Wynik wyszukiwania

Dom Produkty GaN Epitaxy Producent internetowy

Wszystkie kategorie

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Maszyna do piły drutowej

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

Wafel azotowy galu

GaAs Wafer

Skontaktuj się z nami

Mr. Wang

eric_wang@zmsh-materials.com

+8615801942596

Skontaktuj się teraz

Przepraszamy za wasze poszukiwania.

[ GaN Epitaxy ]

nie pasuje Produkty

Upewnij się, że wprowadziłeś prawidłowe wyszukiwanie lub skontaktuj się z nami Powiedz nam, czego chcesz.

Wszystkie produkty

Wyniki wyszukiwania

Dom Produkty GaN Epitaxy Producent internetowy

Wszystkie kategorie

Szafirowy opłatek

Podłoże SiC

Sapphire Optical Windows

IC Wafel silikonowy

Maszyna do piły drutowej

Syntetyczny Sapphire Rod

Topiona płyta kwarcowa

Szafirowe części

Syntetyczny kamień szlachetny

Sprzęt półprzewodnikowy

Wafel LiNbO3

Wafel indofosforowy

Podłoże ceramiczne

Opakowanie laboratoryjne

Wafel azotowy galu

GaAs Wafer

Twoje poszukiwania [ GaN Epitaxy ] dopasowanie 120 Produkty

Metoda MPCVD Polytype Diamentowe płytki substratowe do epitaksji GaN

Uzyskaj najlepszą cenę

4-calowa płaszczyzna C-Plane SSP Sapphire Wafer dla GaN / III-Nitride Epitaxy

Uzyskaj najlepszą cenę

2-4-calowy wafel HVPE GaN Dostosowany rozmiar Wolnostojący pojedynczy kryształ GaN

Uzyskaj najlepszą cenę

4-calowe 6-calowe wafelki z azotku galu GaN-ON-SiC EPI wafle

Uzyskaj najlepszą cenę

4-calowe 6-calowe wafle GaN-on-Si GaN-on-SiC Epi do zastosowań RF

Uzyskaj najlepszą cenę

8-CALOWE 12-CALOWE 6-CALOWE GaN-On-Si EPI-WAFLE Do aplikacji Power RF LED

Uzyskaj najlepszą cenę

GaN na diamencie i dimond na płytce GaN przez epitaksjalny HEMT i wiązanie

Uzyskaj najlepszą cenę

4calowe płytki GaN-on-Si Gallium Nitride Epi-wafer 6calowe 8calowe Twardość 9,0 Mohs dla mocy RF LED

Uzyskaj najlepszą cenę

Dostosowany GaN-On-GaN SiC Silicon Sapphire Substrat Wafel epitaksjalny 4 cale Dia 100 mm

Uzyskaj najlepszą cenę

4-calowa płytka SiC Epitaxial 4H-N średnica 100 mm grubość 350 μm Prime Grade

Uzyskaj najlepszą cenę

2-calowy, 4-calowy, wolnostojący szablon podłoża z azotku galu GaN dla diod LED

Uzyskaj najlepszą cenę

2 cale 3 cale 4 cale 6 cale Płytki epitaksjalne SiC 4H-N klasy produkcyjnej

Uzyskaj najlepszą cenę

1 2 3 4 5 6 7 8