Substrat SiC o grubości 4H-N 350um stosowany w optoelektroniki materiał półprzewodnikowy Opis produktu Substraty SiC są kluczowymi materiałami w dziedzinie technologii półprzewodników, oferującymi ...Zobacz więcej
Wiadomości odwiedzającychZOSTAW WIADOMOŚĆ
Jeszcze żaden komentarz publiczny
Substrat SiC o grubości 4H-N 350um stosowany w optoelektroniki materiał półprzewodnikowy