2-calowy N-typ 6H polityp Substrat węglanu krzemowego optoelektronika wzrost azotu galium

Opis produktu

To...2-calowy (50,8 mm) 6H-politypowy, N-typ Silicon Carbide waferjest wysokiej wydajności półprzewodnikowy substrat engineered for advanced research and specialized electronic applications. Leveraging a wide bandgap of approximately3.02 eV, ta płytka zapewnia lepszą przewodność cieplną i wysoką siłę pola rozbicia w porównaniu z tradycyjnym krzemowym.

Doped with Nitrogen to achieve consistent N-type conductivity, to features a typical resistivity range of00,030.080Ohm-cmSubstrat jest precyzyjnie wypolerowany za pomocą chemicznego polerowania mechanicznego na powierzchni krzemowej do grubości atomowej (Ra < 0.5Standardized at a330Umthickness with a primary flat oriented to the < grubość z główną płaskością zorientowaną na <1010>To niezbędne narzędzie do opracowywania czujników UV, elektroniki wysokiej temperatury i GaN-on-SiC.

Charakterystyka:

1.szeroki przedział
The 6H-polytype provides a robust bandgap of3.02 eV, znacząco przewyższając tradycyjny krzemowy w środowiskach wysokiego napięcia i wysokiej temperatury.Ta właściwość fizyczna pozwala materiałowi zachować integralność strukturalną i elektryczną pod ekstremalnym stresem cieplnym., co czyni go idealnym podłożem dla specjalistycznych UV-optoelektroniki i czujników o odporności na promieniowanie, które wymagają długotrwałej stabilności.

2Precision Surface polishing.

Każdy wafer poddaje się rygorystycznemu procesowi Chemical Mechanical Polishing, co powoduje płynność na poziomie atomowym (Ra < 0.5To pierwotne wykończenie powierzchni jest krytyczne dla wysokiej wydajności wzrostu epitaxialnego,minimizing lattice mismatches and defect propagation when depositing gallium nitride or additional silicon carbide layers for device fabrication (zminimalizowanie nierówności siatkowych i rozprzestrzeniania się wad).

3. Doskonała przewodność cieplna

Z przewodnictwem cieplnym osiągającym do4.9 W/cm·KPrzez przemieszczanie energii cieplnej z dala od aktywnych warstw urządzenia trzy razy szybciej niż krzemowy,it enables higher power densities and reduces the size and weight of cooling systems in compact power modules - umożliwia wyższe gęstości zasilania i zmniejsza wielkość i wagę systemów chłodzenia w kompaktowych modułach zasilania.

Zastosowanie:

Elektryka energetyczna i konwersja energii

2-calowa płytka silikonowa typu 6H N służy jako podstawowy blok budowlany dla zaawansowanej elektroniki mocy, szczególnie w sektorach wymagających wysokiej wydajności konwersji energii.Due to its wide bandgap and high thermal conductivity W związku z jego szerokim zakresem i wysoką przewodnością cieplną, jest używany do opracowywania diod barierowych Schottky'ego i zasilania MOSFET-ów, które działają daleko poza termiczne ograniczenia tradycyjnego krzemu.Te komponenty są niezbędne dla zmniejszenia strat energii w napędach silników przemysłowych.Dzięki umożliwieniu wyższych częstotliwości przełączania, ta płytka pomaga inżynierom projektować mniejsze, lżejsze i bardziej wydajne moduły zasilania.ultimately driving the transition towards greener energy systems and more reliable high-voltage grid infrastructures across various global industrial applications. W końcu prowadząc przejście w kierunku zielonych systemów energetycznych i bardziej niezawodnych infrastruktur sieci wysokiego napięcia w różnych globalnych zastosowaniach przemysłowych..

Optoelektronika i UV Sensing Technology

W dziedzinie optoelektroniki, 6H-SiC jest premier substrate choice for high-performance ultraviolet (UV) light detection and specialized LED fabrication.Jego unikalna struktura elektroniczna sprawia, że naturalnie jest "ślepy" na światło widzialne, pozostając bardzo wrażliwy na spektrum UV.Ponadto, ponieważ jego stała siatka jest bliskim dopasowaniem do nitru galliowego (GaN),these wafers are frequently used as a base for growing high-quality epitaxial layers te płytki są często używane jako podstawa do uprawy wysokiej jakości warstw epitaxialnych. This synergy allows for the creation of high-brightness blue and violet light-emitting diodes and laser diodes that maintain consistent performance and longevity even when subjected to intense operational heat or radiation.

Badania, rozwój i testowanie prototypów

2-calowy format płytki typu 6H N jest szczególnie ceniony w akademickich i korporacyjnych laboratoriach badawczych dla testów pilotażowych i charakterystyki materiałów. Its manageable size and cost-effectiveness allow researchers to experiment with novel thin-film deposition techniques and advanced lithography processes without the high overhead associated with larger-diameter production wafersJest niezbędnym narzędziem do badania fizyki szerokopasmowych półprzewodników, w tym mobilności przewoźnika i interfejsu trapping at the SiC/SiO2 boundary.Te płytki przyspieszają rozwój nowej generacji czujników wysokiej temperatury i elektryki o odporności na promieniowanie przeznaczonej do eksploracji lotniczej., głębokie wiercenie studni, i inne ekstremalne środowiska, gdzie standardowe półprzewodniki nieuchronnie zawiedzą.

Parametry techniczne: