4 cale dia100m Typ 4H-N Klasa produkcyjna Podłoża SiC klasy DUMMY, Podłoża z węglika krzemu do urządzenia półprzewodnikowego,
zindywidualizowana grubość 4-calowych wafli krystalicznych z węglika krzemu 4H-N dla 4-calowego gatunku kryształów zaszczepiających;
3 cale 4 cale 4h-n 4h-semi manekinowe wafle sic z węglika krzemu
Węglik krzemu z wafla krystalicznego z karborundu SiC
WŁAŚCIWOŚCI MATERIAŁU WĘGLIKA KRZEMU
Nazwa produktu: |
Krystaliczne podłoże z węglika krzemu (SiC) |
Opis produktu: |
2-6 cali |
Parametry techniczne: |
Struktura komórkowa |
Sześciokątny |
Stała sieciowa |
a = 3,08 Å c = 15,08 Å |
Priorytety |
ABCACB (6H) |
Metoda wzrostu |
MOCVD |
Kierunek |
Oś wzrostu lub Częściowa (0001) 3,5 ° |
Polerowanie |
Polerowanie powierzchni Si |
Bandgap |
2,93 eV (pośrednie) |
Typ przewodności |
N lub seimi, wysoka czystość |
Oporność |
0,076 om-cm |
Przepuszczalność |
e (11) = e (22) = 9,66 e (33) = 10,33 |
Przewodność cieplna @ 300K |
5 W/cm.K |
Twardość |
9,2 miesiąca |
|
Specyfikacje: |
6H typ N 4H typ N półizolujący dia2 "x0,33mm, dia2" x0,43mm,dia2''x1mmt, 10x10mm, 10x5mm Pojedynczy lub podwójny rzut, Ra <10A |
Standardowe Opakowanie: |
1000 czystych pomieszczeń, 100 czystych worków lub pojedyncze opakowanie kartonowe |
Zastosowanie węglika krzemu w przemyśle urządzeń energetycznych
Jednostka wydajności Krzem Si Węglik krzemu SiC Azotek galu GaN
Przerwa wzbroniona eV 1,12 3,26 3,41
Przebicie pole elektryczne MV/cm 0,23 2,2 3,3
Ruchliwość elektronów cm^2/Vs 1400 950 1500
Prędkość dryfu 10^7 cm/s 1 2,7 2,5
Przewodność cieplna W/cmK 1,5 3,8 1,3
W porównaniu z urządzeniami krzemowymi (Si), urządzenia zasilające z węglika krzemu (SiC) mogą skutecznie osiągnąć wysoką sprawność, miniaturyzację i niewielką wagę układów energoelektronicznych.Straty energii w urządzeniach z węglika krzemu wynoszą tylko 50% strat w urządzeniach Si, wytwarzanie ciepła wynosi tylko 50% w urządzeniach krzemowych i ma wyższą gęstość prądu.Przy tym samym poziomie mocy, objętość modułów mocy z węglika krzemu jest znacznie mniejsza niż modułów mocy z węglika krzemu.Na przykładzie inteligentnego modułu mocy IPM, wykorzystując urządzenia zasilające z węglika krzemu, objętość modułu można zmniejszyć do 1/3 do 2/3 modułów mocy krzemu.
Istnieją 3 rodzaje diod mocy z węglika krzemu: diody Schottky'ego (SBD), diody PIN oraz diody Schottky'ego do kontroli barier złączy (JBS).Ze względu na barierę Schottky'ego, SBD ma niższą wysokość bariery złącza, więc SBD ma tę zaletę, że ma niskie napięcie przewodzenia.Pojawienie się węglika krzemu SBD zwiększyło zakres zastosowań SBD z 250V do 1200V.Jednocześnie jego właściwości wysokotemperaturowe są dobre, od temperatury pokojowej do 175°C ograniczonej przez powłokę, prąd upływu wstecznego prawie nie wzrasta.W dziedzinie zastosowań prostowników powyżej 3kV uwagę przyciągają diody z węglika krzemu PiN i JBS z węglika krzemu, ze względu na ich wyższe napięcie przebicia, większą szybkość przełączania, mniejszą objętość i lżejszy ciężar niż prostowniki krzemowe.
