Wynik wyszukiwania

Dom Produkty semiconductor wafer Producent internetowy

Wszystkie kategorie

Wafel azotowy galu

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Maszyna do piły drutowej

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

GaAs Wafer

Skontaktuj się z nami

Mr. Wang

eric_wang@zmsh-materials.com

+8615801942596

Skontaktuj się teraz

Twoje poszukiwania

[semiconductor wafer ]

dopasowanie

573

Produkty

HPSI High Purity Semi-insulating SiC Wafers 2"3"4"6" 8" Prime/Dummy/Research Grade

Uzyskaj najlepszą cenę

Wykorzystuje się w tym celu wzorzec "Custom Sic Ceramics Carrier End Effector for Wafer Handling".

Uzyskaj najlepszą cenę

wideo

Całkowicie automatyczne precyzyjne cięcie piły do cięcia płytek o pojemności 12 cali

Uzyskaj najlepszą cenę

Niestandardowy efekt końcowy SiC Ceramic dla obróbki płytek

Uzyskaj najlepszą cenę

2 cali Sic Substrate 6H-N Typ Grubość 350um 650um Sic Wafer

Uzyskaj najlepszą cenę

rezystywność >1E7ohm.cm Podłoże SiC o niestandardowym kształcie

Uzyskaj najlepszą cenę

Wysokiej Czystości Półizolacyjne Podłoża z Węglika Krzemu - Rozwiązania dla Waferów o Różnych Średnicach (od 2" do 8")

Uzyskaj najlepszą cenę

2cm 4cm 6cm 8cm 5×5 mm 10×10 mm 4H-SiC Substraty 3C-N Typ MOS

Uzyskaj najlepszą cenę

wideo

2-inch DSP Sapphire Wafer 200 µm Al₂O₃ for LED & Optical Applications

Uzyskaj najlepszą cenę

2 cali 4H-N Silikon węglowodorny SiC Substrat grubość 350um 500um SiC płytki Prime Grade Dummy Grade

Uzyskaj najlepszą cenę

Monokrystaliczne podłoża szafirowe 2", 3", 4" i 6" do zastosowań w diodach LED, optyce i półprzewodnikach

Uzyskaj najlepszą cenę

Wysokiej precyzji urządzenia do cięcia wieloprzewodów do masowej produkcji materiałów szafirowych

Uzyskaj najlepszą cenę

Małe szafir TGV Micro-Via Wafer do prototypowania laboratoryjnego, urządzeń MEMS i zastosowań w optycznych mikro-strukturach

Uzyskaj najlepszą cenę

usługa cięcia laserowego sic chipów sic w płytach kwadratowych 0,5x0,5mm

Uzyskaj najlepszą cenę

Zafirowa wieloprzewodowa piła do materiałów safirowych/SiC/kwarcowych

Uzyskaj najlepszą cenę

wideo

Karbyd krzemowy (SiC) Substrat 6 cali 8 cali płytka testowa do cięcia laserowego

Uzyskaj najlepszą cenę

18 19 20 21 22 23 24 25

Wyniki wyszukiwania

Dom Produkty semiconductor wafer Producent internetowy

Wszystkie kategorie

Wafel azotowy galu

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Maszyna do piły drutowej

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

GaAs Wafer

Twoje poszukiwania [ semiconductor wafer ] dopasowanie 573 Produkty

kupować Karbyd krzemowy SiC Wafer 4H-N 2

Karbyd krzemowy SiC Wafer 4H-N 2"3"4"6"8"12" N Typ Prime / Dummy / Research Grade

Uzyskaj najlepszą cenę

kupować Al2O3 Sapphire Wafer, Off C-Axis Towards M-Plane 8°, Diameter: 2

Al2O3 Sapphire Wafer, Off C-Axis Towards M-Plane 8°, Diameter: 2" ′′ 8", Custom Thickness

