Wynik wyszukiwania

Dom Produkty 4H SiC Producent internetowy

Wszystkie kategorie

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Maszyna do piły drutowej

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

Wafel azotowy galu

GaAs Wafer

Skontaktuj się z nami

Mr. Wang

eric_wang@zmsh-materials.com

+8615801942596

Skontaktuj się teraz

Twoje poszukiwania

[4H SiC ]

dopasowanie

158

Produkty

8-calowa podłoże epitaksjalne SiC MOS Grade Prime Grade 4H-N Typu Duża Średnica

Uzyskaj najlepszą cenę

wideo

Substrat płytek SiC Epitaxial Półprzewodnik Przemysłowe zastosowania 4H-N

Uzyskaj najlepszą cenę

2 cali 4H-P SIC Wafer z węglanu krzemowego dla fotowoltaiki Grubość 350 μm Średnica 50,8 mm Zero Grade

Uzyskaj najlepszą cenę

4-calowa płytka Silicon Carbide Sic typu 4H-P średnica 100 mm grubość 350 μm Prime Grade Research Grade

Uzyskaj najlepszą cenę

2/4/6/8 cali Sic Kryształowe nasiona węglowodorów krzemowych Substrat 4H-N Typ Wysoka twardość P stopnia R stopnia D stopnia

Uzyskaj najlepszą cenę

Płytki SiC z węglika krzemu 4H-N / półizolacyjne

Uzyskaj najlepszą cenę

CVD SiC Epitaxy Wafer 2c 3c 4c 6c grubość epitaxy 2,5-120 um do zasilania elektronicznego

Uzyskaj najlepszą cenę

8-calowa płytka SiC, krzemowa płytka Karburowa, Prime Dummy Research Grade 500um 350 Um.

Uzyskaj najlepszą cenę

Podłoże 3C-SiC typu N klasy produktu do komunikacji 5G

Uzyskaj najlepszą cenę

Substraty 3C-SiC klasy premium: płytki klasy produkcyjnej typu N do 5G i elektroniki mocy

Uzyskaj najlepszą cenę

2-calowy 4-calowy 6-calowy 8-calowy wafel z węglika krzemu Wafle Sic Dummy Research Prime Grade

Uzyskaj najlepszą cenę

Płytki z nasion kryształowych SiC Dia 205 203 208 Producent PVT/HTCVD wzrost

Uzyskaj najlepszą cenę

wideo

Karbid krzemowy prostokątny podłoża SiC chip dla zaawansowanej elektroniki

Uzyskaj najlepszą cenę

Półizolacyjny SiC na płytce Si 4H-SEMI podłoża typu P typu N grubość 500um

Uzyskaj najlepszą cenę

wideo

4° Poza oś SiC Substrat 2 cali Aplikacje wysokiej temperatury Wafer epitaksyalny

Uzyskaj najlepszą cenę

Karbid krzemowy SIC Wafer 10*10 mm 6H-P Grubość 350μm Dla urządzeń o dużej mocy

Uzyskaj najlepszą cenę

1 2 3 4 5 6 7 8

Wyniki wyszukiwania

Dom Produkty 4H SiC Producent internetowy

Wszystkie kategorie

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Maszyna do piły drutowej

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

Wafel azotowy galu

GaAs Wafer

Twoje poszukiwania [ 4H SiC ] dopasowanie 120 Produkty

wideo

Płytka z węglika krzemu 4H dla elektroniki mocy, urządzeń RF i optoelektroniki UV

Uzyskaj najlepszą cenę

Syc soczewka optyczna 10x10x10mmt 4H-SEMI HPSI kształt i rozmiar dostosowany 6SP grubość 10.05

Uzyskaj najlepszą cenę

Wysokiej czystości niedomieszkowany wafel krzemowy z węglika krzemu, 6-calowy, półsic 4H-Sic z węglika krzemu

