3 cali HPSI Silikon węglowodorowy SiC grubość podłoża 500um Prime Grade Dummy Grade Research Grade Translucent

3 cali HPSI Silikon węglowodorowy SiC grubość podłoża 500um Prime Grade Dummy Grade Research Grade Translucent

O HPSI

Wafer HPSI SiC jest zaawansowanym materiałem półprzewodnikowym, który jest szeroko stosowany w urządzeniach elektronicznych w środowisku o wysokiej mocy, wysokiej częstotliwości i wysokiej temperaturze.właściwości półizolacyjne, szeroka przepustowość, wysoka przewodność cieplna, wysoka odporność na temperaturę. Może być stosowany w elektronikach mocy, urządzeniach RF, czujnikach wysokiej temperatury.

Płytki HPSI SiC stały się ważnymi materiałami do nowoczesnych urządzeń elektronicznych o wysokiej technologii ze względu na ich doskonałe właściwości elektryczne i termiczne.jego zakres zastosowań będzie się nadal rozszerzał.

- Nie.

Właściwości 4H-SEMI SiC

- Wysoka czystość: płytki SiC HPSI zmniejszają wpływ zanieczyszczeń i poprawiają wydajność i niezawodność urządzenia.

-Właściwości półizolacyjne: ta płytka ma dobre właściwości półizolacyjne, które mogą skutecznie tłumić prądy pasożytnicze i nadają się do zastosowań o wysokiej częstotliwości.

- szerokopasmowa przepaść: SiC ma szerokopasmową przepaść (około 3,3 eV), dzięki czemu jest doskonały w środowiskach o wysokiej temperaturze, wysokiej mocy i promieniowaniu.

- Wysoka przewodność cieplna: węglik krzemowy ma wysoką przewodność cieplną, co pomaga rozpraszać ciepło i poprawia stabilność pracy i żywotność urządzenia.

-Oporność na wysokie temperatury: SiC może pracować stabilnie w wysokich temperaturach i nadaje się do zastosowań w ekstremalnych warunkach.

CechyHPSI SiC

*Proszę skontaktować się z nami, jeśli masz wymagania.

Stosowanie HPSI

- Elektronika energetyczna: Używana do produkcji wydajnych przetworników i falowników mocy, szeroko stosowanych w pojazdach elektrycznych, energiach odnawialnych i systemach przesyłu energii.

-Urządzenia RF: W systemach komunikacyjnych i radarowych płytki SiC mogą poprawić moc przetwarzania sygnału i odpowiedź częstotliwości.

- czujniki wysokiej temperatury: czujniki wysokiej temperatury dla ropy naftowej, gazu i lotnictwa.

Częste pytania

1. Q:Jaka jest różnica między SI a SiC?

A:SiC jest szerokopasmowym półprzewodnikiem o szerokości pasma od 2,2 do 3,3 woltów elektronowych (eV).

2P:Dlaczego węglik krzemowy jest tak drogi?

A: Ponieważ sProdukty z węglika krzemowego są trudne do wytworzenia.