![]() |
2 cali Sic Substrate 6H-N Typ Grubość 350um 650um Sic Wafer2024-08-08 13:35:02 |
![]() |
Grubość 330um 4H-N Typ Podłoże SiC Klasa produkcyjna Dia50,8 mm 2 cale2023-07-19 17:35:00 |
![]() |
6 cali Dia 150mm 350um Grubość 4H N Typ SiC Podłoże do aplikacji SBD MOS2023-07-19 17:30:27 |
![]() |
Podłoże o stałej dielektrycznej 9,7 i przewodności cieplnej 4,9 W/mK2023-08-24 22:49:43 |