Wynik wyszukiwania

Dom Produkty SiC MOSFET Producent internetowy

Wszystkie kategorie

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Maszyna do piły drutowej

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

Wafel azotowy galu

GaAs Wafer

Skontaktuj się z nami

Mr. Wang

eric_wang@zmsh-materials.com

+8615801942596

Skontaktuj się teraz

Twoje poszukiwania

[SiC MOSFET ]

dopasowanie

Produkty

2 cali Sic Substrate 6H-N Typ Grubość 350um 650um Sic Wafer

Uzyskaj najlepszą cenę

wideo

Karbid krzemowy prostokątny podłoża SiC chip dla zaawansowanej elektroniki

Uzyskaj najlepszą cenę

4H-N 4-calowy substrat SiC z azotku krzemu Podłoże atrapy SiC do urządzeń o dużej mocy

Uzyskaj najlepszą cenę

12-calowa 300mm 4H-N SiC Substrat do produkcji półprzewodników mocy

Uzyskaj najlepszą cenę

12-calowa 300mm 4H-N 6H-N Monokryształowy Wafer z węglika krzemu SiC do urządzeń zasilających i LED

Uzyskaj najlepszą cenę

2 cali Sic Substrat z węglem krzemowym 6H Niska odporność Wysoki P-doped Typ średnica 50,8 mm

Uzyskaj najlepszą cenę

rezystywność >1E7ohm.cm Podłoże SiC o niestandardowym kształcie

Uzyskaj najlepszą cenę

Wyroby z podłoża krzemowego (SiC) o średnicy 12 cali (300 mm)

Uzyskaj najlepszą cenę

10x10mm 5x5mm Rezystywność podłoża SiC 0,015-0,028ohm.Cm lub >1E7ohm.Cm Chipy Sic

Uzyskaj najlepszą cenę

wideo

Dostosowany rozmiar Kwadratowy układ scalony SIC Niski niedopasowanie kratowe z wysoką temperaturą

Uzyskaj najlepszą cenę

2-calowy 4-calowy 6-calowy 8-calowy wafel z węglika krzemu Wafle Sic Dummy Research Prime Grade

Uzyskaj najlepszą cenę

2-calowa płytka z węglem krzemowym typu 4H-N dla urządzenia MOS Dia 0,4 mm

Uzyskaj najlepszą cenę

12 cali średnica 300 mm SIC Substrat Epitaxial Polerowana płytka silikonowa węglowodorkowa ingot Prime Grade 4H-N Typ przewodzący słoneczny fotowoltaiczny

Uzyskaj najlepszą cenę

wideo

10 Mm X 10 Mm 6H Półizolujące podłoże SiC Klasa badawcza Kryształowe podłoże SiC

Uzyskaj najlepszą cenę

3-calowy wafel z węglika krzemu, doskonałe podłoże przejściowe typu Sic

Uzyskaj najlepszą cenę

5x40mm Dostosowany kształt sic Wafle kryształowe 4H-N Sic Substrates chips

Uzyskaj najlepszą cenę

1 2 3 4 5

Wyniki wyszukiwania

Dom Produkty SiC MOSFET Producent internetowy

Wszystkie kategorie

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Maszyna do piły drutowej

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

Wafel azotowy galu

GaAs Wafer

Twoje poszukiwania [ SiC MOSFET ] dopasowanie 75 Produkty

Sic maszyna do cięcia drutu diamentowego Precyzyjne sterowanie Sic cięcie kryształowej pręty

Uzyskaj najlepszą cenę

2 cali 4 cali 6 cali Sic Substrat z węglowodorem krzemowym 6H Wysoki P-doped Typ od osi 4.0° w kierunku Prime Grade Dummy Grade

Uzyskaj najlepszą cenę

Sic piec syntezy surowców 50 kg wytrzymałość przygotowanie wysokiej czystości kryształu Sic

Uzyskaj najlepszą cenę

4H-N typu SiC Substrate 10x10mm Wafer do elektroniki mocy

Uzyskaj najlepszą cenę

Sic Karbid krzemowy podłoża typu 6H-P na osi 0° Twardość Mohsa 9,2 dla urządzenia laserowego

Uzyskaj najlepszą cenę

2/4/6/8 cali Sic Kryształowe nasiona węglowodorów krzemowych Substrat 4H-N Typ Wysoka twardość P stopnia R stopnia D stopnia

Uzyskaj najlepszą cenę

Sic płytka z węglanu krzemowego typu 4H-P na osi 0°Używana do produkcji urządzeń o dużej mocy

Uzyskaj najlepszą cenę

Dostosowany rozmiar Twardość podłoża z węglika krzemu 9,4 Sic Części do sprzętu

Uzyskaj najlepszą cenę

2 cali Sic Substrate 6H-N Typ Grubość 350um 650um Sic Wafer

Uzyskaj najlepszą cenę

wideo

Karbid krzemowy prostokątny podłoża SiC chip dla zaawansowanej elektroniki

Uzyskaj najlepszą cenę

4H-N 4-calowy substrat SiC z azotku krzemu Podłoże atrapy SiC do urządzeń o dużej mocy

Uzyskaj najlepszą cenę

12-calowa 300mm 4H-N SiC Substrat do produkcji półprzewodników mocy

Uzyskaj najlepszą cenę

1 2 3 4 5 6 7