Wynik wyszukiwania

Dom Produkty Sic 6H P Producent internetowy

Wszystkie kategorie

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Maszyna do piły drutowej

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

Wafel azotowy galu

GaAs Wafer

Skontaktuj się z nami

Mr. Wang

eric_wang@zmsh-materials.com

+8615801942596

Skontaktuj się teraz

Twoje poszukiwania

[Sic 6H P ]

dopasowanie

112

Produkty

4H-P Karbyd krzemu SiC Substrat 4 cali SIC Wafer 6H-P Do osadzenia nitrurowego III-V

Uzyskaj najlepszą cenę

4-calowa płytka węglowodorowa silikonowa 6H-P grubość 350 μm Zero / Prime Grade Dummy Grade

Uzyskaj najlepszą cenę

Karbid krzemowy SIC Wafer 10*10 mm 6H-P Grubość 350μm Dla urządzeń o dużej mocy

Uzyskaj najlepszą cenę

Wafer SiC typu 6H-N: 2-calowy podłoże, grubość 350 μm lub 650 μm

Uzyskaj najlepszą cenę

Sic Substrat węglowodorów krzemowych 5,0*5,0 mm kwadrat 6H-P grubość 350μm Zero Grade Dummy Grade

Uzyskaj najlepszą cenę

2-calowa średnica 50,8 mm 4H-N typu SiC epitaksjalna płytka dla czujników wysokotemperaturowych

Uzyskaj najlepszą cenę

Podłoże 3C-SiC typu N klasy produktu do komunikacji 5G

Uzyskaj najlepszą cenę

Substraty 3C-SiC klasy premium: płytki klasy produkcyjnej typu N do 5G i elektroniki mocy

Uzyskaj najlepszą cenę

Wysokiej czystości niedomieszkowany wafel krzemowy z węglika krzemu, 6-calowy, półsic 4H-Sic z węglika krzemu

Uzyskaj najlepszą cenę

2cm 4cm 6cm 8cm 5×5 mm 10×10 mm 4H-SiC Substraty 3C-N Typ MOS

Uzyskaj najlepszą cenę

8-calowa płytka SiC, krzemowa płytka Karburowa, Prime Dummy Research Grade 500um 350 Um.

Uzyskaj najlepszą cenę

6 cali Sic Substrat z węglanu krzemu 4H-P Prężnica 150 mm Grubość 350 μm Zero MPD Produkcja, standardowa produkcja

Uzyskaj najlepszą cenę

Sic Silicon Carbide Wafer 55mm/1010mm 4H-P Typ Produkcja

Uzyskaj najlepszą cenę

2/4/6/8 cali Sic Kryształowe nasiona węglowodorów krzemowych Substrat 4H-N Typ Wysoka twardość P stopnia R stopnia D stopnia

Uzyskaj najlepszą cenę

Wafer z węglem krzemowym Sic Substrat 4H-P Typ od osi 4,0° do zera Stopień czujnika temperatury

Uzyskaj najlepszą cenę

wideo

3' 4' 350um 500um SSP DSP 4H- 6H- Research Dummy Grade SIC Epitaxial Substrates

Uzyskaj najlepszą cenę

1 2 3 4 5 6 7

Wyniki wyszukiwania

Dom Produkty Sic 6H P Producent internetowy

Wszystkie kategorie

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Maszyna do piły drutowej

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

Wafel azotowy galu

GaAs Wafer

Twoje poszukiwania [ Sic 6H P ] dopasowanie 112 Produkty

2/4/6/8 cala Sic Substrat węglowodorów krzemowych 4H 6H 3C Typ wsparcia dostosować przemysł półprzewodnikowy

Uzyskaj najlepszą cenę

wideo

6H-N 4H-N Podłoża SiC 2 cale 0,33 mm 0,43 mm wafel z węglika krzemu

Uzyskaj najlepszą cenę

5x40mm Dostosowany kształt sic Wafle kryształowe 4H-N Sic Substrates chips

Uzyskaj najlepszą cenę

wideo

niestandardowy rozmiar 5x5 10x10mm rozmiar 4h-n 6h-semi sic wafelki

Uzyskaj najlepszą cenę

4H-P Karbyd krzemu SiC Substrat 4 cali SIC Wafer 6H-P Do osadzenia nitrurowego III-V

Uzyskaj najlepszą cenę

4-calowa płytka węglowodorowa silikonowa 6H-P grubość 350 μm Zero / Prime Grade Dummy Grade

Uzyskaj najlepszą cenę

Karbid krzemowy SIC Wafer 10*10 mm 6H-P Grubość 350μm Dla urządzeń o dużej mocy

Uzyskaj najlepszą cenę

Wafer SiC typu 6H-N: 2-calowy podłoże, grubość 350 μm lub 650 μm

Uzyskaj najlepszą cenę

Sic Substrat węglowodorów krzemowych 5,0*5,0 mm kwadrat 6H-P grubość 350μm Zero Grade Dummy Grade

Uzyskaj najlepszą cenę

2-calowa średnica 50,8 mm 4H-N typu SiC epitaksjalna płytka dla czujników wysokotemperaturowych

Uzyskaj najlepszą cenę

Podłoże 3C-SiC typu N klasy produktu do komunikacji 5G

Uzyskaj najlepszą cenę

Substraty 3C-SiC klasy premium: płytki klasy produkcyjnej typu N do 5G i elektroniki mocy

Uzyskaj najlepszą cenę

1 2 3 4 5 6 7 8

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Maszyna do piły drutowej

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

Wafel azotowy galu

GaAs Wafer

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Maszyna do piły drutowej

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

Wafel azotowy galu

GaAs Wafer

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Maszyna do piły drutowej

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

Wafel azotowy galu

GaAs Wafer

[Sic 6H P ]

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Maszyna do piły drutowej

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

Wafel azotowy galu

GaAs Wafer

2/4/6/8 cala Sic Substrat węglowodorów krzemowych 4H 6H 3C Typ wsparcia dostosować przemysł półprzewodnikowy

6H-N 4H-N Podłoża SiC 2 cale 0,33 mm 0,43 mm wafel z węglika krzemu

5x40mm Dostosowany kształt sic Wafle kryształowe 4H-N Sic Substrates chips

niestandardowy rozmiar 5x5 10x10mm rozmiar 4h-n 6h-semi sic wafelki

4H-P Karbyd krzemu SiC Substrat 4 cali SIC Wafer 6H-P Do osadzenia nitrurowego III-V

4-calowa płytka węglowodorowa silikonowa 6H-P grubość 350 μm Zero / Prime Grade Dummy Grade

Karbid krzemowy SIC Wafer 10*10 mm 6H-P Grubość 350μm Dla urządzeń o dużej mocy

Wafer SiC typu 6H-N: 2-calowy podłoże, grubość 350 μm lub 650 μm

Sic Substrat węglowodorów krzemowych 5,0*5,0 mm kwadrat 6H-P grubość 350μm Zero Grade Dummy Grade

2-calowa średnica 50,8 mm 4H-N typu SiC epitaksjalna płytka dla czujników wysokotemperaturowych

​​Podłoże 3C-SiC typu N klasy produktu do komunikacji 5G​​

Substraty 3C-SiC klasy premium: płytki klasy produkcyjnej typu N do 5G i elektroniki mocy

Podłoże 3C-SiC typu N klasy produktu do komunikacji 5G