Wynik wyszukiwania

Dom Produkty silicon carbide substrate Producent internetowy

Wszystkie kategorie

Wafel azotowy galu

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

GaAs Wafer

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

Skontaktuj się z nami

Mr. Wang

eric_wang@zmsh-materials.com

+8615801942596

Skontaktuj się teraz

Twoje poszukiwania

[silicon carbide substrate ]

dopasowanie

202

Produkty

2/4/6/8 cala Sic Substrat węglowodorów krzemowych 4H 6H 3C Typ wsparcia dostosować przemysł półprzewodnikowy

Uzyskaj najlepszą cenę

12-calowy podłoże pojedynczego kryształu węglanu krzemu duży rozmiar średnica wysokiej czystości 300 mm Produkt do komunikacji 5G

Uzyskaj najlepszą cenę

2c / 4c / 6c Sic Substrat węglanu krzemowego 4H-P Typ od osi 2,0° W kierunku produkcji

Uzyskaj najlepszą cenę

Sic Karbid krzemowy podłoża typu 6H-P na osi 0° Twardość Mohsa 9,2 dla urządzenia laserowego

Uzyskaj najlepszą cenę

2 cali 4 cali 6 cali Sic Substrat z węglowodorem krzemowym 6H Wysoki P-doped Typ od osi 4.0° w kierunku Prime Grade Dummy Grade

Uzyskaj najlepszą cenę

2 cali/4 cali/6 cali/5,05,0 mm/10,010,0 mm Sic Substrat węglanu krzemowego typ 3C-N Na osi: < 111 > ± 0,5° Poziom produkcji Poziom fałszywy

Uzyskaj najlepszą cenę

8-calowy DSP 4H SiC Wafel Podłoże z węglika krzemu Klasa produkcyjna N Typ do eksperymentu

Uzyskaj najlepszą cenę

6 cali Sic Substrat z węglanu krzemu 4H-P Prężnica 150 mm Grubość 350 μm Zero MPD Produkcja, standardowa produkcja

Uzyskaj najlepszą cenę

6 cali Sic Substrat z węglanu krzemu 6H-P Typ do komunikacji i systemów radarowych Prężnica 150 mm Prime Grade

Uzyskaj najlepszą cenę

Sic Substrat węglowodorów krzemowych 5,0*5,0 mm kwadrat 6H-P grubość 350μm Zero Grade Dummy Grade

Uzyskaj najlepszą cenę

Substrat węglowodorów krzemowych 4'' Sic 3C-N Prężnica 100 mm Przewodzący Typ Zero MPD

Uzyskaj najlepszą cenę

2 cali Sic Substrat z węglem krzemowym 6H Niska odporność Wysoki P-doped Typ średnica 50,8 mm

Uzyskaj najlepszą cenę

Wysokiej czystości niedomieszkowany wafel krzemowy z węglika krzemu, 6-calowy, półsic 4H-Sic z węglika krzemu

Uzyskaj najlepszą cenę

2 cali Sic Substrat węglanu krzemowego 3C-N Typ 50.8 mm średnica Produkcja klasy badawczej klasy fałszywej

Uzyskaj najlepszą cenę

Dostosowany rozmiar Twardość podłoża z węglika krzemu 9,4 Sic Części do sprzętu

Uzyskaj najlepszą cenę

wideo

Karbyd krzemowy (SiC) Substrat 6 cali 8 cali płytka testowa do cięcia laserowego

Uzyskaj najlepszą cenę

1 2 3 4 5 6 7 8

Wyniki wyszukiwania

Dom Produkty silicon carbide substrate Producent internetowy

Wszystkie kategorie

Wafel azotowy galu

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

GaAs Wafer

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

Twoje poszukiwania [ silicon carbide substrate ] dopasowanie 202 Produkty

2/4/6/8 cala Sic Substrat węglowodorów krzemowych 4H 6H 3C Typ wsparcia dostosować przemysł półprzewodnikowy

Uzyskaj najlepszą cenę

12-calowy podłoże pojedynczego kryształu węglanu krzemu duży rozmiar średnica wysokiej czystości 300 mm Produkt do komunikacji 5G

Uzyskaj najlepszą cenę

2c / 4c / 6c Sic Substrat węglanu krzemowego 4H-P Typ od osi 2,0° W kierunku produkcji

