Wynik wyszukiwania

Dom Produkty Sic 6H P Producent internetowy

Wszystkie kategorie

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Maszyna do piły drutowej

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

Wafel azotowy galu

GaAs Wafer

Skontaktuj się z nami

Mr. Wang

eric_wang@zmsh-materials.com

+8615801942596

Skontaktuj się teraz

Twoje poszukiwania

[Sic 6H P ]

dopasowanie

112

Produkty

Sic Karbid krzemowy podłoża typu 6H-P na osi 0° Twardość Mohsa 9,2 dla urządzenia laserowego

Uzyskaj najlepszą cenę

2 cali 4 cali 6 cali Sic Substrat z węglowodorem krzemowym 6H Wysoki P-doped Typ od osi 4.0° w kierunku Prime Grade Dummy Grade

Uzyskaj najlepszą cenę

Wafer z węglowodorów krzemowych Sic 6H-P Typ OFF Axis 2.0° W kierunku produkcji

Uzyskaj najlepszą cenę

6H-P Karbid Silikonowy Substrat SiC 6 cali SIC Wafer 4H-P Do urządzeń optoelektronicznych

Uzyskaj najlepszą cenę

6 cali Sic Substrat z węglanu krzemu 6H-P Typ do komunikacji i systemów radarowych Prężnica 150 mm Prime Grade

Uzyskaj najlepszą cenę

2 cali/4 cali/6 cali/5,05,0 mm/10,010,0 mm Sic Substrat węglanu krzemowego typ 3C-N Na osi: < 111 > ± 0,5° Poziom produkcji Poziom fałszywy

Uzyskaj najlepszą cenę

CVD SiC Epitaxy Wafer 2c 3c 4c 6c grubość epitaxy 2,5-120 um do zasilania elektronicznego

Uzyskaj najlepszą cenę

4H-N Karbid Silikonowy SiC Substrat 2c 3c 4c 6c 8c 12c Prime Grade Dummy Grade

Uzyskaj najlepszą cenę

2-calowy 6H - Węglik spiekany o niskim poborze mocy dla detektora

Uzyskaj najlepszą cenę

Wafer silikonowy

Uzyskaj najlepszą cenę

wideo

Płyty SiC klasy przemysłowej 6H do elektroniki wysokotemperaturowej, UV i precyzyjnej

Uzyskaj najlepszą cenę

wideo

10 Mm X 10 Mm 6H Półizolujące podłoże SiC Klasa badawcza Kryształowe podłoże SiC

Uzyskaj najlepszą cenę

2/4/6/8 cala Sic Substrat węglowodorów krzemowych 4H 6H 3C Typ wsparcia dostosować przemysł półprzewodnikowy

Uzyskaj najlepszą cenę

wideo

6H-N 4H-N Podłoża SiC 2 cale 0,33 mm 0,43 mm wafel z węglika krzemu

Uzyskaj najlepszą cenę

5x40mm Dostosowany kształt sic Wafle kryształowe 4H-N Sic Substrates chips

Uzyskaj najlepszą cenę

wideo

niestandardowy rozmiar 5x5 10x10mm rozmiar 4h-n 6h-semi sic wafelki

Uzyskaj najlepszą cenę

1 2 3 4 5 6 7

Wyniki wyszukiwania

Dom Produkty Sic 6H P Producent internetowy

Wszystkie kategorie

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Maszyna do piły drutowej

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

Wafel azotowy galu

GaAs Wafer

Twoje poszukiwania [ Sic 6H P ] dopasowanie 112 Produkty

Sic Karbid krzemowy podłoża typu 6H-P na osi 0° Twardość Mohsa 9,2 dla urządzenia laserowego

Uzyskaj najlepszą cenę

2 cali 4 cali 6 cali Sic Substrat z węglowodorem krzemowym 6H Wysoki P-doped Typ od osi 4.0° w kierunku Prime Grade Dummy Grade

