Wynik wyszukiwania

Dom Produkty semiconductor wafer Producent internetowy

Wszystkie kategorie

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Maszyna do piły drutowej

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

Wafel azotowy galu

GaAs Wafer

Skontaktuj się z nami

Mr. Wang

eric_wang@zmsh-materials.com

+8615801942596

Skontaktuj się teraz

Twoje poszukiwania

[semiconductor wafer ]

dopasowanie

615

Produkty

4-calowa płytka safirowa, podłoże safirowe, Al2o3, płytka 9,0 mAh, przezroczysta, oś Ssp C.

Uzyskaj najlepszą cenę

Wykorzystuje się w tym celu wzorzec "Custom Sic Ceramics Carrier End Effector for Wafer Handling".

Uzyskaj najlepszą cenę

2-calowy N-typ 6H polityp Substrat węglanu krzemowego optoelektronika wzrost azotu galium

Uzyskaj najlepszą cenę

wideo

Całkowicie automatyczne precyzyjne cięcie piły do cięcia płytek o pojemności 12 cali

Uzyskaj najlepszą cenę

6-calowy wlew z węglika krzemu o wysokim polu przebicia, przewodności cieplnej i szerokiej przerwie energetycznej dla energoelektroniki

Uzyskaj najlepszą cenę

Niestandardowy efekt końcowy SiC Ceramic dla obróbki płytek

Uzyskaj najlepszą cenę

2 cali Sic Substrate 6H-N Typ Grubość 350um 650um Sic Wafer

Uzyskaj najlepszą cenę

wideo

4-calowy substrat szafirowy C-Plane SSP Al₂O₃ do zastosowań LED i optycznych

Uzyskaj najlepszą cenę

rezystywność >1E7ohm.cm Podłoże SiC o niestandardowym kształcie

Uzyskaj najlepszą cenę

Wysokiej Czystości Półizolacyjne Podłoża z Węglika Krzemu - Rozwiązania dla Waferów o Różnych Średnicach (od 2" do 8")

Uzyskaj najlepszą cenę

2cm 4cm 6cm 8cm 5×5 mm 10×10 mm 4H-SiC Substraty 3C-N Typ MOS

Uzyskaj najlepszą cenę

Wysokiej jakości podłoża z węglika krzemu 4H-N (12-calowe/300 mm) do urządzeń dużej mocy

Uzyskaj najlepszą cenę

Wyroby z podłoża krzemowego (SiC) o średnicy 12 cali (300 mm)

Uzyskaj najlepszą cenę

2 cali 4H-N Silikon węglowodorny SiC Substrat grubość 350um 500um SiC płytki Prime Grade Dummy Grade

Uzyskaj najlepszą cenę

Monokrystaliczne podłoża szafirowe 2", 3", 4" i 6" do zastosowań w diodach LED, optyce i półprzewodnikach

Uzyskaj najlepszą cenę

Wysokiej precyzji urządzenia do cięcia wieloprzewodów do masowej produkcji materiałów szafirowych

Uzyskaj najlepszą cenę

20 21 22 23 24 25 26 27

Wyniki wyszukiwania

Dom Produkty semiconductor wafer Producent internetowy

Wszystkie kategorie

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Maszyna do piły drutowej

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

Wafel azotowy galu

GaAs Wafer

Twoje poszukiwania [ semiconductor wafer ] dopasowanie 615 Produkty

Al2O3 Sapphire wafer monocrystalline średnica 2 cali 3 cali

Uzyskaj najlepszą cenę

Sic Silicon Carbide Wafer 55mm/1010mm 4H-P Typ Produkcja

Uzyskaj najlepszą cenę

kupować Karbyd krzemowy SiC Wafer 4H-N 2

Karbyd krzemowy SiC Wafer 4H-N 2"3"4"6"8"12" N Typ Prime / Dummy / Research Grade

