logo
Dobra cena  W Internecie
Wynik wyszukiwania
Created with Pixso. Dom Created with Pixso. Produkty Created with Pixso. silicon carbide substrate Producent internetowy
Twoje poszukiwania

  [silicon carbide substrate ]

  dopasowanie  

160

  Produkty
3 4 5 6 7 8 9 10
3 4 5 6 7 8 9 10
Dobra cena Karbid krzemowy SIC Wafer 10*10 mm 6H-P Grubość 350μm Dla urządzeń o dużej mocy W Internecie
Wyniki wyszukiwania
Created with Pixso. Dom Created with Pixso. Produkty Created with Pixso. silicon carbide substrate Producent internetowy
Twoje poszukiwania  [ silicon carbide substrate ]  dopasowanie 120 Produkty

zindywidualizowana grubość 1,5 mm 4 "4H-N sic Crystal as-cut blank Wafle

Uzyskaj najlepszą cenę
kupić 4H-SEMI Podłoże SiC 2 cale Grubość 350um 500um Klasa Prime/Dummy AR Glasses Optical Grade produkcja online wideo

4H-SEMI Podłoże SiC 2 cale Grubość 350um 500um Klasa Prime/Dummy AR Glasses Optical Grade

Uzyskaj najlepszą cenę
kupić 4H-SEMI SiC Substrate Cutting Disc Dia 10 mm Grubość 5 mm <0001> Wysoka twardość produkcja online wideo

4H-SEMI SiC Substrate Cutting Disc Dia 10 mm Grubość 5 mm <0001> Wysoka twardość

Uzyskaj najlepszą cenę

Półizolacyjny SiC na płytce Si 4H-SEMI podłoża typu P typu N grubość 500um

Uzyskaj najlepszą cenę
kupić 4H-N typu SiC Substrate 10x10mm Wafer do elektroniki mocy produkcja online wideo

4H-N typu SiC Substrate 10x10mm Wafer do elektroniki mocy

Uzyskaj najlepszą cenę
kupić 2c, 3c, 4c Substrat SiC 330um Grubość 4H-N produkcja online wideo

2c, 3c, 4c Substrat SiC 330um Grubość 4H-N

Uzyskaj najlepszą cenę

rezystywność >1E7ohm.cm Podłoże SiC o niestandardowym kształcie

Uzyskaj najlepszą cenę
kupić Substrat płytek SiC Epitaxial Półprzewodnik Przemysłowe zastosowania 4H-N produkcja online wideo

Substrat płytek SiC Epitaxial Półprzewodnik Przemysłowe zastosowania 4H-N

Uzyskaj najlepszą cenę
kupić 4H-N 5x5mm Sic Wafle Ceramiczne podłoże katalizatora DSP produkcja online wideo

4H-N 5x5mm Sic Wafle Ceramiczne podłoże katalizatora DSP

Uzyskaj najlepszą cenę
kupić 4° Poza oś SiC Substrat 2 cali Aplikacje wysokiej temperatury Wafer epitaksyalny produkcja online wideo

4° Poza oś SiC Substrat 2 cali Aplikacje wysokiej temperatury Wafer epitaksyalny

Uzyskaj najlepszą cenę

Wolnostojące podłoża HVPE z azotku galu GaN 4 cale

Uzyskaj najlepszą cenę

3 cali HPSI SiC grubość podłoża 500um Prime Dummy Research Grade Translucent Optical Grade dla okularów AR

Uzyskaj najlepszą cenę
3 4 5 6 7 8 9 10