Opis produktu:
Materiały z węglika krzemu mają perspektywy w wielu sektorach, na przykład w kolei dużych prędkości, elektronice samochodowej, inteligentnych sieciach, falownikach fotowoltaicznych, elektromechanice przemysłowej, centrach danych, sprzęcie AGD, elektronice użytkowej, komunikacji 5G, wyświetlaczach nowej generacji itp. Z punktu widzenia zastosowania, zastosowania materiałów z węglika krzemu można podzielić na trzy kategorie: niskie napięcie, średnie napięcie i wysokie napięcie.
W dziedzinie niskiego napięcia główne zastosowania znajdują się w elektronice użytkowej, takiej jak PFC i zasilacze.Przykładowo Xiaomi i Huawei zaczęły wykorzystywać w swoich szybkich ładowarkach urządzenia z azotku galu.
W obszarze średniego napięcia zastosowania znajdują się głównie w elektronice samochodowej, transporcie kolejowym i sieciach energetycznych wyższego napięcia (sieć energetyczna o napięciu powyżej 3300 V).Tesla była jednym z pierwszych producentów samochodów, który zaadaptował urządzenia z węglika krzemu, które zastosował w swoim modelu 3.
Diody i produkty MOSFET z węglika krzemu zostały opracowane bardzo dojrzałie i są obecnie wyposażane i stosowane w polach niskiego i średniego napięcia.
W dziedzinie wysokiego napięcia węglik krzemu ma swoje wyjątkowe właściwości, mimo że nie wprowadzono jeszcze na rynek dojrzałego produktu.Świat jest obecnie na etapie badań i rozwoju w tej dziedzinie.
Najlepszym scenariuszem zastosowania węglika krzemu są pojazdy elektryczne.Elektryczny moduł napędowy Toyoty (kluczowy element pojazdów elektrycznych) zmniejsza rozmiar urządzeń z węglika krzemu o 50% lub więcej w porównaniu z tranzystorami IGBT na bazie krzemu.Ponadto gęstość energii węglika krzemu jest dwukrotnie większa niż w przypadku tranzystorów IGBT na bazie krzemu.To również skłoniło kilku producentów do wyboru węglika krzemu, oferując im więcej miejsca na montaż innych komponentów dzięki zoptymalizowanemu układowi komponentów.
Cechy:
Stosowanie węglika krzemu ma wiele zalet w porównaniu z bardziej tradycyjnymi podłożami krzemowymi.Jedną z głównych zalet jest jego twardość, która zapewnia materiałowi wiele zalet w zastosowaniach z dużymi prędkościami, wysoką temperaturą i/lub wysokim napięciem.Płytki węglika krzemu mają wysoką przewodność cieplną, co oznacza, że mogą przenosić ciepło z jednego punktu do drugiego, poprawiając jego przewodność elektryczną i ostatecznie miniaturyzując.
Podłoża z węglika krzemu mają również niski współczynnik rozszerzalności cieplnej, co oznacza, że nie zmieniają się one znacząco pod względem wielkości ani kształtu w miarę nagrzewania się lub ochładzania.Mają zdolność szybkiej zmiany temperatury bez pękania i pękania, a także są bardzo odporne na szok termiczny, co daje im wyraźną przewagę przy wytwarzaniu urządzeń.Ponadto są bardzo trwałym podłożem i nie reagują z kwasami, zasadami i stopionymi solami w temperaturach do 800°C.
Jego wytrzymałość w wysokich temperaturach umożliwia również bezpieczną pracę podłoży z węglika krzemu w temperaturach powyżej 1600°C, dzięki czemu nadaje się do praktycznie wszystkich zastosowań wysokotemperaturowych.Te specyfikacje - struktura polikrystaliczna, przewodność cieplna (typ n; 0,020 Ω*cm), parametry sieci, pojedynczy kryształ 4H, obsługiwane średnice, pasmo wzbronione, przewodność cieplna (HPSI) i twardość w skali Mohsa - dają płytkom z węglika krzemu znaczną przewagę nad tradycyjne podłoża krzemowe luzem.
