Wynik wyszukiwania

Dom Produkty silicon carbide substrate Producent internetowy

Wszystkie kategorie

Wafel azotowy galu

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Maszyna do piły drutowej

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

GaAs Wafer

Skontaktuj się z nami

Mr. Wang

eric_wang@zmsh-materials.com

+8615801942596

Skontaktuj się teraz

Twoje poszukiwania

[silicon carbide substrate ]

dopasowanie

224

Produkty

Wyniki wyszukiwania

Dom Produkty silicon carbide substrate Producent internetowy

Wszystkie kategorie

Wafel azotowy galu

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Maszyna do piły drutowej

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

GaAs Wafer

Twoje poszukiwania [ silicon carbide substrate ] dopasowanie 224 Produkty

kupować HPSI High Purity Semi-insulating SiC Wafers 2

HPSI High Purity Semi-insulating SiC Wafers 2"3"4"6" 8" Prime/Dummy/Research Grade

Uzyskaj najlepszą cenę

Piekarnik do hodowli ingotów SiC wykorzystuje metody PVT, Lely TSSG i LPE do hodowli dużych kryształów o rozmiarach 4, 6 i 8 cali.

Uzyskaj najlepszą cenę

8-calowa wafle epitaksjalne SiC, średnica 200mm, grubość 500µm, typ 4H-N

Uzyskaj najlepszą cenę

Piekło do wzrostu kryształów szafirów metodą CZ Piekło Czochralski produkuje wysokiej jakości kryształy szafirów

Uzyskaj najlepszą cenę

GaN na diamencie i dimond na płytce GaN przez epitaksjalny HEMT i wiązanie

Uzyskaj najlepszą cenę

2-calowa średnica 50,8 mm 4H-N typu SiC epitaksjalna płytka dla czujników wysokotemperaturowych

Uzyskaj najlepszą cenę

wideo

Wysokoprecyzyjne urządzenia do jednostronnego polerowania dla wafli Si/SiC/szafiru

Uzyskaj najlepszą cenę

wideo

Maszyna do cięcia wielowiatrowej piły diamentowej do materiałów SiC/safiru/ultra-twardych materiałów kruchych

Uzyskaj najlepszą cenę

SiC Seed Wafer 4H N Type Dia 153 155 2c-12c Dostosowany do produkcji MOSFETów

Uzyskaj najlepszą cenę

6-calowa wafle epitaksjalne SiC o średnicy 150 mm, typ 4H-N, typ 4H-P, do komunikacji 5G

Uzyskaj najlepszą cenę

Urządzenia do cięcia ceramiki, cięcie drutu diamentowego z pojedynczym/wielokrotnym drutem

Uzyskaj najlepszą cenę

2 cale 3 cale 4 cale 6 cale Płytki epitaksjalne SiC 4H-N klasy produkcyjnej

Uzyskaj najlepszą cenę

12 13 14 15 16 17 18 19

Wafel azotowy galu

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Maszyna do piły drutowej

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

GaAs Wafer

Wafel azotowy galu

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Maszyna do piły drutowej

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

GaAs Wafer

Wafel azotowy galu

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Maszyna do piły drutowej

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

GaAs Wafer

[silicon carbide substrate ]

Wafel azotowy galu

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Maszyna do piły drutowej

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

GaAs Wafer

HPSI High Purity Semi-insulating SiC Wafers 2"3"4"6" 8" Prime/Dummy/Research Grade

Piekarnik do hodowli ingotów SiC wykorzystuje metody PVT, Lely TSSG i LPE do hodowli dużych kryształów o rozmiarach 4, 6 i 8 cali.

8-calowa wafle epitaksjalne SiC, średnica 200mm, grubość 500µm, typ 4H-N

Piekło do wzrostu kryształów szafirów metodą CZ Piekło Czochralski produkuje wysokiej jakości kryształy szafirów

GaN na diamencie i dimond na płytce GaN przez epitaksjalny HEMT i wiązanie

2-calowa średnica 50,8 mm 4H-N typu SiC epitaksjalna płytka dla czujników wysokotemperaturowych

​​Wysokoprecyzyjne urządzenia do jednostronnego polerowania dla wafli Si/SiC/szafiru​​

Maszyna do cięcia wielowiatrowej piły diamentowej do materiałów SiC/safiru/ultra-twardych materiałów kruchych

SiC Seed Wafer 4H N Type Dia 153 155 2c-12c Dostosowany do produkcji MOSFETów

6-calowa wafle epitaksjalne SiC o średnicy 150 mm, typ 4H-N, typ 4H-P, do komunikacji 5G

Urządzenia do cięcia ceramiki, cięcie drutu diamentowego z pojedynczym/wielokrotnym drutem

2 cale 3 cale 4 cale 6 cale Płytki epitaksjalne SiC 4H-N klasy produkcyjnej

Wysokoprecyzyjne urządzenia do jednostronnego polerowania dla wafli Si/SiC/szafiru