Wynik wyszukiwania

Dom Produkty silicon carbide substrate Producent internetowy

Wszystkie kategorie

Wafel azotowy galu

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Maszyna do piły drutowej

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

GaAs Wafer

Skontaktuj się z nami

Mr. Wang

eric_wang@zmsh-materials.com

+8615801942596

Skontaktuj się teraz

Twoje poszukiwania

[silicon carbide substrate ]

dopasowanie

224

Produkty

dostosowane półizolacyjne podłoża SiC typu 4H-N 4-calowe 6-calowe wafle z węglika krzemu

Uzyskaj najlepszą cenę

Wafer z węglowodorów krzemowych Sic 6H-P Typ OFF Axis 2.0° W kierunku produkcji

Uzyskaj najlepszą cenę

Półizolacyjne podłoże z węglika krzemu, Sic Wafer 4H High Purity

Uzyskaj najlepszą cenę

SIC Wafel z kryształowego węglika krzemu

Uzyskaj najlepszą cenę

Bezbarwny Przezroczysty Węglik Krzemu SiC Polerowana Płytka soczewki Optycznej Klasy AR do Okularów

Uzyskaj najlepszą cenę

Polerowana na lustro polerowana rura z węglika krzemu Odporność na ścieranie Ceramiczny cylinder Al2O3

Uzyskaj najlepszą cenę

Półizolujące podłoża SiC typu 4H-N 2-calowe 3-calowe 4-calowe płytki z węglika krzemu

Uzyskaj najlepszą cenę

2/4/6/8 cali Sic Kryształowe nasiona węglowodorów krzemowych Substrat 4H-N Typ Wysoka twardość P stopnia R stopnia D stopnia

Uzyskaj najlepszą cenę

2-calowy 4-calowy 6-calowy 8-calowy wafel z węglika krzemu Wafle Sic Dummy Research Prime Grade

Uzyskaj najlepszą cenę

2-calowy Dia 50,8 mm 4H-Semi SiC Substrate Pojedynczy kryształ klasy badawczej

Uzyskaj najlepszą cenę

Grubość 330um 4H-N Typ Podłoże SiC Klasa produkcyjna Dia50,8 mm 2 cale

Uzyskaj najlepszą cenę

Karbyd krzemowy SiC Wafer 4H-N 2"3"4"6"8"12" N Typ Prime / Dummy / Research Grade

Uzyskaj najlepszą cenę

wideo

6H-N 4H-N Podłoża SiC 2 cale 0,33 mm 0,43 mm wafel z węglika krzemu

Uzyskaj najlepszą cenę

Dostosowany GaN-On-GaN SiC Silicon Sapphire Substrat Wafel epitaksjalny 4 cale Dia 100 mm

Uzyskaj najlepszą cenę

Wysokiej czystości węglik krzemowy (SiC) Proszek 99,9999% (6N) HPSI Typ 100μm Wielkość cząstek SIC Rozwój kryształowy

Uzyskaj najlepszą cenę

4-calowa płytka węglowodorowa silikonowa 6H-P grubość 350 μm Zero / Prime Grade Dummy Grade

Uzyskaj najlepszą cenę

1 2 3 4 5 6 7 8

Wyniki wyszukiwania

Dom Produkty silicon carbide substrate Producent internetowy

Wszystkie kategorie

Wafel azotowy galu

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Maszyna do piły drutowej

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

GaAs Wafer

Twoje poszukiwania [ silicon carbide substrate ] dopasowanie 224 Produkty

Karburowa płytka krzemowa 4H P-Type Zero MPD Production Grade Dummy

Uzyskaj najlepszą cenę

podkład 2" 3" 4" 6" 4h-Semi 4H-N Podłoże izolacyjne Sic Wafel krzemowo-węglikowy sic

Uzyskaj najlepszą cenę

Wafer z węglanu krzemowego 6H typu P standardowy stopień produkcji Dia:1450,5 mm~150,0 mm Grubość 350 μm ± 25 μm

Uzyskaj najlepszą cenę

SiC crystal 4H-SEMI 4 "Wafel optyczny z węglika krzemu

Uzyskaj najlepszą cenę

8-calowa ceramiczna taca z węglika krzemu do przetwarzania wzrostu epitaksjalnego

Uzyskaj najlepszą cenę

Karburowa płytka krzemowa 6H P-Type & 4H P-Type Zero MPD Production Dummy Grade Dia 4in 6in

Uzyskaj najlepszą cenę

wideo

Silicon Carbide Ceramic Tray for Semiconductor Wafer Processing

Uzyskaj najlepszą cenę

Sic płytka z węglanu krzemowego typu 4H-P na osi 0°Używana do produkcji urządzeń o dużej mocy

Uzyskaj najlepszą cenę

4H-N 8-calowe podłoże półprzewodnikowe SIC Wafel z węglika krzemu do fotowoltaiki słonecznej

Uzyskaj najlepszą cenę

2-calowe wafle z węglika krzemu 6H lub 4H typu N lub półizolujące podłoża SiC

Uzyskaj najlepszą cenę

Sic Silicon Carbide Wafer 55mm/1010mm 4H-P Typ Produkcja

Uzyskaj najlepszą cenę

8 cali 6 cali 4H-N Typ Sic Substrate Klasa produkcyjna wafla dla urządzeń o częstotliwości radiowej

Uzyskaj najlepszą cenę

1 2 3 4 5 6 7 8

Wafel azotowy galu

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Maszyna do piły drutowej

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

GaAs Wafer

Wafel azotowy galu

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Maszyna do piły drutowej

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

GaAs Wafer

Wafel azotowy galu

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Maszyna do piły drutowej

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

GaAs Wafer

[silicon carbide substrate ]

Wafel azotowy galu

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Maszyna do piły drutowej

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

GaAs Wafer

Karburowa płytka krzemowa 4H P-Type Zero MPD Production Grade Dummy

podkład 2" 3" 4" 6" 4h-Semi 4H-N Podłoże izolacyjne Sic Wafel krzemowo-węglikowy sic

Wafer z węglanu krzemowego 6H typu P standardowy stopień produkcji Dia:1450,5 mm~150,0 mm Grubość 350 μm ± 25 μm

SiC crystal 4H-SEMI 4 "Wafel optyczny z węglika krzemu

8-calowa ceramiczna taca z węglika krzemu do przetwarzania wzrostu epitaksjalnego

Karburowa płytka krzemowa 6H P-Type & 4H P-Type Zero MPD Production Dummy Grade Dia 4in 6in

Silicon Carbide Ceramic Tray for Semiconductor Wafer Processing

Sic płytka z węglanu krzemowego typu 4H-P na osi 0°Używana do produkcji urządzeń o dużej mocy

4H-N 8-calowe podłoże półprzewodnikowe SIC Wafel z węglika krzemu do fotowoltaiki słonecznej

2-calowe wafle z węglika krzemu 6H lub 4H typu N lub półizolujące podłoża SiC

Sic Silicon Carbide Wafer 5*5mm/10*10mm 4H-P Typ Produkcja

8 cali 6 cali 4H-N Typ Sic Substrate Klasa produkcyjna wafla dla urządzeń o częstotliwości radiowej

Sic Silicon Carbide Wafer 55mm/1010mm 4H-P Typ Produkcja