Wynik wyszukiwania

Dom Produkty Sic 6H P Producent internetowy

Wszystkie kategorie

Wafel azotowy galu

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Maszyna do piły drutowej

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

GaAs Wafer

Skontaktuj się z nami

Mr. Wang

eric_wang@zmsh-materials.com

+8615801942596

Skontaktuj się teraz

Twoje poszukiwania

[Sic 6H P ]

dopasowanie

Produkty

wideo

4H-N typu SiC Substrate 10x10mm Wafer do elektroniki mocy

Uzyskaj najlepszą cenę

4H-SEMI Polished Sic Wafer lens 2 cale 3 cale 4 cale 9,0 twardość materiału urządzenia

Uzyskaj najlepszą cenę

SiC Ingot 6 cali Ingot 4H-N SiC Prime Grade Dummy Grade Silicon Carbide Ingot High Hardness Ingot

Uzyskaj najlepszą cenę

4 cali 4H-N Substrat SiC z węglem krzemowym Dia 100mm N typu Prime Grade Dummy Grade Grubość 350um

Uzyskaj najlepszą cenę

6 cali 4H-N Substrat SiC z węglem krzemowym Dia 150 mm Grubość 350um 500um N Typ Prime Grade Dummy Grade

Uzyskaj najlepszą cenę

2 cali 4H-N Silikon węglowodorny SiC Substrat grubość 350um 500um SiC płytki Prime Grade Dummy Grade

Uzyskaj najlepszą cenę

4H-N typu SiC Substrate 10x10mm Wafer do elektroniki mocy

Uzyskaj najlepszą cenę

Piekarnik do hodowli ingotów SiC wykorzystuje metody PVT, Lely TSSG i LPE do hodowli dużych kryształów o rozmiarach 4, 6 i 8 cali.

Uzyskaj najlepszą cenę

Wysokiej czystości węglik krzemowy (SiC) Proszek 99,9999% (6N) HPSI Typ 100μm Wielkość cząstek SIC Rozwój kryształowy

Uzyskaj najlepszą cenę

4-calowa płytka SiC Epitaxial 4H-N średnica 100 mm grubość 350 μm Prime Grade

Uzyskaj najlepszą cenę

2 cali Sic Substrate 6H-N Typ Grubość 350um 650um Sic Wafer

Uzyskaj najlepszą cenę

Płytki z chipami 4H-N SIC o niestandardowym rozmiarze 5x5mm 0,5x0,5mm

Uzyskaj najlepszą cenę

rezystywność >1E7ohm.cm Podłoże SiC o niestandardowym kształcie

Uzyskaj najlepszą cenę

10x10mm 5x5mm Rezystywność podłoża SiC 0,015-0,028ohm.Cm lub >1E7ohm.Cm Chipy Sic

Uzyskaj najlepszą cenę

Sic Urządzenia półprzewodnikowe z węglowodorów krzemowych wielokrotne formy kryształowe 4H 6H 3C Chipy komunikacyjne 5G

Uzyskaj najlepszą cenę

12-calowy 300mm SiC Silicon Carbide Wafer 4H-N Typ Dummy Prime Research Grade Wielokrotne zastosowania

Uzyskaj najlepszą cenę

1 2 3 4

Wyniki wyszukiwania

Dom Produkty Sic 6H P Producent internetowy

Wszystkie kategorie

Wafel azotowy galu

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Maszyna do piły drutowej

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

GaAs Wafer

Twoje poszukiwania [ Sic 6H P ] dopasowanie 63 Produkty

Sic Silicon Carbide Wafer 55mm/1010mm 4H-P Typ Produkcja

Uzyskaj najlepszą cenę

4 cali 3C N-typ SiC podłoża Karbid krzemowy podłoża gruby 350um Prime klasy klasy Dummy

Uzyskaj najlepszą cenę

2 cale 3 cale 4 cale 6 cale Płytki epitaksjalne SiC 4H-N klasy produkcyjnej

Uzyskaj najlepszą cenę

HPSI SiC Wafer 2-12 cali klasy optycznej dla okularów AI/AR

Uzyskaj najlepszą cenę

Wafer SiC typu 6H-N: 2-calowy podłoże, grubość 350 μm lub 650 μm

Uzyskaj najlepszą cenę

2/4/6/8 cali Sic Kryształowe nasiona węglowodorów krzemowych Substrat 4H-N Typ Wysoka twardość P stopnia R stopnia D stopnia

Uzyskaj najlepszą cenę

6-calowa wafle epitaksjalne SiC o średnicy 150 mm, typ 4H-N, typ 4H-P, do komunikacji 5G

Uzyskaj najlepszą cenę

wideo

Substrat płytek SiC Epitaxial Półprzewodnik Przemysłowe zastosowania 4H-N

Uzyskaj najlepszą cenę

wideo

4H-N typu SiC Substrate 10x10mm Wafer do elektroniki mocy

Uzyskaj najlepszą cenę

4H-SEMI Polished Sic Wafer lens 2 cale 3 cale 4 cale 9,0 twardość materiału urządzenia

Uzyskaj najlepszą cenę

SiC Ingot 6 cali Ingot 4H-N SiC Prime Grade Dummy Grade Silicon Carbide Ingot High Hardness Ingot

Uzyskaj najlepszą cenę

4 cali 4H-N Substrat SiC z węglem krzemowym Dia 100mm N typu Prime Grade Dummy Grade Grubość 350um

Uzyskaj najlepszą cenę

1 2 3 4 5 6

Wafel azotowy galu

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Maszyna do piły drutowej

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

GaAs Wafer

Wafel azotowy galu

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Maszyna do piły drutowej

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

GaAs Wafer

Wafel azotowy galu

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Maszyna do piły drutowej

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

GaAs Wafer

[Sic 6H P ]

Wafel azotowy galu

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Maszyna do piły drutowej

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

GaAs Wafer

Sic Silicon Carbide Wafer 5*5mm/10*10mm 4H-P Typ Produkcja

4 cali 3C N-typ SiC podłoża Karbid krzemowy podłoża gruby 350um Prime klasy klasy Dummy

2 cale 3 cale 4 cale 6 cale Płytki epitaksjalne SiC 4H-N klasy produkcyjnej

HPSI SiC Wafer 2-12 cali klasy optycznej dla okularów AI/AR

Wafer SiC typu 6H-N: 2-calowy podłoże, grubość 350 μm lub 650 μm

2/4/6/8 cali Sic Kryształowe nasiona węglowodorów krzemowych Substrat 4H-N Typ Wysoka twardość P stopnia R stopnia D stopnia

6-calowa wafle epitaksjalne SiC o średnicy 150 mm, typ 4H-N, typ 4H-P, do komunikacji 5G

Substrat płytek SiC Epitaxial Półprzewodnik Przemysłowe zastosowania 4H-N

4H-N typu SiC Substrate 10x10mm Wafer do elektroniki mocy

4H-SEMI Polished Sic Wafer lens 2 cale 3 cale 4 cale 9,0 twardość materiału urządzenia

SiC Ingot 6 cali Ingot 4H-N SiC Prime Grade Dummy Grade Silicon Carbide Ingot High Hardness Ingot

4 cali 4H-N Substrat SiC z węglem krzemowym Dia 100mm N typu Prime Grade Dummy Grade Grubość 350um

Sic Silicon Carbide Wafer 55mm/1010mm 4H-P Typ Produkcja