logo
Produkty
Produkty
Dom > Produkty > Podłoże SiC > 5*5mm/10*10mm Grubość płytki węglowodorku krzemowego 350μm Sic 3C-N Typ Wysoka wytrzymałość mechaniczna

5*5mm/10*10mm Grubość płytki węglowodorku krzemowego 350μm Sic 3C-N Typ Wysoka wytrzymałość mechaniczna

Szczegóły Produktu

Miejsce pochodzenia: Chiny

Nazwa handlowa: ZMSH

Orzecznictwo: rohs

Numer modelu: 3C-N SiC

Warunki płatności i wysyłki

Minimalne zamówienie: 10 procent

Cena: by case

Szczegóły pakowania: spersonalizowane pudełko plastikowe

Czas dostawy: za 30 dni

Zasady płatności: T/T

Możliwość Supply: 1000 szt./miesiąc

Uzyskaj najlepszą cenę
Podkreślić:

Płytki z węglanu krzemowego o długości 350 μm

,

Wafer z węglowodorów krzemowych typu Sic 3C-N

,

Wysokiej wytrzymałości mechanicznej płytki z węglanu krzemowego

Wielkość:
5*5mm/10*10mm
Stała dielektryczna:
9.7
Twardota powierzchni:
HV0,3>2500
gęstość:
3,21 G/cm3
Współczynnik rozszerzalności cieplnej:
4,5 X 10-6/K
Napięcie przebicia:
5,5 MV/cm
Wnioski:
Łączność, systemy radarowe
Wielkość:
5*5mm/10*10mm
Stała dielektryczna:
9.7
Twardota powierzchni:
HV0,3>2500
gęstość:
3,21 G/cm3
Współczynnik rozszerzalności cieplnej:
4,5 X 10-6/K
Napięcie przebicia:
5,5 MV/cm
Wnioski:
Łączność, systemy radarowe
5*5mm/10*10mm Grubość płytki węglowodorku krzemowego 350μm Sic 3C-N Typ Wysoka wytrzymałość mechaniczna

Opis produktu:

5*5mm/10*10mm Grubość płytki węglowodorku krzemowego 350μm Sic 3C-N Typ Wysoka wytrzymałość mechaniczna

3C-SiC (Cubic Silicon Carbide) jest szerokopasmowym materiałem półprzewodnikowym o dobrych właściwościach elektrycznych i termicznych, szczególnie odpowiednim do zastosowań wysokiej częstotliwości,zastosowania dla urządzeń o dużej mocy i urządzeń elektronicznychDoping typu N osiąga się zwykle poprzez wprowadzenie takich pierwiastków jak azot (N) i fosfor (P), co czyni materiał elektronegatywnym i odpowiednim do różnych konstrukcji urządzeń elektronicznych.Próżnia jest około 3Doping typu N nadal utrzymuje wysoką mobilność elektronów, co zwiększa wydajność urządzenia.Doskonała przewodność cieplna pomaga zwiększyć zdolność urządzeń energetycznych do rozpraszania ciepłaMa dobrą wytrzymałość mechaniczną i nadaje się do stosowania w trudnych warunkach. Ma dobrą odporność na szeroki zakres substancji chemicznych i nadaje się do zastosowań przemysłowych.jest stosowany w wysokowydajnych przetwornikach mocy i napędach, nadaje się do pojazdów elektrycznych i systemów energii odnawialnej.

5*5mm/10*10mm Grubość płytki węglowodorku krzemowego 350μm Sic 3C-N Typ Wysoka wytrzymałość mechaniczna 05*5mm/10*10mm Grubość płytki węglowodorku krzemowego 350μm Sic 3C-N Typ Wysoka wytrzymałość mechaniczna 1

Charakterystyka:

