Wynik wyszukiwania

Dom Produkty silicon substrate Producent internetowy

Wszystkie kategorie

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Maszyna do piły drutowej

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

Wafel azotowy galu

GaAs Wafer

Skontaktuj się z nami

Mr. Wang

eric_wang@zmsh-materials.com

+8615801942596

Skontaktuj się teraz

Twoje poszukiwania

[silicon substrate ]

dopasowanie

160

Produkty

4H-N Karbid Silikonowy SiC Substrat 2c 3c 4c 6c 8c 12c Prime Grade Dummy Grade

Uzyskaj najlepszą cenę

6 cali Sic Substrat z węglanu krzemu 4H-P Prężnica 150 mm Grubość 350 μm Zero MPD Produkcja, standardowa produkcja

Uzyskaj najlepszą cenę

Sic płytka z węglanu krzemowego typu 4H-P na osi 0°Używana do produkcji urządzeń o dużej mocy

Uzyskaj najlepszą cenę

Wafer z węglem krzemowym Sic Substrat 4H-P Typ od osi 4,0° do zera Stopień czujnika temperatury

Uzyskaj najlepszą cenę

Podłoże 3C-SiC typu N klasy produktu do komunikacji 5G

Uzyskaj najlepszą cenę

2cm 4cm 6cm 8cm 5×5 mm 10×10 mm 4H-SiC Substraty 3C-N Typ MOS

Uzyskaj najlepszą cenę

6 cali Sic Substrat z węglanu krzemu 6H-P Typ do komunikacji i systemów radarowych Prężnica 150 mm Prime Grade

Uzyskaj najlepszą cenę

6calowy 4H-SEMI substrat SiC do okularów AR i urządzeń RF 5G

Uzyskaj najlepszą cenę

wideo

Karbid krzemowy prostokątny podłoża SiC chip dla zaawansowanej elektroniki

Uzyskaj najlepszą cenę

8 cali 6 cali 4H-N Typ Sic Substrate Klasa produkcyjna wafla dla urządzeń o częstotliwości radiowej

Uzyskaj najlepszą cenę

dostosowane półizolacyjne podłoża SiC typu 4H-N 4-calowe 6-calowe wafle z węglika krzemu

Uzyskaj najlepszą cenę

2-calowy Dia 50,8 mm 4H-Semi SiC Substrate Pojedynczy kryształ klasy badawczej

Uzyskaj najlepszą cenę

Półizolujące podłoża SiC typu 4H-N 2-calowe 3-calowe 4-calowe płytki z węglika krzemu

Uzyskaj najlepszą cenę

Półizolacyjne podłoże z węglika krzemu, Sic Wafer 4H High Purity

Uzyskaj najlepszą cenę

Grubość 330um 4H-N Typ Podłoże SiC Klasa produkcyjna Dia50,8 mm 2 cale

Uzyskaj najlepszą cenę

Sic Silicon Carbide Wafer 55mm/1010mm 4H-P Typ Produkcja

Uzyskaj najlepszą cenę

3 4 5 6 7 8 9 10

Wyniki wyszukiwania

Dom Produkty silicon substrate Producent internetowy

Wszystkie kategorie

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Maszyna do piły drutowej

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

Wafel azotowy galu

GaAs Wafer

Twoje poszukiwania [ silicon substrate ] dopasowanie 120 Produkty

kupić 6-calowy wlew z węglika krzemu o wysokim polu przebicia, przewodności cieplnej i szerokiej przerwie energetycznej dla energoelektroniki produkcja online

6-calowy wlew z węglika krzemu o wysokim polu przebicia, przewodności cieplnej i szerokiej przerwie energetycznej dla energoelektroniki

Uzyskaj najlepszą cenę

8-calowa płytka SiC, krzemowa płytka Karburowa, Prime Dummy Research Grade 500um 350 Um.

Uzyskaj najlepszą cenę

Linia polerowania płytek krzemowych i SiC o wysokości 6 ‰ 8 cali z czworogłowymi głowicami i zamontowaniem w zamkniętej pętli

Uzyskaj najlepszą cenę

Wysoka przewodność cieplna Podłoże ceramiczne Podłoże ceramiczne z azotku aluminium AlN

Uzyskaj najlepszą cenę

Wafer silikonowy

Uzyskaj najlepszą cenę

wideo

2-calowy A-Plane Single Crystal Sapphire Wafer Substraty Al2O3 monokrystaliczny

Uzyskaj najlepszą cenę

wideo

Płytka ceramiczna z węglanu krzemowego do przetwarzania płyt półprzewodnikowych

Uzyskaj najlepszą cenę

4-calowy węglik spiekany z węglika krzemu o grubości 5 - 15 mm do półprzewodników

Uzyskaj najlepszą cenę

6-calowe podłoże ceramiczne 1,0 mm, płyta ceramiczna z tlenku glinu do obróbki półprzewodników

Uzyskaj najlepszą cenę

Pojedyncze kryształy germanu Wafle Inp Substraty półprzewodnikowe

Uzyskaj najlepszą cenę

Podłoża półprzewodnikowe soczewek Ge INP Wafel z fosforku indowo-galowego

Uzyskaj najlepszą cenę

4-calowa, domieszkowana azotem krzem (100) z warstwą 100 nm Ti + 200 nm Cu, cienką warstwą Cu na Ti/waflu krzemowym

Uzyskaj najlepszą cenę

3 4 5 6 7 8 9 10

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Maszyna do piły drutowej

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

Wafel azotowy galu

GaAs Wafer

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Maszyna do piły drutowej

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

Wafel azotowy galu

GaAs Wafer

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Maszyna do piły drutowej

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

Wafel azotowy galu

GaAs Wafer

[silicon substrate ]

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Maszyna do piły drutowej

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

Wafel azotowy galu

GaAs Wafer

6-calowy wlew z węglika krzemu o wysokim polu przebicia, przewodności cieplnej i szerokiej przerwie energetycznej dla energoelektroniki

8-calowa płytka SiC, krzemowa płytka Karburowa, Prime Dummy Research Grade 500um 350 Um.

Linia polerowania płytek krzemowych i SiC o wysokości 6 ‰ 8 cali z czworogłowymi głowicami i zamontowaniem w zamkniętej pętli

Wysoka przewodność cieplna Podłoże ceramiczne Podłoże ceramiczne z azotku aluminium AlN

Wafer silikonowy

2-calowy A-Plane Single Crystal Sapphire Wafer Substraty Al2O3 monokrystaliczny

Płytka ceramiczna z węglanu krzemowego do przetwarzania płyt półprzewodnikowych

4-calowy węglik spiekany z węglika krzemu o grubości 5 - 15 mm do półprzewodników

6-calowe podłoże ceramiczne 1,0 mm, płyta ceramiczna z tlenku glinu do obróbki półprzewodników

Pojedyncze kryształy germanu Wafle Inp Substraty półprzewodnikowe

Podłoża półprzewodnikowe soczewek Ge INP Wafel z fosforku indowo-galowego

4-calowa, domieszkowana azotem krzem (100) z warstwą 100 nm Ti + 200 nm Cu, cienką warstwą Cu na Ti/waflu krzemowym

4-calowa, domieszkowana azotem krzem (100) z warstwą 100 nm Ti + 200 nm Cu, cienką warstwą Cu na Ti/waflu krzemowym