logo
Dom Produkty

Podłoże SiC

Im Online Czat teraz

Podłoże SiC

(137)
Chiny Karburowa płytka krzemowa 6H P-Type & 4H P-Type Zero MPD Production Dummy Grade Dia 4in 6in fabryka

Karburowa płytka krzemowa 6H P-Type & 4H P-Type Zero MPD Production Dummy Grade Dia 4in 6in

Wafer z węglem krzemowym 6H P-Type & 4H P-Type Zero MPD Production Dummy grade Dia 4inch 6inch Karbid krzemowy Wafer 6H P-Type & 4H P-Type's abstract W niniejszym badaniu analizowane są właściwości i zastosowan... Czytaj więcej
2024-09-24 17:30:38
Chiny Karburowa płytka krzemowa 4H P-Type Zero MPD Production Grade Dummy fabryka

Karburowa płytka krzemowa 4H P-Type Zero MPD Production Grade Dummy

Karbidowa płytka krzemowa 4H P-Type Zero MPD Production Grade Dummy Grade 4in 6in Karbid krzemowy płytka 4H P-Type's abstrakt W niniejszym badaniu przedstawiono właściwości i potencjalne zastosowania płytki z w... Czytaj więcej
2024-09-24 17:30:38
Chiny Wafer z węglanu krzemowego 6H typu P standardowy stopień produkcji Dia:1450,5 mm~150,0 mm Grubość 350 μm ± 25 μm fabryka

Wafer z węglanu krzemowego 6H typu P standardowy stopień produkcji Dia:1450,5 mm~150,0 mm Grubość 350 μm ± 25 μm

Wafer z węglanu krzemowego 6H typu P standardowy stopień produkcji Dia:145.5 mm~150,0 mm grubość 350 μm ± 25 μm 6H P-Type Silicon Carbide wafery W niniejszym artykule przedstawiono rozwój i charakterystykę p... Czytaj więcej
2024-09-24 17:30:38
Chiny Karbid krzemowy SIC Wafer 10*10 mm 6H-P Grubość 350μm Dla urządzeń o dużej mocy fabryka

Karbid krzemowy SIC Wafer 10*10 mm 6H-P Grubość 350μm Dla urządzeń o dużej mocy

Opis produktu: Karbid krzemowy SIC Wafer 10*10 mm 6H-P Grubość 350μm Dla urządzeń o dużej mocy 6H-SiC (Hexagonal Silicon Carbide) jest szerokopasmowym materiałem półprzewodnikowym o dobrej przewodności cieplnej ... Czytaj więcej
2024-09-24 17:30:38
Chiny Sic Substrat węglowodorów krzemowych 5,0*5,0 mm kwadrat 6H-P grubość 350μm Zero Grade Dummy Grade fabryka

Sic Substrat węglowodorów krzemowych 5,0*5,0 mm kwadrat 6H-P grubość 350μm Zero Grade Dummy Grade

Opis produktu: Sic Substrat węglowodorów krzemowych 5,0*5,0 mm kwadrat 6H-P grubość 350μm Zero Grade Dummy Grade 6H-SiC (Hexagonal Silicon Carbide) jest szerokopasmowym materiałem półprzewodnikowym o dobrej ... Czytaj więcej
2024-09-24 17:30:38
Chiny 2 cali Sic Substrat z węglem krzemowym 6H Niska odporność Wysoki P-doped Typ średnica 50,8 mm fabryka

2 cali Sic Substrat z węglem krzemowym 6H Niska odporność Wysoki P-doped Typ średnica 50,8 mm

Opis produktu: 2 cali Sic Substrat z węglem krzemowym 6H Niska odporność Wysoki P-doped Typ średnica 50,8 mm 6H-SiC (Hexagonal Silicon Carbide) jest szerokopasmowym materiałem półprzewodnikowym o dobrej ... Czytaj więcej
2024-09-24 17:30:38
Chiny 6H-P Karbid Silikonowy Substrat SiC 6 cali SIC Wafer 4H-P Do urządzeń optoelektronicznych fabryka

6H-P Karbid Silikonowy Substrat SiC 6 cali SIC Wafer 4H-P Do urządzeń optoelektronicznych

Substrat SiC, Substrat węglowodorku krzemowego, Substrat surowy węglowodorku krzemowego, Substrat surowy węglowodorku krzemowego, Prime Grade, Dummy Grade, Substrat 4H-P SiC, Substrat 6H-P SiC, 3C-N SiC 2c SiC, ... Czytaj więcej
2024-09-24 17:30:38
Chiny 4H-P Karbyd krzemu SiC Substrat 4 cali SIC Wafer 6H-P Do osadzenia nitrurowego III-V fabryka

4H-P Karbyd krzemu SiC Substrat 4 cali SIC Wafer 6H-P Do osadzenia nitrurowego III-V

Substrat SiC, Substrat węglowodorku krzemowego, Substrat surowy węglowodorku krzemowego, Substrat surowy węglowodorku krzemowego, Prime Grade, Dummy Grade, Substrat 4H-P SiC, Substrat 6H-P SiC, 3C-N SiC 2c SiC, ... Czytaj więcej
2024-09-24 17:30:38
Chiny 4H-N 4-calowy substrat SiC z azotku krzemu Podłoże atrapy SiC do urządzeń o dużej mocy fabryka

4H-N 4-calowy substrat SiC z azotku krzemu Podłoże atrapy SiC do urządzeń o dużej mocy

4H-N 4H-SEMI 2cm 3inch 4inch 6Inch SiC Substrate Production grade dummy grade for High-Power Devices H Wysokiej czystości silikonkarburowe substraty, wysokiej czystości 4-calowe substraty SiC, 4-calowe ... Czytaj więcej
2024-09-13 15:24:32
Chiny 4H-N 5x5mm Sic Wafle Ceramiczne podłoże katalizatora DSP fabryka

4H-N 5x5mm Sic Wafle Ceramiczne podłoże katalizatora DSP

Wysokiej czystości płytki HPSI 4H-SEMI 4H-N 10X10mm 5x5mm sic DSP Zastosowanie węglika krzemu w przemyśle urządzeń silnikowych Jednostka wydajnościowa Si Si Silicon Carbide SiC Gallium Nitride GaNPrzepaść ... Czytaj więcej
2024-09-13 15:22:41
Page 7 of 14|< 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 >|