Wynik wyszukiwania

Dom Produkty GaN on Silicon Producent internetowy

Wszystkie kategorie

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Maszyna do piły drutowej

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

Wafel azotowy galu

GaAs Wafer

Skontaktuj się z nami

Mr. Wang

eric_wang@zmsh-materials.com

+8615801942596

Skontaktuj się teraz

Twoje poszukiwania

[GaN on Silicon ]

dopasowanie

125

Produkty

Wyniki wyszukiwania

Dom Produkty GaN on Silicon Producent internetowy

Wszystkie kategorie

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Maszyna do piły drutowej

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

Wafel azotowy galu

GaAs Wafer

Twoje poszukiwania [ GaN on Silicon ] dopasowanie 120 Produkty

Oś A Sapphire Wafer 60/40 Powierzchnia i ochrona DSP monokrystaliczna

Uzyskaj najlepszą cenę

wideo

6-12 cali SiC podłoża System separacji laserowej maszyny płytki dostosowane

Uzyskaj najlepszą cenę

4H-N SiC: Dostępne polerowanie SSP/DSP o niestandardowej grubości Falowniki PV i magazynowania energii

Uzyskaj najlepszą cenę

Instrument orientacji płytki oparty na XRD do precyzyjnego określania kąta cięcia

Uzyskaj najlepszą cenę

wideo

Maszyna do cięcia pojedynczej linii drutu diamentowego do materiałów SiC/zafirowych/kwartowych/ceramicznych

Uzyskaj najlepszą cenę

High-Purity SiC Vertical Furnace Tube High-Temperature Resistant

Uzyskaj najlepszą cenę

Płytki z nasion kryształowych SiC Dia 205 203 208 Producent PVT/HTCVD wzrost

Uzyskaj najlepszą cenę

2 cale 3 cale 4 cale 6 cale Płytki epitaksjalne SiC 4H-N klasy produkcyjnej

Uzyskaj najlepszą cenę

8-calowa wafle epitaksjalne SiC, średnica 200mm, grubość 500µm, typ 4H-N

Uzyskaj najlepszą cenę

kupić Wykorzystuje się w tym celu wzorzec

Wykorzystuje się w tym celu wzorzec "Custom Sic Ceramics Carrier End Effector for Wafer Handling".

Uzyskaj najlepszą cenę

Dwustronnie polerowana Sapphire Optical Windows Custom Size Średnica φ350mm

Uzyskaj najlepszą cenę

wideo

6-calowa szafirowa orientacja wafla 0001 Al2O3 Pojedyncza kryształowa przezroczystość optyczna

Uzyskaj najlepszą cenę

3 4 5 6 7 8 9 10

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Maszyna do piły drutowej

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

Wafel azotowy galu

GaAs Wafer

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Maszyna do piły drutowej

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

Wafel azotowy galu

GaAs Wafer

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Maszyna do piły drutowej

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

Wafel azotowy galu

GaAs Wafer

[GaN on Silicon ]

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Maszyna do piły drutowej

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

Wafel azotowy galu

GaAs Wafer

Oś A Sapphire Wafer 60/40 Powierzchnia i ochrona DSP monokrystaliczna

6-12 cali SiC podłoża System separacji laserowej maszyny płytki dostosowane

4H-N SiC: Dostępne polerowanie SSP/DSP o niestandardowej grubości Falowniki PV i magazynowania energii

Instrument orientacji płytki oparty na XRD do precyzyjnego określania kąta cięcia

Maszyna do cięcia pojedynczej linii drutu diamentowego do materiałów SiC/zafirowych/kwartowych/ceramicznych

​​High-Purity SiC Vertical Furnace Tube High-Temperature Resistant

Płytki z nasion kryształowych SiC Dia 205 203 208 Producent PVT/HTCVD wzrost

2 cale 3 cale 4 cale 6 cale Płytki epitaksjalne SiC 4H-N klasy produkcyjnej

8-calowa wafle epitaksjalne SiC, średnica 200mm, grubość 500µm, typ 4H-N

Wykorzystuje się w tym celu wzorzec "Custom Sic Ceramics Carrier End Effector for Wafer Handling".

Dwustronnie polerowana Sapphire Optical Windows Custom Size Średnica φ350mm

6-calowa szafirowa orientacja wafla 0001 Al2O3 Pojedyncza kryształowa przezroczystość optyczna

High-Purity SiC Vertical Furnace Tube High-Temperature Resistant