szczegółowe informacje o produktach

Dom Produkty

Sic Wafer HPSI：High-purity semi-insulating High thermal conductivity MPD controllable

Nazwa marki:	ZMSH
Numer modelu:	Wafel SiC HPSI
MOQ:	25
Cena:	Fluctuates with market
Czas dostawy:	2-4 tygodnie
Warunki płatności:	T/T

Szczegółowe informacje

Opis produktu

Szczegółowe informacje

Miejsce pochodzenia:

Szanghaj, Chiny

Polityp:

Główny nurt 4H-SiC

Średnica:

Dostępne 4/6/8 cala

Grubość:

Standardowe rozmiary to 350 μm, 500 μm i 650 μm

Oporność:

≥1×10¹⁰ Ω・cm (specyfikacja elektryczna rdzenia HPSI)

Obróbka powierzchniowa:

Jednostronne/dwustronne polerowanie lustrzane CMP

Gęstość mikropipe:

Stopień produkcji masowej ≤1 szt./cm²

Opis produktu

Information of HPSI SiC Wafers HPSI (High Purity Semi-Insulating) silicon carbide wafers are critical foundational substrates for high-frequency GaN RF devices and advanced third-generation semiconductors. With the rapid expansion of 5G communication, millimeter-wave radar and aerospace electronics markets, the global SiC substrate market is projected to exceed USD 2 billion by 2030, playing an irreplaceable strategic role in next-generation wireless communication and high

Tagi:

wafel sic

substrat sic

podłoże z węglika krzemu

ZAŁĄCZONE PRODUKTY

4H-N SiC: Dostępne polerowanie SSP/DSP o niestandardowej grubości Falowniki PV i magazynowania energii

Uzyskaj najlepszą cenę

Wysokiej czystości półizolacyjna płytka SiC HPSI Substrat z węglanu krzemu do urządzeń zasilania i RF

Uzyskaj najlepszą cenę

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Maszyna do piły drutowej

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

Wafel azotowy galu

GaAs Wafer