· Szeroki przepływ: przepływ około 3,0 eV dla zastosowań o wysokiej temperaturze i wysokim napięciu.
· Wysoka mobilność elektronów: doping typu N zapewnia dobrą mobilność elektronów i zwiększa ogólną wydajność urządzenia.
· Doskonała przewodność cieplna: ma doskonałą przewodność cieplną i skutecznie poprawia działanie rozpraszania ciepła, nadaje się do zastosowań o dużej mocy.
· Dobra wytrzymałość mechaniczna: ma wysoką wytrzymałość i wytrzymałość na ściskanie i nadaje się do stosowania w trudnych warunkach.
· Odporność chemiczna: dobra odporność na szeroki zakres substancji chemicznych, zwiększająca stabilność materiału.
· Regulowane właściwości elektryczne: poprzez regulację stężenia dopingu można osiągnąć różne właściwości elektryczne, aby sprostać potrzebom różnych zastosowań.

5*5mm/10*10mm Grubość płytki węglowodorku krzemowego 350μm Sic 3C-N Typ Wysoka wytrzymałość mechaniczna 25*5mm/10*10mm Grubość płytki węglowodorku krzemowego 350μm Sic 3C-N Typ Wysoka wytrzymałość mechaniczna 3

Parametry techniczne:

5*5mm/10*10mm Grubość płytki węglowodorku krzemowego 350μm Sic 3C-N Typ Wysoka wytrzymałość mechaniczna 4

Zastosowanie:

1Elektronika mocy: dla wysokowydajnych przetworników mocy, falowników i napędów, szeroko stosowanych w pojazdach elektrycznych i systemach energii odnawialnej.
2Sprzęt RF i mikrofalowy: wzmacniacze RF, sprzęt mikrofalowy, szczególnie odpowiedni do systemów komunikacyjnych i radarowych.
3Optoelektronika: może być stosowana jako blok budowlany dla diod LED i detektorów światła, szczególnie w zastosowaniach niebieskich i ultrafioletowych.
4Czujniki: stosowane w szerokim zakresie czujników w środowiskach o wysokiej temperaturze i wysokiej mocy, zapewniające niezawodną wydajność.
5. Bezprzewodowe ładowanie i zarządzanie baterią: Używane w bezprzewodowych systemach ładowania i urządzeniach zarządzania baterią w celu poprawy wydajności i wydajności.
6Przemysłowy sprzęt elektryczny: Używany w systemach automatyki i sterowania przemysłowego w celu poprawy efektywności energetycznej i stabilności systemu.
5*5mm/10*10mm Grubość płytki węglowodorku krzemowego 350μm Sic 3C-N Typ Wysoka wytrzymałość mechaniczna 55*5mm/10*10mm Grubość płytki węglowodorku krzemowego 350μm Sic 3C-N Typ Wysoka wytrzymałość mechaniczna 6

Dostosowanie:

Nasz substrat SiC jest dostępny w typie 3C-N i jest certyfikowany RoHS. Minimalna ilość zamówienia wynosi 10 p.c. a cena jest według przypadku.Czas dostawy jest w ciągu 30 dni i akceptujemy warunki płatności T / TNasza zdolność dostaw to 1000 sztuk/miesiąc.

5*5mm/10*10mm Grubość płytki węglowodorku krzemowego 350μm Sic 3C-N Typ Wysoka wytrzymałość mechaniczna 7

Nasze usługi

1- bezpośrednia produkcja i sprzedaż.

2Szybkie, dokładne cytaty.

3Odpowiemy w ciągu 24 godzin roboczych.

4. ODM: Dostępny jest zamówiony projekt.

5Szybkość i cenna dostawa.

Częste pytania:

P: Czy wasza firma pracuje tylko z biznesem SIC?
A: Tak, ale nie będziemy sami uprawiać kryształu.

P: Czy mogę dostosować produkty do moich potrzeb?
O: Tak, możemy dostosować materiał, specyfikacje i kształt, rozmiar w zależności od Twoich potrzeb.

P: Gdzie znajduje się pańska firma?
A: Nasza firma znajduje się w Szanghaju w Chinach.

P: Ile czasu zajmie dostarczenie produktów?
A: Ogólnie rzecz biorąc, przetwarzanie potrwa 3~4 tygodnie. To zależy od wielkości produktów.