Wynik wyszukiwania

Dom Produkty GaN on Silicon Producent internetowy

Wszystkie kategorie

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Maszyna do piły drutowej

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

Wafel azotowy galu

GaAs Wafer

Skontaktuj się z nami

Mr. Wang

eric_wang@zmsh-materials.com

+8615801942596

Skontaktuj się teraz

Twoje poszukiwania

[GaN on Silicon ]

dopasowanie

125

Produkty

Oś A Sapphire Wafer 60/40 Powierzchnia i ochrona DSP monokrystaliczna

Uzyskaj najlepszą cenę

wideo

6-12 cali SiC podłoża System separacji laserowej maszyny płytki dostosowane

Uzyskaj najlepszą cenę

4H-N SiC: Dostępne polerowanie SSP/DSP o niestandardowej grubości Falowniki PV i magazynowania energii

Uzyskaj najlepszą cenę

Instrument orientacji płytki oparty na XRD do precyzyjnego określania kąta cięcia

Uzyskaj najlepszą cenę

wideo

Maszyna do cięcia pojedynczej linii drutu diamentowego do materiałów SiC/zafirowych/kwartowych/ceramicznych

Uzyskaj najlepszą cenę

High-Purity SiC Vertical Furnace Tube High-Temperature Resistant

Uzyskaj najlepszą cenę

Płytki z nasion kryształowych SiC Dia 205 203 208 Producent PVT/HTCVD wzrost

Uzyskaj najlepszą cenę

2 cale 3 cale 4 cale 6 cale Płytki epitaksjalne SiC 4H-N klasy produkcyjnej

Uzyskaj najlepszą cenę

8-calowa wafle epitaksjalne SiC, średnica 200mm, grubość 500µm, typ 4H-N

Uzyskaj najlepszą cenę

Wykorzystuje się w tym celu wzorzec "Custom Sic Ceramics Carrier End Effector for Wafer Handling".

Uzyskaj najlepszą cenę

Dwustronnie polerowana Sapphire Optical Windows Custom Size Średnica φ350mm

Uzyskaj najlepszą cenę

wideo

6-calowa szafirowa orientacja wafla 0001 Al2O3 Pojedyncza kryształowa przezroczystość optyczna

Uzyskaj najlepszą cenę

12-calowy C-aixs Al2O3 Sapphire Wafer DSP średnica 304,8 mm

Uzyskaj najlepszą cenę

Ceramika elektroniczna - syntetyczny szafirowy pręt z 99,999% materiałów Al2O3

Uzyskaj najlepszą cenę

wideo

Dostosowany rozmiar Tłoczenie szafirowe Płyta odporna na korozję Wytrzymuje wysokie temperatury

Uzyskaj najlepszą cenę

Okna optyczne wykonane na zamówienie o wysokiej precyzji z przezroczystego szafirowego szkła

Uzyskaj najlepszą cenę

1 2 3 4 5 6 7 8

Wyniki wyszukiwania

Dom Produkty GaN on Silicon Producent internetowy

Wszystkie kategorie

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Maszyna do piły drutowej

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

Wafel azotowy galu

GaAs Wafer

Twoje poszukiwania [ GaN on Silicon ] dopasowanie 120 Produkty

6calowy 4H-SEMI substrat SiC do okularów AR i urządzeń RF 5G

Uzyskaj najlepszą cenę

5x40mm Dostosowany kształt sic Wafle kryształowe 4H-N Sic Substrates chips

Uzyskaj najlepszą cenę

Niestandardowy SiC Ceramic Boat Carrier dla obróbki płytek

Uzyskaj najlepszą cenę

wideo

4H-N Wafel do podłoża SiC klasy produkcyjnej o grubości 8 cali, średnica 200 mm

Uzyskaj najlepszą cenę

wideo

System rozrzedzania płytek Dokładny sprzęt rozrzedzania płytek SiC Si Kompatybilny 4 -12 cali Pojemność płytek

Uzyskaj najlepszą cenę

4-calowa płytka SiC Epitaxial 4H-N średnica 100 mm grubość 350 μm Prime Grade

Uzyskaj najlepszą cenę

wideo

Maszyna do piły z pojedynczym / wielokrotnym drutem diamentowym do obróbki płyt półprzewodnikowych

Uzyskaj najlepszą cenę

2 "Safir Wafer, poza oś C w kierunku płaszczyzny A 2°, 430 μm grubości, DSP/SSP

Uzyskaj najlepszą cenę

wideo

4-calowy substrat szafirowy C-Plane SSP Al₂O₃ do zastosowań LED i optycznych

Uzyskaj najlepszą cenę

SiC Seed Wafer 6" 8" 4H-N Type Production Grade Dummy Grade For SiC Wafer Growth

Uzyskaj najlepszą cenę

4-calowe 6-calowe 8-calowe 4H-SiCOI Płytki Kompozytowe SiC na Podłożach Izolacyjnych

Uzyskaj najlepszą cenę

Bonding-Specific SiC Vacuum Chuck Wafer Adsorption Surface Flatness ≤1μm

Uzyskaj najlepszą cenę

3 4 5 6 7 8 9 10

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Maszyna do piły drutowej

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

Wafel azotowy galu

GaAs Wafer

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Maszyna do piły drutowej

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

Wafel azotowy galu

GaAs Wafer

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Maszyna do piły drutowej

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

Wafel azotowy galu

GaAs Wafer

[GaN on Silicon ]

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Maszyna do piły drutowej

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

Wafel azotowy galu

GaAs Wafer

6calowy 4H-SEMI substrat SiC do okularów AR i urządzeń RF 5G

5x40mm Dostosowany kształt sic Wafle kryształowe 4H-N Sic Substrates chips

Niestandardowy SiC Ceramic Boat Carrier dla obróbki płytek

4H-N Wafel do podłoża SiC klasy produkcyjnej o grubości 8 cali, średnica 200 mm

System rozrzedzania płytek Dokładny sprzęt rozrzedzania płytek SiC Si Kompatybilny 4 -12 cali Pojemność płytek

4-calowa płytka SiC Epitaxial 4H-N średnica 100 mm grubość 350 μm Prime Grade

Maszyna do piły z pojedynczym / wielokrotnym drutem diamentowym do obróbki płyt półprzewodnikowych

2 "Safir Wafer, poza oś C w kierunku płaszczyzny A 2°, 430 μm grubości, DSP/SSP

4-calowy substrat szafirowy C-Plane SSP Al₂O₃ do zastosowań LED i optycznych

SiC Seed Wafer 6" 8" 4H-N Type Production Grade Dummy Grade For SiC Wafer Growth

4-calowe 6-calowe 8-calowe 4H-SiCOI Płytki Kompozytowe SiC na Podłożach Izolacyjnych

​​Bonding-Specific SiC Vacuum Chuck Wafer Adsorption Surface Flatness ≤1μm​​

Bonding-Specific SiC Vacuum Chuck Wafer Adsorption Surface Flatness ≤1μm