Twoje poszukiwania [ 4H SiC ] dopasowanie
120 Produkty
8 cali 6 cali 4H-N Typ Sic Substrate Klasa produkcyjna wafla dla urządzeń o częstotliwości radiowej
Uzyskaj najlepszą cenę
2c / 4c / 6c Sic Substrat węglanu krzemowego 4H-P Typ od osi 2,0° W kierunku produkcji
Uzyskaj najlepszą cenę
4H-N 8-calowe podłoże półprzewodnikowe SIC Wafel z węglika krzemu do fotowoltaiki słonecznej
Uzyskaj najlepszą cenę
Sic Karbid krzemowy podłoża typu 6H-P na osi 0° Twardość Mohsa 9,2 dla urządzenia laserowego
Uzyskaj najlepszą cenę
12 cali średnica 300 mm SIC Substrat Epitaxial Polerowana płytka silikonowa węglowodorkowa ingot Prime Grade 4H-N Typ przewodzący słoneczny fotowoltaiczny
Uzyskaj najlepszą cenę
Wafer SiC typu 6H-N: 2-calowy podłoże, grubość 350 μm lub 650 μm
Uzyskaj najlepszą cenę
2-calowy 3-calowy Dia100m 4H-N typ Węglik krzemu do produkcji płytek półprzewodnikowych
Uzyskaj najlepszą cenę
wideo
4H-N Wafel do podłoża SiC klasy produkcyjnej o grubości 8 cali, średnica 200 mm
Uzyskaj najlepszą cenę
10x10mm 5x5mm Rezystywność podłoża SiC 0,015-0,028ohm.Cm lub >1E7ohm.Cm Chipy Sic
Uzyskaj najlepszą cenę
Płytka z węgliku krzemu 4 cale średnicy x 350um 4H-N typ P/R/D klasa MOSEFTs/SBD/JBS
Uzyskaj najlepszą cenę
HPSI 4H-SEMI Przezroczysta, bezbarwna, dostosowana soczewka SIC
Uzyskaj najlepszą cenę
Piekarnik do hodowli ingotów SiC wykorzystuje metody PVT, Lely TSSG i LPE do hodowli dużych kryształów o rozmiarach 4, 6 i 8 cali.