Uzyskaj najlepszą cenę

Wafer z węglowodorów krzemowych Sic 6H-P Typ OFF Axis 2.0° W kierunku produkcji

Uzyskaj najlepszą cenę

6H-P Karbid Silikonowy Substrat SiC 6 cali SIC Wafer 4H-P Do urządzeń optoelektronicznych

Uzyskaj najlepszą cenę

6 cali Sic Substrat z węglanu krzemu 6H-P Typ do komunikacji i systemów radarowych Prężnica 150 mm Prime Grade

Uzyskaj najlepszą cenę

2 cali/4 cali/6 cali/5,05,0 mm/10,010,0 mm Sic Substrat węglanu krzemowego typ 3C-N Na osi: < 111 > ± 0,5° Poziom produkcji Poziom fałszywy

Uzyskaj najlepszą cenę

CVD SiC Epitaxy Wafer 2c 3c 4c 6c grubość epitaxy 2,5-120 um do zasilania elektronicznego

Uzyskaj najlepszą cenę

4H-N Karbid Silikonowy SiC Substrat 2c 3c 4c 6c 8c 12c Prime Grade Dummy Grade

Uzyskaj najlepszą cenę

2-calowy 6H - Węglik spiekany o niskim poborze mocy dla detektora

Uzyskaj najlepszą cenę

Wafer silikonowy

Uzyskaj najlepszą cenę

wideo

Płyty SiC klasy przemysłowej 6H do elektroniki wysokotemperaturowej, UV i precyzyjnej

Uzyskaj najlepszą cenę

wideo

10 Mm X 10 Mm 6H Półizolujące podłoże SiC Klasa badawcza Kryształowe podłoże SiC

Uzyskaj najlepszą cenę

1 2 3 4 5 6 7 8

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Maszyna do piły drutowej

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

Wafel azotowy galu

GaAs Wafer

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Maszyna do piły drutowej

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

Wafel azotowy galu

GaAs Wafer

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Maszyna do piły drutowej

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

Wafel azotowy galu

GaAs Wafer

[Sic 6H P ]

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Maszyna do piły drutowej

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

Wafel azotowy galu

GaAs Wafer

Sic Karbid krzemowy podłoża typu 6H-P na osi 0° Twardość Mohsa 9,2 dla urządzenia laserowego

2 cali 4 cali 6 cali Sic Substrat z węglowodorem krzemowym 6H Wysoki P-doped Typ od osi 4.0° w kierunku Prime Grade Dummy Grade

Wafer z węglowodorów krzemowych Sic 6H-P Typ OFF Axis 2.0° W kierunku produkcji

6H-P Karbid Silikonowy Substrat SiC 6 cali SIC Wafer 4H-P Do urządzeń optoelektronicznych

6 cali Sic Substrat z węglanu krzemu 6H-P Typ do komunikacji i systemów radarowych Prężnica 150 mm Prime Grade

2 cali/4 cali/6 cali/5,0*5,0 mm/10,0*10,0 mm Sic Substrat węglanu krzemowego typ 3C-N Na osi: < 111 > ± 0,5° Poziom produkcji Poziom fałszywy

CVD SiC Epitaxy Wafer 2c 3c 4c 6c grubość epitaxy 2,5-120 um do zasilania elektronicznego

4H-N Karbid Silikonowy SiC Substrat 2c 3c 4c 6c 8c 12c Prime Grade Dummy Grade

2-calowy 6H - Węglik spiekany o niskim poborze mocy dla detektora

Wafer silikonowy

Płyty SiC klasy przemysłowej 6H do elektroniki wysokotemperaturowej, UV i precyzyjnej

10 Mm X 10 Mm 6H Półizolujące podłoże SiC Klasa badawcza Kryształowe podłoże SiC

2 cali/4 cali/6 cali/5,05,0 mm/10,010,0 mm Sic Substrat węglanu krzemowego typ 3C-N Na osi: < 111 > ± 0,5° Poziom produkcji Poziom fałszywy