Wynik wyszukiwania

Dom Produkty sic wafer Producent internetowy

Wszystkie kategorie

Wafel azotowy galu

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Maszyna do piły drutowej

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

GaAs Wafer

Skontaktuj się z nami

Mr. Wang

eric_wang@zmsh-materials.com

+8615801942596

Skontaktuj się teraz

Twoje poszukiwania

[sic wafer ]

dopasowanie

286

Produkty

wideo

Karbyd krzemowy płytki 8 cali 200 mm Polerowanie Substrat półprzewodnik

Uzyskaj najlepszą cenę

Półizolacyjny SiC na płytce Si 4H-SEMI podłoża typu P typu N grubość 500um

Uzyskaj najlepszą cenę

Wykorzystuje się w tym celu wzorzec "Custom Sic Ceramics Carrier End Effector for Wafer Handling".

Uzyskaj najlepszą cenę

wideo

4H-SEMI SiC Substrate Cutting Disc Dia 10 mm Grubość 5 mm <0001> Wysoka twardość

Uzyskaj najlepszą cenę

Wafer z węglowodorów krzemowych Sic 6H-P Typ OFF Axis 2.0° W kierunku produkcji

Uzyskaj najlepszą cenę

12-calowy 300mm SiC Silicon Carbide Wafer 4H-N Typ Dummy Prime Research Grade Wielokrotne zastosowania

Uzyskaj najlepszą cenę

12 cali średnica 300 mm SIC Substrat Epitaxial Polerowana płytka silikonowa węglowodorkowa ingot Prime Grade 4H-N Typ przewodzący słoneczny fotowoltaiczny

Uzyskaj najlepszą cenę

wideo

4H-N typu SiC Substrate 10x10mm Wafer do elektroniki mocy

Uzyskaj najlepszą cenę

SIC Wafel z kryształowego węglika krzemu

Uzyskaj najlepszą cenę

4 cali 3C N-typ SiC podłoża Karbid krzemowy podłoża gruby 350um Prime klasy klasy Dummy

Uzyskaj najlepszą cenę

wideo

4H-SEMI Podłoże SiC 2 cale Grubość 350um 500um Klasa Prime/Dummy AR Glasses Optical Grade

Uzyskaj najlepszą cenę

4H-N SiC podłoże Silicon Carbon Substrate Square 5mm*5mm Zindywidualizowana grubość 350um Prime Grade/ Dummy Grade

Uzyskaj najlepszą cenę

2 cali 4 cali 6 cali Sic Substrat z węglowodorem krzemowym 6H Wysoki P-doped Typ od osi 4.0° w kierunku Prime Grade Dummy Grade

Uzyskaj najlepszą cenę

4H-N typu SiC Substrate 10x10mm Wafer do elektroniki mocy

Uzyskaj najlepszą cenę

Opcja podłoża z węglanu krzemu (SiC) dla zastosowań przemysłowych o wysokim standardzie

Uzyskaj najlepszą cenę

4 cali 4H-N Substrat SiC z węglem krzemowym Dia 100mm N typu Prime Grade Dummy Grade Grubość 350um

Uzyskaj najlepszą cenę

1 2 3 4 5 6 7 8

Wyniki wyszukiwania

Dom Produkty sic wafer Producent internetowy

Wszystkie kategorie

Wafel azotowy galu

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Maszyna do piły drutowej

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

GaAs Wafer

Twoje poszukiwania [ sic wafer ] dopasowanie 286 Produkty

produkcja manekinów Węglik krzemu klasy badawczej o wysokiej czystości, 4-godzinny pół-nie-domieszkowany przezroczysty wafel sic

Uzyskaj najlepszą cenę

wideo

Wysokoprecyzyjne urządzenia do jednostronnego polerowania dla wafli Si/SiC/szafiru

Uzyskaj najlepszą cenę

usługa cięcia laserowego sic chipów sic w płytach kwadratowych 0,5x0,5mm

Uzyskaj najlepszą cenę

Podłoże o stałej dielektrycznej 9,7 i przewodności cieplnej 4,9 W/mK

Uzyskaj najlepszą cenę

wideo

3' 4' 350um 500um SSP DSP 4H- 6H- Research Dummy Grade SIC Epitaxial Substrates

Uzyskaj najlepszą cenę

CVD SiC Epitaxy Wafer 2c 3c 4c 6c grubość epitaxy 2,5-120 um do zasilania elektronicznego

Uzyskaj najlepszą cenę

Wafer z węglanu krzemowego 6H typu P standardowy stopień produkcji Dia:1450,5 mm~150,0 mm Grubość 350 μm ± 25 μm

Uzyskaj najlepszą cenę

Karburowa płytka krzemowa 6H P-Type & 4H P-Type Zero MPD Production Dummy Grade Dia 4in 6in

Uzyskaj najlepszą cenę

4H-N Karbid Silikonowy SiC Substrat 2c 3c 4c 6c 8c 12c Prime Grade Dummy Grade

Uzyskaj najlepszą cenę

Karburowa płytka krzemowa 4H P-Type Zero MPD Production Grade Dummy

Uzyskaj najlepszą cenę

2 cale 3 cale 4 cale 6 cale Płytki epitaksjalne SiC 4H-N klasy produkcyjnej

Uzyskaj najlepszą cenę

wideo

Wafer z węglowodorów krzemowych o grubości powierzchni ≤ 0,2 nm

Uzyskaj najlepszą cenę

1 2 3 4 5 6 7 8

Wafel azotowy galu

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Maszyna do piły drutowej

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

GaAs Wafer

Wafel azotowy galu

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Maszyna do piły drutowej

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

GaAs Wafer

Wafel azotowy galu

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Maszyna do piły drutowej

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

GaAs Wafer

[sic wafer ]

Wafel azotowy galu

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Maszyna do piły drutowej

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

GaAs Wafer

produkcja manekinów Węglik krzemu klasy badawczej o wysokiej czystości, 4-godzinny pół-nie-domieszkowany przezroczysty wafel sic

​​Wysokoprecyzyjne urządzenia do jednostronnego polerowania dla wafli Si/SiC/szafiru​​

usługa cięcia laserowego sic chipów sic w płytach kwadratowych 0,5x0,5mm

Podłoże o stałej dielektrycznej 9,7 i przewodności cieplnej 4,9 W/mK

3' 4' 350um 500um SSP DSP 4H- 6H- Research Dummy Grade SIC Epitaxial Substrates

CVD SiC Epitaxy Wafer 2c 3c 4c 6c grubość epitaxy 2,5-120 um do zasilania elektronicznego

Wafer z węglanu krzemowego 6H typu P standardowy stopień produkcji Dia:1450,5 mm~150,0 mm Grubość 350 μm ± 25 μm

Karburowa płytka krzemowa 6H P-Type & 4H P-Type Zero MPD Production Dummy Grade Dia 4in 6in

4H-N Karbid Silikonowy SiC Substrat 2c 3c 4c 6c 8c 12c Prime Grade Dummy Grade

Karburowa płytka krzemowa 4H P-Type Zero MPD Production Grade Dummy

2 cale 3 cale 4 cale 6 cale Płytki epitaksjalne SiC 4H-N klasy produkcyjnej

Wafer z węglowodorów krzemowych o grubości powierzchni ≤ 0,2 nm

Wysokoprecyzyjne urządzenia do jednostronnego polerowania dla wafli Si/SiC/szafiru