Uzyskaj najlepszą cenę

4 cali 3C N-typ SiC podłoża Karbid krzemowy podłoża gruby 350um Prime klasy klasy Dummy

Uzyskaj najlepszą cenę

Sic płytka z węglanu krzemowego typu 4H-P na osi 0°Używana do produkcji urządzeń o dużej mocy

Uzyskaj najlepszą cenę

2 cali/4 cali/6 cali/5,05,0 mm/10,010,0 mm Sic Substrat węglanu krzemowego typ 3C-N Na osi: < 111 > ± 0,5° Poziom produkcji Poziom fałszywy

Uzyskaj najlepszą cenę

4H-SEMI Polished Sic Wafer lens 2 cale 3 cale 4 cale 9,0 twardość materiału urządzenia

Uzyskaj najlepszą cenę

wideo

2sp 4H-SEMI 4H-N SIC Wafel z węglika krzemu 10 X 10 X 0,5 mm

Uzyskaj najlepszą cenę

kupić Niestandardowy wafel SiC typu przewodzącego do wysokotemperaturowych urządzeń zasilających o wysokim napięciu Fotowoltaika słoneczna produkcja online

Niestandardowy wafel SiC typu przewodzącego do wysokotemperaturowych urządzeń zasilających o wysokim napięciu Fotowoltaika słoneczna

Uzyskaj najlepszą cenę

12-calowa płytka silikonowa węglowodorek 4H-N

Uzyskaj najlepszą cenę

8-calowa wafle epitaksjalne SiC, średnica 200mm, grubość 500µm, typ 4H-N

Uzyskaj najlepszą cenę

4-calowa płytka SiC Epitaxial 4H-N średnica 100 mm grubość 350 μm Prime Grade

Uzyskaj najlepszą cenę

1 2 3 4 5 6 7 8

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Maszyna do piły drutowej

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

Wafel azotowy galu

GaAs Wafer

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Maszyna do piły drutowej

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

Wafel azotowy galu

GaAs Wafer

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Maszyna do piły drutowej

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

Wafel azotowy galu

GaAs Wafer

[4H SiC ]

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Maszyna do piły drutowej

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

Wafel azotowy galu

GaAs Wafer

Płytka z węglika krzemu 4H dla elektroniki mocy, urządzeń RF i optoelektroniki UV

Syc soczewka optyczna 10x10x10mmt 4H-SEMI HPSI kształt i rozmiar dostosowany 6SP grubość 10.05

Wysokiej czystości niedomieszkowany wafel krzemowy z węglika krzemu, 6-calowy, półsic 4H-Sic z węglika krzemu

4 cali 3C N-typ SiC podłoża Karbid krzemowy podłoża gruby 350um Prime klasy klasy Dummy

Sic płytka z węglanu krzemowego typu 4H-P na osi 0°Używana do produkcji urządzeń o dużej mocy

2 cali/4 cali/6 cali/5,0*5,0 mm/10,0*10,0 mm Sic Substrat węglanu krzemowego typ 3C-N Na osi: < 111 > ± 0,5° Poziom produkcji Poziom fałszywy

4H-SEMI Polished Sic Wafer lens 2 cale 3 cale 4 cale 9,0 twardość materiału urządzenia

2sp 4H-SEMI 4H-N SIC Wafel z węglika krzemu 10 X 10 X 0,5 mm

Niestandardowy wafel SiC typu przewodzącego do wysokotemperaturowych urządzeń zasilających o wysokim napięciu Fotowoltaika słoneczna

12-calowa płytka silikonowa węglowodorek 4H-N

8-calowa wafle epitaksjalne SiC, średnica 200mm, grubość 500µm, typ 4H-N

4-calowa płytka SiC Epitaxial 4H-N średnica 100 mm grubość 350 μm Prime Grade

2 cali/4 cali/6 cali/5,05,0 mm/10,010,0 mm Sic Substrat węglanu krzemowego typ 3C-N Na osi: < 111 > ± 0,5° Poziom produkcji Poziom fałszywy