12 cali średnica 300 mm SIC Substrat Epitaxial Polerowana płytka silikonowa węglowodorkowa ingot Prime Grade 4H-N Typ przewodzący słoneczny fotowoltaiczny
Uzyskaj najlepszą cenę
Opcja podłoża z węglanu krzemu (SiC) dla zastosowań przemysłowych o wysokim standardzie
Uzyskaj najlepszą cenę
4H-N 4-calowy substrat SiC z azotku krzemu Podłoże atrapy SiC do urządzeń o dużej mocy
Uzyskaj najlepszą cenę
4H-N SiC podłoże Silicon Carbon Substrate Square 5mm*5mm Zindywidualizowana grubość 350um Prime Grade/ Dummy Grade
Uzyskaj najlepszą cenę
2 cali 4H-N Silikon węglowodorny SiC Substrat grubość 350um 500um SiC płytki Prime Grade Dummy Grade
Uzyskaj najlepszą cenę
4 cali 4H-N Substrat SiC z węglem krzemowym Dia 100mm N typu Prime Grade Dummy Grade Grubość 350um
Uzyskaj najlepszą cenę
4H-N Substrat SiC z węglem krzemowym 8 cali grubość 350um 500um Prime Grade Dummy Grade SiC Wafer
Uzyskaj najlepszą cenę
6 cali 4H-N Substrat SiC z węglem krzemowym Dia 150 mm Grubość 350um 500um N Typ Prime Grade Dummy Grade
Uzyskaj najlepszą cenę
6calowy węglowodor krzemowy półizolacyjny SiC kompozytowy podłoże P typ N typ jednopłaszczany podwójny płaszcz produkcyjny
Uzyskaj najlepszą cenę
4H-N Karbid Silikonowy SiC Substrat 2c 3c 4c 6c 8c 12c Prime Grade Dummy Grade
Uzyskaj najlepszą cenę
Wafer z węglem krzemowym Sic Substrat 4H-P Typ od osi 4,0° do zera Stopień czujnika temperatury
Uzyskaj najlepszą cenę
10x10mm 5x5mm Rezystywność podłoża SiC 0,015-0,028ohm.Cm lub >1E7ohm.Cm Chipy Sic