logo
SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD
Dom Produkty

Podłoże SiC

Wszystkie produkty
Wafel azotowy galu (35)
Szafirowy opłatek (88)
Podłoże SiC (132)
Sapphire Optical Windows (77)
IC Wafel silikonowy (22)
Syntetyczny Sapphire Rod (13)
Topiona płyta kwarcowa (40)
Szafirowe części (114)
Syntetyczny kamień szlachetny (72)
Sprzęt półprzewodnikowy (55)
Wafel LiNbO3 (18)
GaAs Wafer (24)
Wafel indofosforowy (34)
Podłoże ceramiczne (25)
Opakowanie laboratoryjne (31)
Najlepsze produkty
Niedomieszkowany przezroczysty kryształ sic z węglika krzemu Soczewka optyczna o twardości 9.2

Niedomieszkowany przezroczysty kryształ sic z węglika krzemu Soczewka optyczna o twardości 9.2

SIC Wafel z kryształowego węglika krzemu

SIC Wafel z kryształowego węglika krzemu

DUMMY Najwyższej jakości 6-calowy węglik krzemu sic Wafel 0,5 mm 0,35 mm DSP 4H-N / pół Grubość podłoża

DUMMY Najwyższej jakości 6-calowy węglik krzemu sic Wafel 0,5 mm 0,35 mm DSP 4H-N / pół Grubość podłoża

Im Online Czat teraz
Chiny 4-calowa, 6-calowa, 8-calowa płytka SICOI 4H-SiC na izolacji 100 do 150 mm film SIC na krzemowym dystrybutor
4-calowa, 6-calowa, 8-calowa płytka SICOI 4H-SiC na izolacji 100 do 150 mm film SIC na krzemowym

Podłoże SiC

(137)
Chiny 2 cali Sic Substrat węglanu krzemowego 3C-N Typ 50.8 mm średnica Produkcja klasy badawczej klasy fałszywej fabryka

2 cali Sic Substrat węglanu krzemowego 3C-N Typ 50.8 mm średnica Produkcja klasy badawczej klasy fałszywej
Kontakt

Opis produktu: 2 cali Sic Substrat węglanu krzemowego 3C-N Typ 50.8 mm średnica Produkcja klasy badawczej klasy fałszywej 3C-SiC (Cubic Silicon Carbide) jest szerokopasmowym materiałem półprzewodnikowym o ... Czytaj więcej
2024-10-11 10:35:00
Chiny SiC Seed Wafer 6" 8" 4H-N Type Production Grade Dummy Grade For SiC Wafer Growth fabryka

SiC Seed Wafer 6" 8" 4H-N Type Production Grade Dummy Grade For SiC Wafer Growth
Kontakt

SiC wafer nasion 6c 8c 4H-N rodzaj produkcji klasy Dummy dla wzrostu wafer SiC 6c, 8c, 8c, SiC. Płytki nasion SiC odgrywają kluczową rolę w procesach wzrostu kryształu węglanu krzemu (SiC), w szczególności w ... Czytaj więcej
2024-10-11 10:35:00
Chiny Płytki z węglem krzemowym typu 4H Dia 157±0,5 mm grubość 500±50um powierzchnia monokrystaliczna >153 mm fabryka

Płytki z węglem krzemowym typu 4H Dia 157±0,5 mm grubość 500±50um powierzchnia monokrystaliczna >153 mm
Kontakt

Płytki z węglem krzemowym typu 4H Dia 157±0,5 mm grubość 500±50um powierzchnia monokrystaliczna >153 mm 4H Silicon Carbide Seed's abstrakcja W dziedzinie wzrostu kryształów węglika krzemu (SiC) płytki nasion ... Czytaj więcej
2024-10-11 10:35:00
Chiny Wafer nasienny SiC grubość 8 cali 600±50um 4H typu klasy produkcyjnej dla wzrostu kryształu węglanu krzemowego fabryka

Wafer nasienny SiC grubość 8 cali 600±50um 4H typu klasy produkcyjnej dla wzrostu kryształu węglanu krzemowego
Kontakt

Płytka nasion SiC o grubości 8 cali 600±50um 4H typu produkcji klasy dla wzrostu kryształu węglanu krzemowego Abstrakt płytki nasion SiC Płytki nasion SiC są kluczowe w produkcji wysokiej jakości kryształów w... Czytaj więcej
2024-10-11 10:35:00
Chiny 2 cali 4H-P SIC Wafer z węglanu krzemowego dla fotowoltaiki Grubość 350 μm Średnica 50,8 mm Zero Grade fabryka

2 cali 4H-P SIC Wafer z węglanu krzemowego dla fotowoltaiki Grubość 350 μm Średnica 50,8 mm Zero Grade
Kontakt

Opis produktu: 2 cali 4H-P SIC Wafer z węglanu krzemowego dla fotowoltaiki Grubość 350 μm Średnica 50,8 mm Zero Grade Karbid krzemu 4H-P (SiC) jest ważnym materiałem półprzewodnikowym powszechnie stosowanym w ... Czytaj więcej
2024-10-11 10:35:00
Chiny 6calowy węglowodor krzemowy półizolacyjny SiC kompozytowy podłoże P typ N typ jednopłaszczany podwójny płaszcz produkcyjny fabryka

