8-CALOWE 12-CALOWE 6-CALOWE GaN-On-Si EPI-WAFLE Do aplikacji Power RF LED

Uzyskaj najlepszą cenę

wideo

4H-N Type SiC Substrate 10x10mm Wafer for Power Electronics

Uzyskaj najlepszą cenę

Kulki ceramiczne SiC do łożysk, klasa G5, wysoka twardość

Uzyskaj najlepszą cenę

wideo

SiC Ceramic Tray for LED Wafer Epitaxy and ICP Etching Processes

Uzyskaj najlepszą cenę

Niestandardowy wafel SiC typu przewodzącego do wysokotemperaturowych urządzeń zasilających o wysokim napięciu Fotowoltaika słoneczna

Uzyskaj najlepszą cenę

Sic 3C-N Typ Rozmiar Przewodnik obróbki typu dla systemów radarowych Zero MPD Production Grade

Uzyskaj najlepszą cenę

6 7 8 9 10 11 12 13

Wyniki wyszukiwania

Dom Produkty silicon carbide substrate Producent internetowy

Wszystkie kategorie

Wafel azotowy galu

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Maszyna do piły drutowej

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

GaAs Wafer

Twoje poszukiwania [ silicon carbide substrate ] dopasowanie 224 Produkty

Wysokiej czystości SiC ceramiczne podłoże izolacyjne, odporne na wysokie temperatury

Uzyskaj najlepszą cenę

4H-N typu SiC Substrate 10x10mm Wafer do elektroniki mocy

Uzyskaj najlepszą cenę

Przezroczysty 10x15mm 001 Orientacja Podłoże GaO z tlenku galu do aplikacji diod LED

Uzyskaj najlepszą cenę

wideo

3' 4' 350um 500um SSP DSP 4H- 6H- Research Dummy Grade SIC Epitaxial Substrates

Uzyskaj najlepszą cenę

Podłoża ze szkła sodowo-wapniowego i szkła krzemianowego, dostosowane rozmiary/kształty

Uzyskaj najlepszą cenę

HPSI 4H-SEMI Przezroczysta, bezbarwna, dostosowana soczewka SIC

Uzyskaj najlepszą cenę

2cylindrowe, 4cylindrowe, 6cylindrowe, wzorowe, szafirowe podłoże, PSS dla diod emitujących światło, LED

Uzyskaj najlepszą cenę

wideo

Substrat SiC o grubości 4H-N 350um stosowany w optoelektroniki materiał półprzewodnikowy

Uzyskaj najlepszą cenę

Metoda MPCVD Polytype Diamentowe płytki substratowe do epitaksji GaN

Uzyskaj najlepszą cenę

12-calowa płytka silikonowa węglowodorek 4H-N

Uzyskaj najlepszą cenę

Podłoże o stałej dielektrycznej 9,7 i przewodności cieplnej 4,9 W/mK

Uzyskaj najlepszą cenę

SiC Ingot 6 cali Ingot 4H-N SiC Prime Grade Dummy Grade Silicon Carbide Ingot High Hardness Ingot

Uzyskaj najlepszą cenę

6 7 8 9 10 11 12 13

Wafel azotowy galu

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Maszyna do piły drutowej

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

GaAs Wafer

Wafel azotowy galu

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Maszyna do piły drutowej

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

GaAs Wafer

Wafel azotowy galu

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Maszyna do piły drutowej

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

GaAs Wafer

[silicon carbide substrate ]

Wafel azotowy galu

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Maszyna do piły drutowej

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

GaAs Wafer

Wysokiej czystości SiC ceramiczne podłoże izolacyjne, odporne na wysokie temperatury

4H-N typu SiC Substrate 10x10mm Wafer do elektroniki mocy

Przezroczysty 10x15mm 001 Orientacja Podłoże GaO z tlenku galu do aplikacji diod LED

3' 4' 350um 500um SSP DSP 4H- 6H- Research Dummy Grade SIC Epitaxial Substrates

​​Podłoża ze szkła sodowo-wapniowego i szkła krzemianowego, dostosowane rozmiary/kształty​​

HPSI 4H-SEMI Przezroczysta, bezbarwna, dostosowana soczewka SIC

2cylindrowe, 4cylindrowe, 6cylindrowe, wzorowe, szafirowe podłoże, PSS dla diod emitujących światło, LED

Substrat SiC o grubości 4H-N 350um stosowany w optoelektroniki materiał półprzewodnikowy

Metoda MPCVD Polytype Diamentowe płytki substratowe do epitaksji GaN

12-calowa płytka silikonowa węglowodorek 4H-N

Podłoże o stałej dielektrycznej 9,7 i przewodności cieplnej 4,9 W/mK

SiC Ingot 6 cali Ingot 4H-N SiC Prime Grade Dummy Grade Silicon Carbide Ingot High Hardness Ingot

Podłoża ze szkła sodowo-wapniowego i szkła krzemianowego, dostosowane rozmiary/kształty