Parametry techniczne:
Zarówno 4H-SiC*, jak i 6H-SiC** to materiały półprzewodnikowe o szerokim zakresie średnic, od 50,8 mm (2") do 200 mm (8 cali). Rodzaj i domieszka w każdym z nich to N/azot/wewnętrzne/HPSI Jeśli chodzi o rezystywność, 4H-SiC ma zakres 0,015 - 0,028 oma*cm, podczas gdy 6H-SiC ma więcej, czyli> 1E7 om*cm. Jeśli chodzi o ich całkowitą grubość, oba mają 250um - 15 000um lub 15mm. Bez względu na rodzaj SiC, wykończenie powierzchni obu typów jest polerowane jednostronnie lub dwustronnie.Kolejność ich układania to ABCB (4H-SiC*) i ABCACB (6H-SiC**).Stałe dielektryczne wynoszą 9,6 i 9,66 odpowiednio dla 4H-SiC* i 6H-SiC**, podczas gdy ruchliwość elektronów 4H-SiC* wynosi 800 cm2/V*S, a 6H-SiC** 400 cm2/V*S.Dziękujemy za ich wspólne właściwości , ich gęstość wynosi 3,21 · 103 kg/m3.
Aplikacje:
Podłoże ZMSH SIC010 SiC to idealny wybór do chipów sic o niestandardowych rozmiarach, płytek o niestandardowych rozmiarach, 1x1 cm, 0,5x0,5 mm do 5x5 mm, o wysokim napięciu przebicia 5,5 MV/cm, doskonałej płaskości powierzchni λ/10 przy 632,8 nm, dobrej wytrzymałości na rozciąganie wytrzymałość >400MPa, podłoże monokrystaliczne, certyfikat ROHS i konkurencyjne ceny.Jest szeroko stosowany w różnorodnych zastosowaniach, takich jak półprzewodniki, elektronika, optoelektronika, diody LED itp. Jego doskonałe właściwości czynią go idealnym wyborem dla wielu gałęzi przemysłu.
Podłoże ZMSH SIC010 SiC oferuje doskonałą wydajność i niezawodność przy bezkonkurencyjnej cenie.Jest wykonany z wysokiej jakości monokrystalicznego materiału SiC i ma doskonałe parametry elektryczne i termiczne, co czyni go idealnym wyborem dla różnych gałęzi przemysłu.Posiada również certyfikat RoHS, który gwarantuje bezpieczeństwo i niezawodność.Jego duży rozmiar można dostosować do potrzeb klienta.
Podłoże ZMSH SIC010 SiC to idealny wybór dla tych, którzy szukają niezawodnego i opłacalnego rozwiązania dla swojego zastosowania.Przy minimalnej ilości zamówienia wynoszącej 10 sztuk jest on dostępny w konkurencyjnych cenach i krótkim czasie dostawy wynoszącym 30 dni.Posiada również doskonałą zdolność dostaw 1000 sztuk miesięcznie.
Dostosowywanie:
Indywidualna usługa podłoża SiC
Nazwa marki: ZMSH
Numer modelu: SIC010
Miejsce pochodzenia: CHINY
Certyfikacja: RoHS
Minimalna ilość zamówienia: 10szt
Cena: według przypadku
Szczegóły dotyczące opakowania: Dostosowane plastikowe pudełko
Czas dostawy: za 30 dni
Warunki płatności: T/T
Możliwość dostawy: 1000 sztuk / miesiąc
Domieszka: nie dotyczy
Płaskość powierzchni: λ/10 @ 632,8 nm
Materiał: monokryształ SiC
Napięcie przebicia: 5,5 MV/cm
Wytrzymałość na ściskanie: > 1000 MPa
Cechy: 10x10mm; 5x5mm, płytki Sic o niestandardowym kształcie, wafel sic-semi HPSI 4h
Su
port i usługi:
Wsparcie techniczne i serwis podłoża SiC
Zapewniamy wsparcie techniczne i serwis dla podłoża SiC.Nasz zespół ekspertów może pomóc w przypadku jakichkolwiek pytań lub problemów związanych z produktem.Nasi przedstawiciele obsługi klienta są dostępni 24 godziny na dobę, 7 dni w tygodniu, aby odpowiedzieć na wszelkie pytania i wątpliwości.Oferujemy również naprawy i konserwację podłoża SiC, aby zapewnić prawidłowe działanie produktu i jego optymalny stan.Jeśli masz jakiekolwiek pytania, skontaktuj się z nami.
Twoja wiadomość musi mieć od 20 do 3000 znaków!