Uzyskaj najlepszą cenę

kupować Sapphire Wafer z osi C w kierunku płaszczyzny M 20° Al2O3 Dia 2

Sapphire Wafer z osi C w kierunku płaszczyzny M 20° Al2O3 Dia 2"3"4"6"8"

Uzyskaj najlepszą cenę

Szafirowy wafel 60/40 Jakość powierzchni Scratch/Dig 20/10 40/20 60/40

Uzyskaj najlepszą cenę

wideo

Diamentowa Piła Drutowa Wielodrutowa Szybka Precyzyjna Obróbka Twardych i Kruchych Materiałów Sprzęt Półprzewodnikowy

Uzyskaj najlepszą cenę

wideo

12 cali dia300mm 0.7mm grubość borokrzemowe33 substratowe wafle szklane BF33 wafle

Uzyskaj najlepszą cenę

wideo

4° Poza oś SiC Substrat 2 cali Aplikacje wysokiej temperatury Wafer epitaksyalny

Uzyskaj najlepszą cenę

4-calowa płytka węglowodorowa silikonowa 6H-P grubość 350 μm Zero / Prime Grade Dummy Grade

Uzyskaj najlepszą cenę

Karbid krzemowy SIC Wafer 10*10 mm 6H-P Grubość 350μm Dla urządzeń o dużej mocy

Uzyskaj najlepszą cenę

Sic płytka z węglanu krzemowego typu 4H-P na osi 0°Używana do produkcji urządzeń o dużej mocy

Uzyskaj najlepszą cenę

4'' 200nm AlScN Na płytkach krzemowych SSP DSP Substraty epitaksyalne dla urządzeń LED

Uzyskaj najlepszą cenę

Półprzewodnikowe LN Kryształy metodą CZ Czochralskiego Do zastosowań optycznych

Uzyskaj najlepszą cenę

18 19 20 21 22 23 24 25

Wafel azotowy galu

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Maszyna do piły drutowej

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

GaAs Wafer

Wafel azotowy galu

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Maszyna do piły drutowej

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

GaAs Wafer

Wafel azotowy galu

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Maszyna do piły drutowej

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

GaAs Wafer

[semiconductor wafer ]

Wafel azotowy galu

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Maszyna do piły drutowej

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

GaAs Wafer

Karbyd krzemowy SiC Wafer 4H-N 2"3"4"6"8"12" N Typ Prime / Dummy / Research Grade

Al2O3 Sapphire Wafer, Off C-Axis Towards M-Plane 8°, Diameter: 2" ′′ 8", Custom Thickness

Sapphire Wafer z osi C w kierunku płaszczyzny M 20° Al2O3 Dia 2"3"4"6"8"

Szafirowy wafel 60/40 Jakość powierzchni Scratch/Dig 20/10 40/20 60/40

Diamentowa Piła Drutowa Wielodrutowa Szybka Precyzyjna Obróbka Twardych i Kruchych Materiałów​​ Sprzęt Półprzewodnikowy

12 cali dia300mm 0.7mm grubość borokrzemowe33 substratowe wafle szklane BF33 wafle

4° Poza oś SiC Substrat 2 cali Aplikacje wysokiej temperatury Wafer epitaksyalny

4-calowa płytka węglowodorowa silikonowa 6H-P grubość 350 μm Zero / Prime Grade Dummy Grade

Karbid krzemowy SIC Wafer 10*10 mm 6H-P Grubość 350μm Dla urządzeń o dużej mocy

Sic płytka z węglanu krzemowego typu 4H-P na osi 0°Używana do produkcji urządzeń o dużej mocy

4'' 200nm AlScN Na płytkach krzemowych SSP DSP Substraty epitaksyalne dla urządzeń LED

Półprzewodnikowe LN Kryształy metodą CZ Czochralskiego Do zastosowań optycznych

Diamentowa Piła Drutowa Wielodrutowa Szybka Precyzyjna Obróbka Twardych i Kruchych Materiałów Sprzęt Półprzewodnikowy