Wyślij wiadomość

SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

Poczta: eric_wang@zmsh-materials.com TEL: 86-1580-1942596

>

sic substrat Producent internetowy

WSZYSTKIE PRODUKTY

GORĄCE PRODUKTY

wideo

kupować ultracienka grubość 0,1 mm 0,2 mm 2 cale szafirowe dwustronnie polerowane wafelki Producent internetowy

ultracienka grubość 0,1 mm 0,2 mm 2 cale szafirowe dwustronnie polerowane wafelki

kupować 4 cale 6 cali 4H-N 500mm 350um SIC wafel Węglik krzemu sic Substrate Prime Dummy Grade Producent internetowy

4 cale 6 cali 4H-N 500mm 350um SIC wafel Węglik krzemu sic Substrate Prime Dummy Grade

kupować 2-4-calowy wafel HVPE GaN Dostosowany rozmiar Wolnostojący pojedynczy kryształ GaN Producent internetowy

2-4-calowy wafel HVPE GaN Dostosowany rozmiar Wolnostojący pojedynczy kryształ GaN

wideo

kupować Al2O3 9,0 Polerowany syntetyczny rubin z domieszką twardości Producent internetowy

Al2O3 9,0 Polerowany syntetyczny rubin z domieszką twardości

wideo

kupować Optyczny szafirowy kryształ syntetyczny rubin do szkiełka zegarka Producent internetowy

Optyczny szafirowy kryształ syntetyczny rubin do szkiełka zegarka

kupować Metoda MPCVD Diamentowe płytki radiatora GaN do obszaru zarządzania ciepłem Producent internetowy

Metoda MPCVD Diamentowe płytki radiatora GaN do obszaru zarządzania ciepłem

kupować GaN-ON-GaN Micro LED EPI Wafle Wolnostojące podłoża GaN 2 cale Producent internetowy

GaN-ON-GaN Micro LED EPI Wafle Wolnostojące podłoża GaN 2 cale

kupować 2-calowy jednokrystaliczny wafelek z azotku galu DSP Wolnostojące podłoża GaN Producent internetowy

2-calowy jednokrystaliczny wafelek z azotku galu DSP Wolnostojące podłoża GaN

sic substrat (117) Producent internetowy

Jakość rezystywność >1E7ohm.cm Podłoże SiC o niestandardowym kształcie fabryka

rezystywność >1E7ohm.cm Podłoże SiC o niestandardowym kształcie

Jakość 2-calowy Dia 50,8 mm 4H-Semi SiC Substrate Pojedynczy kryształ klasy badawczej fabryka

2-calowy Dia 50,8 mm 4H-Semi SiC Substrate Pojedynczy kryształ klasy badawczej

Jakość Półizolujące podłoża SiC typu 4H-N 2-calowe 3-calowe 4-calowe płytki z węglika krzemu fabryka

Półizolujące podłoża SiC typu 4H-N 2-calowe 3-calowe 4-calowe płytki z węglika krzemu

Jakość Grubość 330um 4H-N Typ Podłoże SiC Klasa produkcyjna Dia50,8 mm 2 cale fabryka

Grubość 330um 4H-N Typ Podłoże SiC Klasa produkcyjna Dia50,8 mm 2 cale

Jakość 6 cali Dia 150mm 350um Grubość 4H N Typ SiC Podłoże do aplikacji SBD MOS fabryka

6 cali Dia 150mm 350um Grubość 4H N Typ SiC Podłoże do aplikacji SBD MOS

Jakość dostosowane półizolacyjne podłoża SiC typu 4H-N 4-calowe 6-calowe wafle z węglika krzemu fabryka

dostosowane półizolacyjne podłoża SiC typu 4H-N 4-calowe 6-calowe wafle z węglika krzemu

Jakość 10x10mm 5x5mm Rezystywność podłoża SiC 0,015-0,028ohm.Cm lub >1E7ohm.Cm Chipy Sic fabryka

10x10mm 5x5mm Rezystywność podłoża SiC 0,015-0,028ohm.Cm lub >1E7ohm.Cm Chipy Sic

Jakość Podłoże o stałej dielektrycznej 9,7 i przewodności cieplnej 4,9 W/mK fabryka

Podłoże o stałej dielektrycznej 9,7 i przewodności cieplnej 4,9 W/mK

Jakość 8 cali 6 cali 4H-N Typ Sic Substrate Klasa produkcyjna wafla dla urządzeń o częstotliwości radiowej fabryka

8 cali 6 cali 4H-N Typ Sic Substrate Klasa produkcyjna wafla dla urządzeń o częstotliwości radiowej

wideo

Jakość 10 Mm X 10 Mm 6H Półizolujące podłoże SiC Klasa badawcza Kryształowe podłoże SiC fabryka

10 Mm X 10 Mm 6H Półizolujące podłoże SiC Klasa badawcza Kryształowe podłoże SiC

Jakość 4H-N 4-calowy substrat SiC z azotku krzemu Podłoże atrapy SiC do urządzeń o dużej mocy fabryka

4H-N 4-calowy substrat SiC z azotku krzemu Podłoże atrapy SiC do urządzeń o dużej mocy

Jakość 3-calowy wafel z węglika krzemu, doskonałe podłoże przejściowe typu Sic fabryka

3-calowy wafel z węglika krzemu, doskonałe podłoże przejściowe typu Sic

Jakość 5x40mm Dostosowany kształt sic Wafle kryształowe 4H-N Sic Substrates chips fabryka

5x40mm Dostosowany kształt sic Wafle kryształowe 4H-N Sic Substrates chips

wideo

Jakość 4H-N Wafel do podłoża SiC klasy produkcyjnej o grubości 8 cali, średnica 200 mm fabryka

4H-N Wafel do podłoża SiC klasy produkcyjnej o grubości 8 cali, średnica 200 mm

wideo

Jakość 6H-N 4H-N Podłoża SiC 2 cale 0,33 mm 0,43 mm wafel z węglika krzemu fabryka

6H-N 4H-N Podłoża SiC 2 cale 0,33 mm 0,43 mm wafel z węglika krzemu

1 2 3 4 5 6 7 8