Urządzenia MOSFET z węglika krzemu mają idealną odporność na bramkę, szybkie przełączanie, niską rezystancję i wysoką stabilność.Jest to preferowane urządzenie w zakresie urządzeń zasilających poniżej 300V.Poinformowano, że pomyślnie opracowano MOSFET z węglika krzemu o napięciu blokującym 10 kV.Naukowcy są przekonani, że MOSFET z węglika krzemu będzie zajmował korzystną pozycję w zakresie od 3kV do 5kV.
Tranzystory bipolarne z izolowaną bramką z węglika krzemu (SiC BJT, SiC IGBT) i tyrystory z węglika krzemu (SiC Thyristor), urządzenia IGBT z węglika krzemu typu P o napięciu blokującym 12 kV mają dobrą zdolność przewodzenia prądu.Odporność na działanie urządzeń IGBT z węglika krzemu można porównać z jednobiegunowymi urządzeniami zasilającymi z węglika krzemu.W porównaniu z bipolarnymi tranzystorami Si, bipolarne tranzystory SiC mają 20-50 razy mniejsze straty przełączania i mniejszy spadek napięcia przewodzenia.BJT z węglika krzemu dzieli się głównie na emiter epitaksjalny i emiter implantowany jonami BJT, a typowy zysk prądu wynosi od 10 do 50.
2. wielkość podłoża standardowego
Specyfikacja podłoża z węglika krzemu (SiC) o średnicy 4 cali
|
Stopień |
Zerowa klasa MPD |
Klasa produkcyjna |
Stopień naukowy |
Klasa manekina |
Średnica |
76,2 mm±0,3 mm |
Grubość |
350 μm ± 25 μm (grubość 200-2000um również jest w porządku) |
Orientacja opłatka |
Poza osią: 4,0° w kierunku <1120> ±0,5° dla standardowego rozmiaru 4H-N |
Gęstość mikrorur |
≤1 cm-2 |
≤5 cm-2 |
≤15 cm-2 |
≤50 cm-2 |
Oporność |
4H-N |
0,015~0,028 Ω•cm |
6H-N |
0,02~0,1 Ω•cm |
4/6H-SI |
≥1E5 Ω·cm |
Podstawowe mieszkanie i długość |
{10-10}±5,0°,32,5 mm±2,0 mm |
Druga płaska długość |
18,0 mm ± 2,0 mm |
Drugorzędna orientacja płaska |
Krzem do góry: 90° CW.od Prime flat ±5,0° |
Wykluczenie krawędzi |
3 mm |
TTV/Łuk/Wypaczenie |
≤15μm /≤25μm /≤40μm |
Chropowatość |
Polski Ra≤1 nm, CMP Ra≤0,5 nm |
Pęknięcia przez światło o wysokiej intensywności |
Żaden |
1 dozwolony, ≤2 mm |
Łączna długość ≤ 10 mm, pojedyncza długość ≤ 2 mm |
Sześciokątne płytki o wysokiej intensywności światła |
Powierzchnia skumulowana ≤1% |
Powierzchnia skumulowana ≤1% |
Powierzchnia skumulowana ≤3% |
Obszary Polytype przez światło o wysokiej intensywności |
Żaden |
Powierzchnia skumulowana ≤2% |
Powierzchnia skumulowana ≤5% |
|
|
|
|
Można również dostarczyć Sic wafel & wlewki 2-6 cali i inny niestandardowy rozmiar.
3. Wyświetlanie szczegółów produktów
Pakiet dostawy
FAQ
- Q1.Czy Twoja firma jest fabryką lub firmą handlową?
-
- Jesteśmy fabryką i możemy również eksportować sami.
-
- Q2.Czy Twoja firma pracuje tylko z sic businessem?
- tak;jednak nie hodujemy sic kryształu samodzielnie.
-
- Pytanie 3.Czy możesz dostarczyć próbkę?
- Tak, możemy dostarczyć próbkę szafiru zgodnie z wymaganiami klienta
-
- Q4.Czy masz zapasy wafli ?
- Zwykle przechowujemy w magazynie wafle sic o standardowym rozmiarze od 2-6 cali
-
- Q5.Gdzie znajduje się Twoja firma.
- Nasza firma znajduje się w Szanghaju w Chinach.
-
- Pytanie 6.Ile czasu zajmie otrzymanie produktów.
- Przetwarzanie zajmie zwykle 3 ~ 4 tygodnie. Zależy to od wielkości produktów.