Wynik wyszukiwania

Dom Produkty sic wafer Producent internetowy

Wszystkie kategorie

Wafel azotowy galu

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Maszyna do piły drutowej

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

GaAs Wafer

Skontaktuj się z nami

Mr. Wang

eric_wang@zmsh-materials.com

+8615801942596

Skontaktuj się teraz

Twoje poszukiwania

[sic wafer ]

dopasowanie

289

Produkty

4-calowa płytka Si Dia 100mm Grubość 350um Orientacja <100> DSP SSP Niestandardowe płytki krzemowe typu N typu P

Uzyskaj najlepszą cenę

Wyniki badań na podstawie danych naukowych, które zostały przeprowadzone w wyniku badań, wskazują, że nie ma żadnych dowodów na to, że w wyniku badań naukowych nie stwierdzono żadnych istotnych skutków.

Uzyskaj najlepszą cenę

Syc soczewka optyczna 10x10x10mmt 4H-SEMI HPSI kształt i rozmiar dostosowany 6SP grubość 10.05

Uzyskaj najlepszą cenę

wideo

2c, 3c, 4c Substrat SiC 330um Grubość 4H-N

Uzyskaj najlepszą cenę

Jednoczęściowe poziome pudełko do pakowania wafli 1"-12" PP PC Transporter wafli z piankową amortyzacją

Uzyskaj najlepszą cenę

wideo

8Inch Wafer Transport Cassette Box 200mm Corrosion-Resistant High-Temperature Rated

Uzyskaj najlepszą cenę

6-calowa metoda wzrostu VGF typu P GaAs Wafle GaAs Substraty

Uzyskaj najlepszą cenę

3" InSb Wafery IR Detektor Fotodiody Czujnik obrazu termicznego 85 GHz

Uzyskaj najlepszą cenę

SiC Seed Wafer 4H N Type Dia 153 155 2c-12c Dostosowany do produkcji MOSFETów

Uzyskaj najlepszą cenę

Płytki z nasion kryształowych SiC Dia 205 203 208 Producent PVT/HTCVD wzrost

Uzyskaj najlepszą cenę

6-calowa wafle epitaksjalne SiC o średnicy 150 mm, typ 4H-N, typ 4H-P, do komunikacji 5G

Uzyskaj najlepszą cenę

2-calowa średnica 50,8 mm 4H-N typu SiC epitaksjalna płytka dla czujników wysokotemperaturowych

Uzyskaj najlepszą cenę

HPSI High Purity Semi-insulating SiC Wafers 2"3"4"6" 8" Prime/Dummy/Research Grade

Uzyskaj najlepszą cenę

8-calowa podłoże epitaksjalne SiC MOS Grade Prime Grade 4H-N Typu Duża Średnica

Uzyskaj najlepszą cenę

SiC crystal 4H-SEMI 4 "Wafel optyczny z węglika krzemu

Uzyskaj najlepszą cenę

Przezroczysta soczewka optyczna SIC Crystal 4H-SEMI Dostosowany rozmiar

Uzyskaj najlepszą cenę

3 4 5 6 7 8 9 10

Wyniki wyszukiwania

Dom Produkty sic wafer Producent internetowy

Wszystkie kategorie

Wafel azotowy galu

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Maszyna do piły drutowej

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

GaAs Wafer

Twoje poszukiwania [ sic wafer ] dopasowanie 289 Produkty

SIC Wafel z kryształowego węglika krzemu

Uzyskaj najlepszą cenę

4 cali 3C N-typ SiC podłoża Karbid krzemowy podłoża gruby 350um Prime klasy klasy Dummy

Uzyskaj najlepszą cenę

wideo

4H-SEMI Podłoże SiC 2 cale Grubość 350um 500um Klasa Prime/Dummy AR Glasses Optical Grade

Uzyskaj najlepszą cenę

4H-N SiC podłoże Silicon Carbon Substrate Square 5mm*5mm Zindywidualizowana grubość 350um Prime Grade/ Dummy Grade

Uzyskaj najlepszą cenę

2 cali 4 cali 6 cali Sic Substrat z węglowodorem krzemowym 6H Wysoki P-doped Typ od osi 4.0° w kierunku Prime Grade Dummy Grade

Uzyskaj najlepszą cenę

4H-N typu SiC Substrate 10x10mm Wafer do elektroniki mocy

Uzyskaj najlepszą cenę

Opcja podłoża z węglanu krzemu (SiC) dla zastosowań przemysłowych o wysokim standardzie

Uzyskaj najlepszą cenę

4 cali 4H-N Substrat SiC z węglem krzemowym Dia 100mm N typu Prime Grade Dummy Grade Grubość 350um

Uzyskaj najlepszą cenę

8-calowa płytka z węglowodorem krzemu SiC 4H-N Typ P/D/R Stopień Mohs.9 Wielokrotne zastosowania Dostosowanie

Uzyskaj najlepszą cenę

Wafer z węglem krzemowym Sic Substrat 4H-P Typ od osi 4,0° do zera Stopień czujnika temperatury

Uzyskaj najlepszą cenę

wideo

4° Poza oś SiC Substrat 2 cali Aplikacje wysokiej temperatury Wafer epitaksyalny

Uzyskaj najlepszą cenę

Sic Karbid krzemowy podłoża typu 6H-P na osi 0° Twardość Mohsa 9,2 dla urządzenia laserowego

Uzyskaj najlepszą cenę

3 4 5 6 7 8 9 10