Uzyskaj najlepszą cenę

Sic Karbid krzemowy podłoża typu 6H-P na osi 0° Twardość Mohsa 9,2 dla urządzenia laserowego

Uzyskaj najlepszą cenę

2 cali 4 cali 6 cali Sic Substrat z węglowodorem krzemowym 6H Wysoki P-doped Typ od osi 4.0° w kierunku Prime Grade Dummy Grade

Uzyskaj najlepszą cenę

2 cali/4 cali/6 cali/5,05,0 mm/10,010,0 mm Sic Substrat węglanu krzemowego typ 3C-N Na osi: < 111 > ± 0,5° Poziom produkcji Poziom fałszywy

Uzyskaj najlepszą cenę

8-calowy DSP 4H SiC Wafel Podłoże z węglika krzemu Klasa produkcyjna N Typ do eksperymentu

Uzyskaj najlepszą cenę

6 cali Sic Substrat z węglanu krzemu 4H-P Prężnica 150 mm Grubość 350 μm Zero MPD Produkcja, standardowa produkcja

Uzyskaj najlepszą cenę

6 cali Sic Substrat z węglanu krzemu 6H-P Typ do komunikacji i systemów radarowych Prężnica 150 mm Prime Grade

Uzyskaj najlepszą cenę

Sic Substrat węglowodorów krzemowych 5,0*5,0 mm kwadrat 6H-P grubość 350μm Zero Grade Dummy Grade

Uzyskaj najlepszą cenę

Substrat węglowodorów krzemowych 4'' Sic 3C-N Prężnica 100 mm Przewodzący Typ Zero MPD

Uzyskaj najlepszą cenę

2 cali Sic Substrat z węglem krzemowym 6H Niska odporność Wysoki P-doped Typ średnica 50,8 mm

Uzyskaj najlepszą cenę

1 2 3 4 5 6 7 8

Wafel azotowy galu

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

GaAs Wafer

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

Wafel azotowy galu

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

GaAs Wafer

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

Wafel azotowy galu

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

GaAs Wafer

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

[silicon carbide substrate ]

Wafel azotowy galu

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

GaAs Wafer

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

2/4/6/8 cala Sic Substrat węglowodorów krzemowych 4H 6H 3C Typ wsparcia dostosować przemysł półprzewodnikowy

12-calowy podłoże pojedynczego kryształu węglanu krzemu duży rozmiar średnica wysokiej czystości 300 mm Produkt do komunikacji 5G

2c / 4c / 6c Sic Substrat węglanu krzemowego 4H-P Typ od osi 2,0° W kierunku produkcji

Sic Karbid krzemowy podłoża typu 6H-P na osi 0° Twardość Mohsa 9,2 dla urządzenia laserowego

2 cali 4 cali 6 cali Sic Substrat z węglowodorem krzemowym 6H Wysoki P-doped Typ od osi 4.0° w kierunku Prime Grade Dummy Grade

2 cali/4 cali/6 cali/5,0*5,0 mm/10,0*10,0 mm Sic Substrat węglanu krzemowego typ 3C-N Na osi: < 111 > ± 0,5° Poziom produkcji Poziom fałszywy

8-calowy DSP 4H SiC Wafel Podłoże z węglika krzemu Klasa produkcyjna N Typ do eksperymentu

6 cali Sic Substrat z węglanu krzemu 4H-P Prężnica 150 mm Grubość 350 μm Zero MPD Produkcja, standardowa produkcja

6 cali Sic Substrat z węglanu krzemu 6H-P Typ do komunikacji i systemów radarowych Prężnica 150 mm Prime Grade

Sic Substrat węglowodorów krzemowych 5,0*5,0 mm kwadrat 6H-P grubość 350μm Zero Grade Dummy Grade

Substrat węglowodorów krzemowych 4'' Sic 3C-N Prężnica 100 mm Przewodzący Typ Zero MPD

2 cali Sic Substrat z węglem krzemowym 6H Niska odporność Wysoki P-doped Typ średnica 50,8 mm

2 cali/4 cali/6 cali/5,05,0 mm/10,010,0 mm Sic Substrat węglanu krzemowego typ 3C-N Na osi: < 111 > ± 0,5° Poziom produkcji Poziom fałszywy