Wynik wyszukiwania

Dom Produkty polished silicon wafer Producent internetowy

Wszystkie kategorie

Wafel azotowy galu

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

GaAs Wafer

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

Skontaktuj się z nami

Mr. Wang

eric_wang@zmsh-materials.com

+8615801942596

Skontaktuj się teraz

Twoje poszukiwania

[polished silicon wafer ]

dopasowanie

207

Produkty

SiC Square Mirror Mirror-Grade Polishing for Lithography Machine

Uzyskaj najlepszą cenę

SiC Ceramic Vacuum Chuck Flip-Chip Bonding Mirror Polishing High-Stiffness

Uzyskaj najlepszą cenę

Wafer z węglem krzemowym Sic Substrat 4H-P Typ od osi 4,0° do zera Stopień czujnika temperatury

Uzyskaj najlepszą cenę

wysoka rezystywność przewodności cieplnej Sic Optical Block Lens dla optyki kwantowej

Uzyskaj najlepszą cenę

2 cali 4H-N Silikon węglowodorny SiC Substrat grubość 350um 500um SiC płytki Prime Grade Dummy Grade

Uzyskaj najlepszą cenę

wideo

Maszyna do cięcia drutu diamentowego z trzema stacjami i jednym drutem do przetwarzania SiC / Sapphire / Silicon

Uzyskaj najlepszą cenę

wideo

Dostosowany rozmiar Kwadratowy układ scalony SIC Niski niedopasowanie kratowe z wysoką temperaturą

Uzyskaj najlepszą cenę

Grubość 330um 4H-N Typ Podłoże SiC Klasa produkcyjna Dia50,8 mm 2 cale

Uzyskaj najlepszą cenę

2-calowy Dia 50,8 mm 4H-Semi SiC Substrate Pojedynczy kryształ klasy badawczej

Uzyskaj najlepszą cenę

Wykorzystuje się w tym celu wzorzec "Custom Sic Ceramics Carrier End Effector for Wafer Handling".

Uzyskaj najlepszą cenę

wideo

Polerowany dwuwarstwowy wafel szafirowy Al2O3 Odporność na zużycie pojedynczego podłoża

Uzyskaj najlepszą cenę

6 cali Dia 150mm 350um Grubość 4H N Typ SiC Podłoże do aplikacji SBD MOS

Uzyskaj najlepszą cenę

wideo

2 cale A - Odporność na promieniowanie waflowe szafiru w osi na test gotowości Epi

Uzyskaj najlepszą cenę

Wafel GaN HVPE z azotku galu, Gan Chip wolnostojący Rozmiar 10 x 10 mm

Uzyskaj najlepszą cenę

Wafel GaN o wysokiej sprawności energetycznej Wafel z azotku galu do energooszczędnego oświetlenia

Uzyskaj najlepszą cenę

Undoed Semi-izolacyjny wafel azotku galu HVPE i typ szablonu

Uzyskaj najlepszą cenę

5 6 7 8 9 10 11 12

Wyniki wyszukiwania

Dom Produkty polished silicon wafer Producent internetowy

Wszystkie kategorie

Wafel azotowy galu

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

GaAs Wafer

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

Twoje poszukiwania [ polished silicon wafer ] dopasowanie 207 Produkty

Podłoża półprzewodnikowe soczewek Ge INP Wafel z fosforku indowo-galowego

Uzyskaj najlepszą cenę

Metoda MPCVD Polytype Diamentowe płytki substratowe do epitaksji GaN

Uzyskaj najlepszą cenę

Substrat HVPE GaN lub szablon GaN EPI Wafel Do zastosowań RF

Uzyskaj najlepszą cenę

Metoda MPCVD Diamentowe płytki radiatora GaN do obszaru zarządzania ciepłem

Uzyskaj najlepszą cenę

Wysokiej Czystości SiC Chwytak Końcowy do Obsługi Waferów, Odporny na Korozję i Ciepło, Widelec do Przetwarzania Półprzewodników

Uzyskaj najlepszą cenę

Substraty półprzewodnikowe płytek germanowych <111> Koncentrujące fotovoltaiczne CPV

Uzyskaj najlepszą cenę

AL2O3 Optyczne szkło okienne Sapphire Wafel do urządzeń próżniowych

Uzyskaj najlepszą cenę

12-calowa płytka silikonowa węglowodorek 4H-N

Uzyskaj najlepszą cenę

Sic Silicon Carbide Wafer 55mm/1010mm 4H-P Typ Produkcja

Uzyskaj najlepszą cenę

Bezbarwna przezroczysta soczewka waflowa z węglika krzemu SiC Polished Wafer

Uzyskaj najlepszą cenę

6 cali Sic Substrat z węglanu krzemu 4H-P Prężnica 150 mm Grubość 350 μm Zero MPD Produkcja, standardowa produkcja

Uzyskaj najlepszą cenę

wideo

4H-N typu SiC Substrate 10x10mm Wafer do elektroniki mocy

Uzyskaj najlepszą cenę

5 6 7 8 9 10 11 12

Wafel azotowy galu

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

GaAs Wafer

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

Wafel azotowy galu

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

GaAs Wafer

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

Wafel azotowy galu

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

GaAs Wafer

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

[polished silicon wafer ]

Wafel azotowy galu

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

GaAs Wafer

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

Podłoża półprzewodnikowe soczewek Ge INP Wafel z fosforku indowo-galowego

Metoda MPCVD Polytype Diamentowe płytki substratowe do epitaksji GaN

Substrat HVPE GaN lub szablon GaN EPI Wafel Do zastosowań RF

Metoda MPCVD Diamentowe płytki radiatora GaN do obszaru zarządzania ciepłem

Wysokiej Czystości SiC Chwytak Końcowy do Obsługi Waferów, Odporny na Korozję i Ciepło, Widelec do Przetwarzania Półprzewodników

Substraty półprzewodnikowe płytek germanowych <111> Koncentrujące fotovoltaiczne CPV

AL2O3 Optyczne szkło okienne Sapphire Wafel do urządzeń próżniowych

12-calowa płytka silikonowa węglowodorek 4H-N

Sic Silicon Carbide Wafer 5*5mm/10*10mm 4H-P Typ Produkcja

Bezbarwna przezroczysta soczewka waflowa z węglika krzemu SiC Polished Wafer

6 cali Sic Substrat z węglanu krzemu 4H-P Prężnica 150 mm Grubość 350 μm Zero MPD Produkcja, standardowa produkcja

4H-N typu SiC Substrate 10x10mm Wafer do elektroniki mocy

Sic Silicon Carbide Wafer 55mm/1010mm 4H-P Typ Produkcja