Szczegóły Produktu
Miejsce pochodzenia: Chiny
Nazwa handlowa: zmsh
Warunki płatności i wysyłki
Material: |
SiC Ceramic |
Size: |
Customized |
Material: |
SiC Ceramic |
Size: |
Customized |
Niestandardowy nośnik łodzi z ceramiki SiC do obróbki płytek
Customized Silicon Carbide (SiC) Ceramic Boat Carrier to wysokowydajne rozwiązanie do obsługi płytek przeznaczone do procesów produkcji półprzewodników, fotowoltaiki i diod LED.Zbudowane do stabilności w wysokich temperaturach, odporność chemiczna i ultra niskie zanieczyszczenie, ten nośnik zapewnia bezpieczny i wydajny transport płytek w wymagających środowiskach, takich jak CVD, piece dyfuzyjne i komory utleniania.
Kluczowe zalety łodzi ceramicznych SiC
Wysoka stabilność termiczna
Chemiczna obojętność ️ Odporność na korozję kwasów, kwasów alkalicznych i osocza, zapewniająca długotrwałość.
Niski poziom wytwarzania cząstek Minimalizuje zanieczyszczenia w EUV i zaawansowanej produkcji węzłów.
Dostosowywalny projekt dostosowany do rozmiaru płytki, rozmiaru otworu i wymagań związanych z obsługą
Idealne do fabryk półprzewodników, produkcji MEMS i przetwarzania półprzewodników złożonych
Specyfikacja
Zawartość węglanu krzemowego | - | % | > 995 |
Średnia wielkość ziarna | - | Mikron | 4-10 |
Gęstość masowa | - | kg/dm^3 | >3.14 |
Widoczna porowatość | - | Vol % | < 0.5 |
Twardość Vickers | HV0.5 | Kg/mm^2 | 2800 |
Moduł pęknięcia (3 punkty) | 20°C | MPa | 450 |
Wytrzymałość kompresyjna | 20°C | MPa | 3900 |
Moduł elastyczności | 20°C | GPa | 420 |
Twardość złamań | - | MPa/m^1/2 | 3.5 |
Przewodność cieplna | 20°C | W (m*K) | 160 |
Odporność elektryczna | 20°C | Ohm.cm | 10^6-10^8 |
Współczynnik rozszerzania cieplnego | a) (RT"800°C) |
K^-1*10^-6 | 4.3 |
Maksymalna temperatura zastosowania | Atmosfera tlenkowa | °C | 1600 |
Maksymalna temperatura zastosowania | Atmosfera obojętna | °C | 1950 |
Wykorzystanie łodzi ceramicznych SiC
1Produkcja półprzewodników
✔ Piece dyfuzyjne i grzejnikowe
- Stabilność w wysokiej temperaturze
- Niska ekspansja termiczna (4.3×10−6/K)
✔ CVD & Epitaxy (Wzrost SiC/GaN)
- Odporność na korozję gazową Inercyjny na SiH4, NH3, HCl i inne agresywne prekursory.
- Powierzchnia wolna od cząstek Polerowana (Ra < 0,2 μm) do bezbłędnego osadzenia epitaksjalnego.
✔ Implantacja jonów
- Ostrzeżony przed promieniowaniem. Nie ulega degradacji w wyniku bombardowania jonowego.
2Elektronika energetyczna (urządzenia SiC/GaN)
✔ Przetwarzanie płytek SiC
- CTE Matching (4.3×10−6/K) Minimalizuje stres w 1500°C+ wzrostu epitaksyalnym.
- Wysoka przewodność cieplna (160 W/m·K)
✔ Urządzenia GaN na SiC
- Nie zanieczyszczające. Brak uwalniania jonów metalowych w porównaniu do łodzi z grafitem.
3Produkcja ogniw fotowoltaicznych
✔ PERC & TOPCon ogniwa słoneczne
- Odporność na dyfuzję POCl3
- Długa żywotność 5-10 lat w porównaniu do 1-2 lat dla łodzi kwarcowych.
✔ Płytki słoneczne z cienką warstwą (CIGS/CdTe)
- Odporność na korozję Stabilna w procesach osadzenia H2Se, CdS.
4. LED i optoelektronika
✔ Epitaxy mini/mikro-LED
- Precyzyjna konstrukcja szczeliny
- Kompatybilny z pomieszczeniami czystego użytku.
5Badania i specjalistyczne zastosowania
✔ Synteza materiału o wysokiej szybkości
- Środki wspomagające spiekanie (np. B4C, AlN) - Chemicznie obojętne w warunkach o temperaturze 2000°C i wyższej.
- Wzrost kryształowy (np. Al2O3, ZnSe)
Częste pytania
Q1:Jakie rozmiary płytek są obsługiwane?
Standard: 150mm (6"), 200mm (8"), 300mm (12").
Q2: Jaki jest czas realizacji zamówienia?
- Standardowe modele: 4-6 tygodni.
- Całkowicie dostosowane: 8-12 tygodni (w zależności od złożoności).