Szczegóły Produktu
Miejsce pochodzenia: CHINY
Nazwa handlowa: zmsh
Numer modelu: 6inch-001
Warunki płatności i wysyłki
Minimalne zamówienie: 1SZT
Cena: by case by FOB
Szczegóły pakowania: Pakowane w środowisku czystych pomieszczeń klasy 100, w kasetach z pojedynczymi pojemnikami na opłat
Czas dostawy: w ciągu 40 dni
Możliwość Supply: 50 sztuk / miesięcy
Aplikacje: |
urządzenie, led, 5G, detektor, energoelektronika |
przemysł: |
płytka półprzewodnikowa |
materiał: |
półprzewodnikowy sic |
kolor: |
zielony lub biały lub niebieski |
twardość: |
9,0 |
rodzaj: |
4H,6H, z domieszką, bez domieszek, |
Aplikacje: |
urządzenie, led, 5G, detektor, energoelektronika |
przemysł: |
płytka półprzewodnikowa |
materiał: |
półprzewodnikowy sic |
kolor: |
zielony lub biały lub niebieski |
twardość: |
9,0 |
rodzaj: |
4H,6H, z domieszką, bez domieszek, |
6-calowe podłoża sic, 6-calowe wafle sic, wlewki sic crystal,
sic krystaliczny blok, sic podłoża półprzewodnikowe,Wafel z węglika krzemu
Średnica 6 cali, specyfikacja podłoża z węglika krzemu (SiC) | ||||||||
Stopień | Zerowa klasa MPD | Klasa produkcyjna | Stopień naukowy | Klasa manekina | ||||
Średnica | 150,0 mm ± 0,2 mm | |||||||
GrubośćΔ | 350 μm±25μm lub 500±25un | |||||||
Orientacja opłatka | Poza osią : 4,0° w kierunku< 1120> ±0,5° dla 4H-N Na osi : <0001>±0,5° dla 6H-SI/4H-SI | |||||||
Mieszkanie podstawowe | {10-10}±5,0° | |||||||
Podstawowa długość płaska | 47,5 mm±2,5 mm | |||||||
Wykluczenie krawędzi | 3 mm | |||||||
TTV/Łuk/Wypaczenie | ≤15μm /≤40μm /≤60μm | |||||||
Gęstość mikrorur | ≤1 cm-2 | ≤5 cm-2 | ≤15 cm-2 | ≤100 cm-2 | ||||
Oporność | 4H-N | 0,015~0,028 Ω·cm | ||||||
4/6H-SI | ≥1E5 Ω·cm | |||||||
Chropowatość | Polski Ra≤1 nm | |||||||
CMP Ra≤0,5 nm | ||||||||
Pęknięcia przez światło o dużej intensywności | Nic | 1 dozwolony, ≤2 mm | Łączna długość ≤ 10 mm, pojedyncza długość ≤ 2 mm | |||||
Sześciokątne płytki o wysokiej intensywności światła | Powierzchnia skumulowana ≤1% | Powierzchnia skumulowana ≤2% | Powierzchnia skumulowana ≤5% | |||||
Obszary Polytype przez światło o wysokiej intensywności | Nic | Powierzchnia skumulowana ≤ 2% | Powierzchnia skumulowana ≤ 5% | |||||
Zadrapania spowodowane światłem o dużej intensywności | 3 rysy do 1לrednica wafla o łącznej długości | 5 zadrapań do 1לrednica wafla o łącznej długości | 5 zadrapań do 1לrednica wafla o łącznej długości | |||||
Chip krawędzi | Nic | 3 dozwolone, ≤0,5 mm każdy | 5 dozwolonych, każdy ≤1 mm | |||||
Zanieczyszczenie przez światło o dużej intensywności | Nic |