Uzyskaj najlepszą cenę

4-calowa płaszczyzna C-Plane SSP Sapphire Wafer dla GaN / III-Nitride Epitaxy

Uzyskaj najlepszą cenę

Szafirowy wafel 60/40 Jakość powierzchni Scratch/Dig 20/10 40/20 60/40

Uzyskaj najlepszą cenę

wideo

Diamentowa Piła Drutowa Wielodrutowa Szybka Precyzyjna Obróbka Twardych i Kruchych Materiałów Sprzęt Półprzewodnikowy

Uzyskaj najlepszą cenę

4-calowa, domieszkowana azotem krzem (100) z warstwą 100 nm Ti + 200 nm Cu, cienką warstwą Cu na Ti/waflu krzemowym

Uzyskaj najlepszą cenę

wideo

12 cali dia300mm 0.7mm grubość borokrzemowe33 substratowe wafle szklane BF33 wafle

Uzyskaj najlepszą cenę

wideo

4° Poza oś SiC Substrat 2 cali Aplikacje wysokiej temperatury Wafer epitaksyalny

Uzyskaj najlepszą cenę

Powlekarka SiC – Precyzyjne nakładanie kleju na wafle i materiały grafitowe

Uzyskaj najlepszą cenę

4-calowa płytka węglowodorowa silikonowa 6H-P grubość 350 μm Zero / Prime Grade Dummy Grade

Uzyskaj najlepszą cenę

Karbid krzemowy SIC Wafer 10*10 mm 6H-P Grubość 350μm Dla urządzeń o dużej mocy

Uzyskaj najlepszą cenę

20 21 22 23 24 25 26 27

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Maszyna do piły drutowej

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

Wafel azotowy galu

GaAs Wafer

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Maszyna do piły drutowej

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

Wafel azotowy galu

GaAs Wafer

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Maszyna do piły drutowej

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

Wafel azotowy galu

GaAs Wafer

[semiconductor wafer ]

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Maszyna do piły drutowej

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

Wafel azotowy galu

GaAs Wafer

Al2O3 Sapphire wafer monocrystalline średnica 2 cali 3 cali

Sic Silicon Carbide Wafer 5*5mm/10*10mm 4H-P Typ Produkcja

Karbyd krzemowy SiC Wafer 4H-N 2"3"4"6"8"12" N Typ Prime / Dummy / Research Grade

4-calowa płaszczyzna C-Plane SSP Sapphire Wafer dla GaN / III-Nitride Epitaxy

Szafirowy wafel 60/40 Jakość powierzchni Scratch/Dig 20/10 40/20 60/40

Diamentowa Piła Drutowa Wielodrutowa Szybka Precyzyjna Obróbka Twardych i Kruchych Materiałów​​ Sprzęt Półprzewodnikowy

4-calowa, domieszkowana azotem krzem (100) z warstwą 100 nm Ti + 200 nm Cu, cienką warstwą Cu na Ti/waflu krzemowym

12 cali dia300mm 0.7mm grubość borokrzemowe33 substratowe wafle szklane BF33 wafle

4° Poza oś SiC Substrat 2 cali Aplikacje wysokiej temperatury Wafer epitaksyalny

Powlekarka SiC – Precyzyjne nakładanie kleju na wafle i materiały grafitowe

4-calowa płytka węglowodorowa silikonowa 6H-P grubość 350 μm Zero / Prime Grade Dummy Grade

Karbid krzemowy SIC Wafer 10*10 mm 6H-P Grubość 350μm Dla urządzeń o dużej mocy

Sic Silicon Carbide Wafer 55mm/1010mm 4H-P Typ Produkcja

Diamentowa Piła Drutowa Wielodrutowa Szybka Precyzyjna Obróbka Twardych i Kruchych Materiałów Sprzęt Półprzewodnikowy

4-calowa, domieszkowana azotem krzem (100) z warstwą 100 nm Ti + 200 nm Cu, cienką warstwą Cu na Ti/waflu krzemowym