|
| Nazwa marki: | ZMSH |
| MOQ: | 100 |
| Czas dostawy: | 2-4 TYGODNIE |
| Warunki płatności: | T/T |
Ta 4-calowa (100 mm) płytka krzemowa typu N, domieszkowana P, z <100> orientacją krystalograficzną jest pokryta warstwą adhezyjną z tytanu (Ti) o grubości 100 nm i warstwą przewodzącą z miedzi (Cu) o grubości 200 nm.
Warstwa Ti służy jako mocny bufor adhezyjny i bariera dyfuzyjna, poprawiając przyleganie warstwy Cu i stabilność termiczną. Warstwa Cu zapewnia wysoką przewodność elektryczną, dzięki czemu płytka ta nadaje się do mikroelektroniki, urządzeń MEMS, czujników i zastosowań badawczych.
Płytka jest polerowana jednostronnie (SSP) i dostarczana w opakowaniu do pomieszczeń czystych, aby zapewnić bezpyłową obsługę w precyzyjnych zastosowaniach.
Struktura cienkowarstwowa jest zoptymalizowana w celu uzyskania jednolitej grubości, spójnych parametrów elektrycznych i niezawodnej adhezji. Płytka jest idealna do zastosowań wymagających wysokiej jakości interfejsu Cu/Ti na podłożach krzemowych.
| Parametr | Specyfikacja |
|---|---|
| Rozmiar płytki | Średnica 4 cale × grubość 0,525 mm |
| Typ płytki | Klasa Prime, typ N, domieszkowana P |
| Orientacja krystalograficzna | <100> |
| Polerowanie | Polerowane jednostronnie (SSP) |
| Grubość warstwy adhezyjnej Ti | 100 nm |
| Grubość warstwy przewodzącej Cu | 200 nm |
| Struktura warstwy Cu | Polikrystaliczna, jednorodna depozycja |
| Rezystywność elektryczna | 1–10 Ω·cm |
| Chropowatość powierzchni | Jak wyhodowana (typowo, niespecyfikowana) |
| Metoda depozycji | PVD wysokiej próżni (napylanie lub wiązka elektronów) |
| Opakowanie | Pojedyncza płytka w plastikowej torbie klasy 100 wewnątrz pomieszczenia czystego klasy 1000 |
Warstwy połączeniowe półprzewodników
Mikrostruktury i elektrody MEMS
Urządzenia czujnikowe i pady kontaktowe
Badania i rozwój w elektronice cienkowarstwowej
Płytki testowe o wysokiej przewodności do mikrofabrykacji
Warstwa adhezyjna Ti zapewnia mocne wiązanie Cu-Si
Warstwa Cu o grubości 200 nm zapewnia ścieżkę przewodzącą o niskiej rezystancji
Warstwa Ti działa jako bariera dyfuzyjna w celu poprawy stabilności termicznej
Depozycja PVD zapewnia spójną grubość i jakość powierzchni
Opakowanie w pomieszczeniach czystych utrzymuje czystość i integralność płytki
Obsługiwać w pomieszczeniu czystym lub środowisku o niskim zapyleniu
W przypadku przetwarzania w wysokiej temperaturze zoptymalizować warunki, aby zapobiec interdyfuzji Cu/Si
Przechowywać w suchym środowisku o niskim naprężeniu, aby zachować integralność cienkiej warstwy
Unikać bezpośredniego kontaktu z powlekaną powierzchnią
1. Jaka jest jednorodność cienkich warstw Cu/Ti na płytce?
Warstwa adhezyjna Ti i warstwa przewodząca Cu są osadzane za pomocą technik PVD wysokiej próżni, zapewniając jednorodną grubość na całej 4-calowej płytce. Grubość warstwy Cu wynosi 200 nm, a warstwy Ti 100 nm, z minimalnymi zmianami odpowiednimi dla mikroelektroniki i zastosowań badawczych.
2. Czy ta płytka może być używana w procesach wysokotemperaturowych?
Tak, ale zalecane są środki ostrożności. Warstwa Ti działa jako bariera dyfuzyjna, aby zapobiec dyfuzji Cu do podłoża krzemowego. Zaleca się optymalizację temperatury i warunków przetwarzania w celu zachowania integralności i jednorodności warstwy.
3. Jak należy przechowywać i obsługiwać płytkę?
Płytkę należy obsługiwać w pomieszczeniu czystym lub środowisku o niskim zapyleniu, aby uniknąć zanieczyszczenia. Przechowywać w suchym środowisku o niskim naprężeniu. Unikać bezpośredniego dotykania powlekanej powierzchni. Każda płytka jest dostarczana w plastikowej torbie klasy 100 wewnątrz opakowania do pomieszczeń czystych klasy 1000.
