

Dom

O nas

profil firmy

Wycieczka po fabryce

Kontrola jakości

Często zadawane pytania

Produkty

Wafel azotowy galu

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Maszyna do piły drutowej

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

GaAs Wafer

rozwiązania

Blog

Skontaktuj się z nami

Zakupy

zacytować

Polecam wam te filmy

Powtórna rozgrywka

Następny filmik

Silicon Carbide Rectangle Substrate SiC Chip for Advanced Electronics

Podłoże SiC

2025-12-09

porozmawiaj teraz

Podział

#wafel sic #substrat sic #podłoże z węglika krzemu

Silicon Carbide Rectangle Substrate SiC Chip for Advanced Electronics Product Overview: The Silicon Carbide (SiC) rectangle substrate is an advanced single-crystal semiconductor material designed to ... Zobacz więcej

Wiadomości odwiedzających ZOSTAW WIADOMOŚĆ

Silicon Carbide Rectangle Substrate SiC Chip for Advanced Electronics

Silicon Carbide Rectangle Substrate SiC Chip for Advanced Electronics

porozmawiaj teraz

Ucz się więcej

Powiązane wideo

Industrial-Grade 6H SiC Substrates for High-Temperature, UV, and Precision Electronics

Industrial-Grade 6H SiC Substrates for High-Temperature, UV, and Precision Electronics

4H Silicon Carbide Substrate for Power Electronics, RF Devices & UV Optoelectronics

4H Silicon Carbide Substrate for Power Electronics, RF Devices & UV Optoelectronics

Dwustronny wypolerowany wysokiej czystości lustro SiC składnik optyczny do lustrzanki MEMS

Dwustronny wypolerowany wysokiej czystości lustro SiC składnik optyczny do lustrzanki MEMS

Niestandardowe kwadratowe okna optyczne Zielony moissanite SiC Kryształ Wysoka twardość

Niestandardowe kwadratowe okna optyczne Zielony moissanite SiC Kryształ Wysoka twardość

4H-N typu SiC Substrate 10x10mm Wafer do elektroniki mocy

4H-N typu SiC Substrate 10x10mm Wafer do elektroniki mocy

2sp 4H-SEMI 4H-N SIC Wafel z węglika krzemu 10 X 10 X 0,5 mm

2sp 4H-SEMI 4H-N SIC Wafel z węglika krzemu 10 X 10 X 0,5 mm

Karbyd krzemowy (SiC) Substrat 6 cali 8 cali płytka testowa do cięcia laserowego

Karbyd krzemowy (SiC) Substrat 6 cali 8 cali płytka testowa do cięcia laserowego

3' 4' 350um 500um SSP DSP 4H- 6H- Research Dummy Grade SIC Epitaxial Substrates

3' 4' 350um 500um SSP DSP 4H- 6H- Research Dummy Grade SIC Epitaxial Substrates

4H-SEMI Podłoże SiC 2 cale Grubość 350um 500um Klasa Prime/Dummy AR Glasses Optical Grade

4H-SEMI Podłoże SiC 2 cale Grubość 350um 500um Klasa Prime/Dummy AR Glasses Optical Grade

4H-SEMI SiC Substrate Cutting Disc Dia 10 mm Grubość 5 mm <0001> Wysoka twardość

4H-SEMI SiC Substrate Cutting Disc Dia 10 mm Grubość 5 mm <0001> Wysoka twardość

Sapphire Block Al₂O₃ Precision Cutting Customizable Sizes for Optics & Semiconductors

Sapphire Block Al₂O₃ Precision Cutting Customizable Sizes for Optics & Semiconductors

Szafirowy opłatek

Niestandardowe łożyska rubinowe (Al₂O₃) do precyzyjnych instrumentów i mechanizmów zegarkowych

Niestandardowe łożyska rubinowe (Al₂O₃) do precyzyjnych instrumentów i mechanizmów zegarkowych

Szafirowe części

Ingot kwarcowy do zastosowań optycznych, półprzewodnikowych i wysokotemperaturowych

Ingot kwarcowy do zastosowań optycznych, półprzewodnikowych i wysokotemperaturowych

Topiona płyta kwarcowa

2-inch DSP Sapphire Wafer 200 µm Al₂O₃ for LED & Optical Applications

2-inch DSP Sapphire Wafer 200 µm Al₂O₃ for LED & Optical Applications

Szafirowy opłatek

4-inch C-Plane SSP Sapphire Substrate Al₂O₃ for LED & Optical Applications

4-inch C-Plane SSP Sapphire Substrate Al₂O₃ for LED & Optical Applications

Szafirowy opłatek