Wynik wyszukiwania

Dom Produkty silicon carbide substrate Producent internetowy

Wszystkie kategorie

Wafel azotowy galu

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Maszyna do piły drutowej

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

GaAs Wafer

Skontaktuj się z nami

Mr. Wang

eric_wang@zmsh-materials.com

+8615801942596

Skontaktuj się teraz

Twoje poszukiwania

[silicon carbide substrate ]

dopasowanie

226

Produkty

CVD SiC Epitaxy Wafer 2c 3c 4c 6c grubość epitaxy 2,5-120 um do zasilania elektronicznego

Uzyskaj najlepszą cenę

HPSI High Purity Semi-insulating SiC Wafers 2"3"4"6" 8" Prime/Dummy/Research Grade

Uzyskaj najlepszą cenę

Piekarnik do hodowli ingotów SiC wykorzystuje metody PVT, Lely TSSG i LPE do hodowli dużych kryształów o rozmiarach 4, 6 i 8 cali.

Uzyskaj najlepszą cenę

8-calowa wafle epitaksjalne SiC, średnica 200mm, grubość 500µm, typ 4H-N

Uzyskaj najlepszą cenę

Piekło do wzrostu kryształów szafirów metodą CZ Piekło Czochralski produkuje wysokiej jakości kryształy szafirów

Uzyskaj najlepszą cenę

GaN na diamencie i dimond na płytce GaN przez epitaksjalny HEMT i wiązanie

Uzyskaj najlepszą cenę

2-calowa średnica 50,8 mm 4H-N typu SiC epitaksjalna płytka dla czujników wysokotemperaturowych

Uzyskaj najlepszą cenę

wideo

Wysokoprecyzyjne urządzenia do jednostronnego polerowania dla wafli Si/SiC/szafiru

Uzyskaj najlepszą cenę

wideo

Maszyna do cięcia wielowiatrowej piły diamentowej do materiałów SiC/safiru/ultra-twardych materiałów kruchych

Uzyskaj najlepszą cenę

SiC Seed Wafer 4H N Type Dia 153 155 2c-12c Dostosowany do produkcji MOSFETów

Uzyskaj najlepszą cenę

6-calowa wafle epitaksjalne SiC o średnicy 150 mm, typ 4H-N, typ 4H-P, do komunikacji 5G

Uzyskaj najlepszą cenę

Urządzenia do cięcia ceramiki, cięcie drutu diamentowego z pojedynczym/wielokrotnym drutem

Uzyskaj najlepszą cenę

2 cale 3 cale 4 cale 6 cale Płytki epitaksjalne SiC 4H-N klasy produkcyjnej

Uzyskaj najlepszą cenę

Wysokiej czystości płytka nośna powlekana SiC do obróbki i przenoszenia płytek

Uzyskaj najlepszą cenę

wideo

System rozrzedzania płytek Dokładny sprzęt rozrzedzania płytek SiC Si Kompatybilny 4 -12 cali Pojemność płytek

Uzyskaj najlepszą cenę

4-calowa płytka SiC Epitaxial 4H-N średnica 100 mm grubość 350 μm Prime Grade

Uzyskaj najlepszą cenę

8 9 10 11 12 13 14 15

Wyniki wyszukiwania

Dom Produkty silicon carbide substrate Producent internetowy

Wszystkie kategorie

Wafel azotowy galu

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Maszyna do piły drutowej

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

GaAs Wafer

Twoje poszukiwania [ silicon carbide substrate ] dopasowanie 226 Produkty

Wafer nasienny SiC grubość 8 cali 600±50um 4H typu klasy produkcyjnej dla wzrostu kryształu węglanu krzemowego

Uzyskaj najlepszą cenę

10x15mm 100 Orientacja Podłoże GaAS z tlenku galu 100 Orientacja z domieszką Fe

Uzyskaj najlepszą cenę

4-calowa płytka Silicon Carbide Sic typu 4H-P średnica 100 mm grubość 350 μm Prime Grade Research Grade

Uzyskaj najlepszą cenę

Wafer SiC typu 6H-N: 2-calowy podłoże, grubość 350 μm lub 650 μm

Uzyskaj najlepszą cenę

4-calowa płytka Si Dia 100mm Grubość 350um Orientacja <100> DSP SSP Niestandardowe płytki krzemowe typu N typu P

Uzyskaj najlepszą cenę

SiC Components SiC Ceramics Structural Parts

Uzyskaj najlepszą cenę

Dummy Grade 6-calowy Sic Substrate Wafel Dia150mm 4H-N 500mm Grubość

Uzyskaj najlepszą cenę

wideo

Sprzęt do technologii laserowej mikrodżetowej do cięcia płytek metalowych materiał z węglanu krzemu

Uzyskaj najlepszą cenę

usługa cięcia laserowego sic chipów sic w płytach kwadratowych 0,5x0,5mm

Uzyskaj najlepszą cenę

4-calowe 6-calowe wafle GaN-on-Si GaN-on-SiC Epi do zastosowań RF

Uzyskaj najlepszą cenę

300mm wafel z azotku galu GaN-ON-Silicon dla Power Micro LED

Uzyskaj najlepszą cenę

8-CALOWE 12-CALOWE 6-CALOWE GaN-On-Si EPI-WAFLE Do aplikacji Power RF LED

Uzyskaj najlepszą cenę

9 10 11 12 13 14 15 16

Wafel azotowy galu

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Maszyna do piły drutowej

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

GaAs Wafer

Wafel azotowy galu

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Maszyna do piły drutowej

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

GaAs Wafer

Wafel azotowy galu

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Maszyna do piły drutowej

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

GaAs Wafer

[silicon carbide substrate ]

Wafel azotowy galu

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Maszyna do piły drutowej

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

GaAs Wafer

Wafer nasienny SiC grubość 8 cali 600±50um 4H typu klasy produkcyjnej dla wzrostu kryształu węglanu krzemowego

10x15mm 100 Orientacja Podłoże GaAS z tlenku galu 100 Orientacja z domieszką Fe

4-calowa płytka Silicon Carbide Sic typu 4H-P średnica 100 mm grubość 350 μm Prime Grade Research Grade

Wafer SiC typu 6H-N: 2-calowy podłoże, grubość 350 μm lub 650 μm

4-calowa płytka Si Dia 100mm Grubość 350um Orientacja <100> DSP SSP Niestandardowe płytki krzemowe typu N typu P

SiC Components SiC Ceramics Structural Parts​​

Dummy Grade 6-calowy Sic Substrate Wafel Dia150mm 4H-N 500mm Grubość

Sprzęt do technologii laserowej mikrodżetowej do cięcia płytek metalowych materiał z węglanu krzemu

usługa cięcia laserowego sic chipów sic w płytach kwadratowych 0,5x0,5mm

4-calowe 6-calowe wafle GaN-on-Si GaN-on-SiC Epi do zastosowań RF

300mm wafel z azotku galu GaN-ON-Silicon dla Power Micro LED

8-CALOWE 12-CALOWE 6-CALOWE GaN-On-Si EPI-WAFLE Do aplikacji Power RF LED

SiC Components SiC Ceramics Structural Parts