6calowy węglowodor krzemowy półizolacyjny SiC kompozytowy podłoże P typ N typ jednopłaszczany podwójny płaszcz produkcyjny
Kontakt

Opis produktu: 6calowy węglowodor krzemowy półizolacyjny SiC kompozytowy podłoże P typ N typ jednopłaszczany podwójny płaszcz produkcyjny Płytki złożone z półizolacyjnego węglanu krzemowego (SiC) to nowy rodzaj ... Czytaj więcej
2024-10-11 10:33:11
Chiny 5*5mm/10*10mm Grubość płytki węglowodorku krzemowego 350μm Sic 3C-N Typ Wysoka wytrzymałość mechaniczna fabryka

5*5mm/10*10mm Grubość płytki węglowodorku krzemowego 350μm Sic 3C-N Typ Wysoka wytrzymałość mechaniczna
Kontakt

Opis produktu: 5*5mm/10*10mm Grubość płytki węglowodorku krzemowego 350μm Sic 3C-N Typ Wysoka wytrzymałość mechaniczna 3C-SiC (Cubic Silicon Carbide) jest szerokopasmowym materiałem półprzewodnikowym o dobrych ... Czytaj więcej
2024-10-11 10:33:11
Chiny Wafer z węglem krzemowym 6 cali Sic Single Crystal 150mm Diameter 3C-N Type Suit dla komunikacyjnych systemów radarowych fabryka

Wafer z węglem krzemowym 6 cali Sic Single Crystal 150mm Diameter 3C-N Type Suit dla komunikacyjnych systemów radarowych
Kontakt

Opis produktu: Wafer z węglem krzemowym 6 cali Sic Single Crystal 150mm Diameter 3C-N Type Suit dla komunikacyjnych systemów radarowych 3C-SiC (Cubic Silicon Carbide) jest szerokopasmowym materiałem pó... Czytaj więcej
2024-10-11 10:33:11
Chiny Substrat węglowodorów krzemowych 4'' Sic 3C-N Prężnica 100 mm Przewodzący Typ Zero MPD fabryka

Substrat węglowodorów krzemowych 4'' Sic 3C-N Prężnica 100 mm Przewodzący Typ Zero MPD
Kontakt

Opis produktu: Substrat węglowodorów krzemowych 4" Sic 3C-N Prężnica 100 mm Przewodzący Typ Zero MPD 3C-SiC (Cubic Silicon Carbide) jest szerokopasmowym materiałem półprzewodnikowym o dobrych właściwościach ... Czytaj więcej
2024-10-11 10:33:11
Chiny 4-calowa płytka węglowodorowa silikonowa 6H-P grubość 350 μm Zero / Prime Grade Dummy Grade fabryka

4-calowa płytka węglowodorowa silikonowa 6H-P grubość 350 μm Zero / Prime Grade Dummy Grade
Kontakt

Opis produktu: 4-calowa płytka silikonowa 6H-P grubość 350 μm 6H-SiC (Hexagonal Silicon Carbide) jest szerokopasmowym materiałem półprzewodnikowym o dobrej przewodności cieplnej i wysokiej odporności na ... Czytaj więcej
2024-09-29 11:29:00
Page 6 of 14|< 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 >|
Podłoże SiC

Wysokiej czystości niedomieszkowany wafel krzemowy z węglika krzemu, 6-calowy, półsic 4H-Sic z węglika krzemu

2-calowy 6H - Węglik spiekany o niskim poborze mocy dla detektora

4-calowy węglik spiekany z węglika krzemu o grubości 5 - 15 mm do półprzewodników

4H-SEMI Polished Sic Wafer lens 2 cale 3 cale 4 cale 9,0 twardość materiału urządzenia

Szafirowy opłatek

Semiconductor Wafer Custom Sapphire Glass / Sapphire Windows Special Orientation

Sapphire wafer Grubość 0,43 mm Sapphire Komponenty Niestandardowy rozmiar I orientacje

Kwadratowy szafirowy szkiełko / szafirowe szkło kryształowe 10x10mm 5x5mm dla soczewki optycznej

2 ° C C - Osi Syntetyczne szkło szafirowe Epi - gotowe podłoża 2-calowa średnica 50,8 mm

Wafel azotowy galu

Wyświetlacz projekcji laserowej Wafel z azotku galu GaN Grubość 350um

2-calowy, 4-calowy, wolnostojący szablon podłoża z azotku galu GaN dla diod LED

2-CALOWY 4-CALOWY szablon NPSS/FSS AlN na szafirowej płytce EPI AlN-On-Sapphire wafel

2-calowy 4-calowy azotek galu GaN AlN Wafel szablonowy na podłożach szafirowych i Si

Poprosić o wycenę

E-Mail | Mapy

Strona mobilna
Polityka prywatności | Chiny dobry Jakość Wafel azotowy galu dostawca. © 2018 - 2025 SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD. All Rights Reserved.