Wynik wyszukiwania

Dom Produkty 4H SiC Producent internetowy

Wszystkie kategorie

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Maszyna do piły drutowej

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

Wafel azotowy galu

GaAs Wafer

Skontaktuj się z nami

Mr. Wang

eric_wang@zmsh-materials.com

+8615801942596

Skontaktuj się teraz

Twoje poszukiwania

[4H SiC ]

dopasowanie

158

Produkty

Wafer silikonowy

Uzyskaj najlepszą cenę

2-calowy Dia 50,8 mm 4H-Semi SiC Substrate Pojedynczy kryształ klasy badawczej

Uzyskaj najlepszą cenę

SiC Ingot 6 cali Ingot 4H-N SiC Prime Grade Dummy Grade Silicon Carbide Ingot High Hardness Ingot

Uzyskaj najlepszą cenę

Sic Silicon Carbide Wafer 55mm/1010mm 4H-P Typ Produkcja

Uzyskaj najlepszą cenę

wideo

Płytka z węglika krzemu 4H dla elektroniki mocy, urządzeń RF i optoelektroniki UV

Uzyskaj najlepszą cenę

Syc soczewka optyczna 10x10x10mmt 4H-SEMI HPSI kształt i rozmiar dostosowany 6SP grubość 10.05

Uzyskaj najlepszą cenę

Wysokiej czystości niedomieszkowany wafel krzemowy z węglika krzemu, 6-calowy, półsic 4H-Sic z węglika krzemu

Uzyskaj najlepszą cenę

4 cali 3C N-typ SiC podłoża Karbid krzemowy podłoża gruby 350um Prime klasy klasy Dummy

Uzyskaj najlepszą cenę

Sic płytka z węglanu krzemowego typu 4H-P na osi 0°Używana do produkcji urządzeń o dużej mocy

Uzyskaj najlepszą cenę

2 cali/4 cali/6 cali/5,05,0 mm/10,010,0 mm Sic Substrat węglanu krzemowego typ 3C-N Na osi: < 111 > ± 0,5° Poziom produkcji Poziom fałszywy

Uzyskaj najlepszą cenę

4H-SEMI Polished Sic Wafer lens 2 cale 3 cale 4 cale 9,0 twardość materiału urządzenia

Uzyskaj najlepszą cenę

wideo

2sp 4H-SEMI 4H-N SIC Wafel z węglika krzemu 10 X 10 X 0,5 mm

Uzyskaj najlepszą cenę

Niestandardowy wafel SiC typu przewodzącego do wysokotemperaturowych urządzeń zasilających o wysokim napięciu Fotowoltaika słoneczna

Uzyskaj najlepszą cenę

12-calowa płytka silikonowa węglowodorek 4H-N

Uzyskaj najlepszą cenę

4-calowa płytka SiC Epitaxial 4H-N średnica 100 mm grubość 350 μm Prime Grade

Uzyskaj najlepszą cenę

8-calowa wafle epitaksjalne SiC, średnica 200mm, grubość 500µm, typ 4H-N

Uzyskaj najlepszą cenę

1 2 3 4 5 6 7 8

Wyniki wyszukiwania

Dom Produkty 4H SiC Producent internetowy

Wszystkie kategorie

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Maszyna do piły drutowej

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

Wafel azotowy galu

GaAs Wafer

Twoje poszukiwania [ 4H SiC ] dopasowanie 120 Produkty

4H-N 4-calowy substrat SiC z azotku krzemu Podłoże atrapy SiC do urządzeń o dużej mocy

Uzyskaj najlepszą cenę

wideo

4H-SEMI Podłoże SiC 2 cale Grubość 350um 500um Klasa Prime/Dummy AR Glasses Optical Grade

Uzyskaj najlepszą cenę

Substrat SiC o średnicy 6 cm, 8 cm, 4H-SEMI do okularów AR

Uzyskaj najlepszą cenę

2 cali 4H-N Silikon węglowodorny SiC Substrat grubość 350um 500um SiC płytki Prime Grade Dummy Grade

Uzyskaj najlepszą cenę

wideo

Substrat SiC o grubości 4H-N 350um stosowany w optoelektroniki materiał półprzewodnikowy

Uzyskaj najlepszą cenę

4H-P Karbyd krzemu SiC Substrat 4 cali SIC Wafer 6H-P Do osadzenia nitrurowego III-V

Uzyskaj najlepszą cenę

6H-P Karbid Silikonowy Substrat SiC 6 cali SIC Wafer 4H-P Do urządzeń optoelektronicznych

Uzyskaj najlepszą cenę

6 cali Sic Substrat z węglanu krzemu 4H-P Prężnica 150 mm Grubość 350 μm Zero MPD Produkcja, standardowa produkcja

Uzyskaj najlepszą cenę

Wafer silikonowy

Uzyskaj najlepszą cenę

2-calowy Dia 50,8 mm 4H-Semi SiC Substrate Pojedynczy kryształ klasy badawczej

Uzyskaj najlepszą cenę

SiC Ingot 6 cali Ingot 4H-N SiC Prime Grade Dummy Grade Silicon Carbide Ingot High Hardness Ingot

Uzyskaj najlepszą cenę

Sic Silicon Carbide Wafer 55mm/1010mm 4H-P Typ Produkcja

Uzyskaj najlepszą cenę

1 2 3 4 5 6 7 8

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Maszyna do piły drutowej

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

Wafel azotowy galu

GaAs Wafer

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Maszyna do piły drutowej

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

Wafel azotowy galu

GaAs Wafer

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Maszyna do piły drutowej

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

Wafel azotowy galu

GaAs Wafer

[4H SiC ]

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Maszyna do piły drutowej

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

Wafel azotowy galu

GaAs Wafer

4H-N 4-calowy substrat SiC z azotku krzemu Podłoże atrapy SiC do urządzeń o dużej mocy

4H-SEMI Podłoże SiC 2 cale Grubość 350um 500um Klasa Prime/Dummy AR Glasses Optical Grade

Substrat SiC o średnicy 6 cm, 8 cm, 4H-SEMI do okularów AR

2 cali 4H-N Silikon węglowodorny SiC Substrat grubość 350um 500um SiC płytki Prime Grade Dummy Grade

Substrat SiC o grubości 4H-N 350um stosowany w optoelektroniki materiał półprzewodnikowy

4H-P Karbyd krzemu SiC Substrat 4 cali SIC Wafer 6H-P Do osadzenia nitrurowego III-V

6H-P Karbid Silikonowy Substrat SiC 6 cali SIC Wafer 4H-P Do urządzeń optoelektronicznych

6 cali Sic Substrat z węglanu krzemu 4H-P Prężnica 150 mm Grubość 350 μm Zero MPD Produkcja, standardowa produkcja

Wafer silikonowy

2-calowy Dia 50,8 mm 4H-Semi SiC Substrate Pojedynczy kryształ klasy badawczej

SiC Ingot 6 cali Ingot 4H-N SiC Prime Grade Dummy Grade Silicon Carbide Ingot High Hardness Ingot

Sic Silicon Carbide Wafer 5*5mm/10*10mm 4H-P Typ Produkcja

Sic Silicon Carbide Wafer 55mm/1010mm 4H-P Typ Produkcja